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1. (WO2009110455) 半導体差動増幅器
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2009/110455    国際出願番号:    PCT/JP2009/053942
国際公開日: 11.09.2009 国際出願日: 03.03.2009
IPC:
H03F 3/16 (2006.01), H03F 3/45 (2006.01)
出願人: NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE AND TECHNOLOGY [JP/JP]; 3-1, Kasumigaseki 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008921 (JP) (米国を除く全ての指定国).
OUCHI, Shinichi [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: OUCHI, Shinichi; (JP)
優先権情報:
2008-055995 06.03.2008 JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR DIFFERENTIAL AMPLIFIER
(FR) AMPLIFICATEUR DIFFÉRENTIEL À SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 半導体差動増幅器
要約: front page image
(EN)Provided is a circuit which makes a bias for regulating a threshold available over a wide range, spreads the amplitude of an input voltage to a semiconductor differential amplifier from a power supply potential to a ground potential, and ensures operation automatically in the saturation region of a differential pair while removing the in-phase component in the entire voltage range. A semiconductor differential amplifier is characterized in that the first gates of two four-terminal fin type FETs serve as an input of differential pair, second gates of the four-terminal fin type FETs are interconnected, and a signal decreasing monotonously for the input in-phase component is inputted.
(FR)La présente invention concerne un circuit qui provoque une polarisation pour réguler un seuil disponible sur une large gamme, étend l'amplitude d'une tension d'entrée à un amplificateur différentiel à semi-conducteurs depuis un potentiel d'alimentation électrique jusqu'au potentiel de masse, et assure un fonctionnement automatique dans la région de saturation d'une paire différentielle tout en retirant la composante en phase dans toute la gamme de tension. L'amplificateur différentiel à semi-conducteurs est caractérisé en ce que les premières portes de deux TEC de type à ailettes à quatre bornes servent d'entrée de paire différentielle, en ce que les secondes portes des TEC de type à ailettes à quatre bornes sont interconnectées, et en ce qu'un signal décroissant de manière monotone pour la composante d'entrée en phase est entré.
(JA) 広範囲にわたり閾値調整用バイアスを利用可能にし、半導体差動増幅器の入力電圧振幅を、電源電位から接地電位までに広げ、更に、このすべての電圧範囲で同相分を除去しつつ、自動的に差動対の飽和領域での動作を保証する回路を提供することを課題とする。  2つの4端子フィン型FETのそれぞれの第1のゲートを差動対の入力とし、該4端子フィン型FETのそれぞれの第2のゲートは互いに結合されるとともに、入力同相分対して単調減少する信号が入力されることを特徴とする半導体差動増幅器である。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)