WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | Français | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

国際・国内特許データベース検索
World Intellectual Property Organization
検索
 
閲覧
 
翻訳
 
オプション
 
最新情報
 
ログイン
 
ヘルプ
 
自動翻訳
1. (WO2009110208) 半導体基板、半導体基板の製造方法および電子デバイス
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2009/110208    国際出願番号:    PCT/JP2009/000921
国際公開日: 11.09.2009 国際出願日: 27.02.2009
IPC:
H01L 21/20 (2006.01), H01L 21/205 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 21/338 (2006.01), H01L 21/76 (2006.01), H01L 21/762 (2006.01), H01L 21/764 (2006.01), H01L 21/8234 (2006.01), H01L 27/08 (2006.01), H01L 27/088 (2006.01), H01L 29/778 (2006.01), H01L 29/786 (2006.01), H01L 29/812 (2006.01)
出願人: SUMITOMO CHEMICAL COMPANY, LIMITED [JP/JP]; 27-1, Shinkawa 2-chome, Chuo-ku, Tokyo, 1048260 (JP) (米国を除く全ての指定国).
HATA, Masahiko [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
TAKADA, Tomoyuki [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: HATA, Masahiko; (JP).
TAKADA, Tomoyuki; (JP)
代理人: HAYASHI, Shigenori; 5F, Shinjuku Square Tower, 22-1, Nishi-Shinjuku 6-chome, Shinjuku-ku, Tokyo 1631105 (JP)
優先権情報:
2008-051449 01.03.2008 JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, SEMICONDUCTOR SUBSTRATE MANUFACTURING METHOD, AND ELECTRONIC DEVICE
(FR) SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR, PROCÉDÉ DE FABRICATION DE SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR, ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
(JA) 半導体基板、半導体基板の製造方法および電子デバイス
要約: front page image
(EN)The switching speed and other capabilities of a compound semiconductor device will be improved. Provided is a semiconductor substrate provided with a silicon substrate, an insulation film formed on the silicon substrate and having an aperture with an aspect ratio of /3 or higher, and that reaches the silicon substrate, a compound semiconductor crystal formed in the aperture and which is a seed compound semiconductor crystal formed such that it protrudes upward from the surface of the insulation film, and a laterally grown compound semiconductor layer that is laterally grown on the insulation film with a specific surface of the seed compound semiconductor crystal as the seed surface.
(FR)L'invention permet d'améliorer la vitesse de commutation et autres capacités d'un dispositif semi-conducteur composé. L'invention concerne un substrat semi-conducteur comportant un substrat de silicium, une pellicule d'isolation formée sur le substrat de silicium et comportant une ouverture avec un rapport hauteur/largeur supérieur ou égal à /3 et qui atteint le substrat de silicium, un cristal semi-conducteur composé formé dans l'ouverture et qui est un cristal semi-conducteur composé de germe formé de façon à dépasser vers le haut de la surface de la pellicule d'isolation, et une couche semi-conductrice composée qui a cru latéralement sur la pellicule d'isolation avec une surface spécifique du cristal semi-conducteur composé de germe comme surface de germe.
(JA) 化合物半導体デバイスのスイッチング速度等の性能を向上する。  シリコン基板と、シリコン基板の上に形成された絶縁膜であってアスペクト比が√3/3以上のシリコン基板に達する開口部を有する絶縁膜と、開口部に形成された化合物半導体結晶であって絶縁膜の表面より凸に形成されたシード化合物半導体結晶と、シード化合物半導体結晶の特定面をシード面として、絶縁膜の上にラテラル成長されたラテラル成長化合物半導体層と、を備えた半導体基板を提供する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)