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1. (WO2009107661) 発光体及びこれを用いた半導体発光装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

国際公開番号: WO/2009/107661 国際出願番号: PCT/JP2009/053410
国際公開日: 03.09.2009 国際出願日: 25.02.2009
IPC:
H01L 33/20 (2010.01) ,H01L 33/46 (2010.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
33
光の放出に特に適用される少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する半導体装置;それらの装置またはその部品の製造,あるいは処理に特に適用される方法または装置;それらの装置の細部
02
半導体素子本体に特徴のあるもの
20
特定の形状を有するもの,例.湾曲または面取りされた基板
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
33
光の放出に特に適用される少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する半導体装置;それらの装置またはその部品の製造,あるいは処理に特に適用される方法または装置;それらの装置の細部
44
コーティングに特徴があるもの,例.パシベーション層,反射防止コーティング
46
反射コーティング,例.誘電体ブラッグ反射鏡
出願人: OKAMOTO, Jun[JP/JP]; JP (UsOnly)
ISE, Kazutaka[JP/JP]; JP (UsOnly)
AIHARA, Masami[JP/JP]; JP (UsOnly)
ITO, Naoki[JP/JP]; JP (UsOnly)
ALPS ELECTRIC CO., LTD.[JP/JP]; 1-7, Yukigaya-otsukamachi, Ota-ku, Tokyo 1458501, JP (AllExceptUS)
発明者: OKAMOTO, Jun; JP
ISE, Kazutaka; JP
AIHARA, Masami; JP
ITO, Naoki; JP
代理人: The Patent Body Corporate TAKEWA INTERNATIONAL PATENT OFFICE; Kashiwaya Bldg., 6-13 Nishishinbashi 1-chome Minato-ku, Tokyo 1050003, JP
優先権情報:
2008-04650627.02.2008JP
発明の名称: (EN) LIGHT EMITTER AND SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE USING SAME
(FR) ÉMETTEUR DE LUMIÈRE ET DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ÉMETTANT DE LA LUMIÈRE UTILISANT CELUI-CI
(JA) 発光体及びこれを用いた半導体発光装置
要約:
(EN) Provided are a small-sized and inexpensive side-emitting light emitter which is easily manufactured and a semiconductor light-emitting device using the same. A light emitter (1A-1F) comprises a semiconductor light-emitting element (11), an optical path restricting member (21) made of sapphire, glass, resin, or the like and joined to the semiconductor light-emitting element (11), and a light reflecting portion (31) formed of a metallic film, a metallic plate, or the like and disposed on one surface of the optical path restricting member (21). A divergent groove (22) that widens toward the opening side is formed in the surface of the optical path restricting member (21). A semiconductor light-emitting device (41A) is constituted by mounting the light emitter (1A-1F) on a wiring substrate (42). It is also possible to constitute a semiconductor light-emitting device (41B) having a stack structure by face-up mounting a first semiconductor light-emitting element (45) which does not include the optical path restricting member (21) and the light reflecting portion (31) on the wiring substrate (42) and face-down mounting the light emitter (1A-1F) on the first semiconductor light-emitting element (45).
(FR) L'invention porte sur un émetteur de lumière à émission latérale, de petite dimension et peu coûteux, qui est facilement fabriqué, et sur un dispositif à semi-conducteur émettant de la lumière utilisant ledit émetteur. Un émetteur de lumière (1A-1F) comprend un élément à semi-conducteur émettant de la lumière (11), un élément de restriction de trajet optique (21) constitué de saphir, de verre, de résine, ou similaires et assemblé à l'élément à semi-conducteur émettant de la lumière (11), et une partie de réflexion de lumière (31) formée d'un film métallique, une plaque métallique, ou similaires et disposée sur une surface de l'élément de restriction de trajet optique (21). Une rainure divergente (22) qui s'élargit vers le côté d'ouverture est formée dans la surface de l'élément de restriction de trajet optique (21). Un dispositif à semi-conducteur émettant de la lumière (41A) est constitué par montage de l'émetteur de lumière (1A-1F) sur un substrat de câblage (42). Il est également possible de constituer un dispositif à semi-conducteur émettant de la lumière (41B), ayant une structure à empilement, par montage face vers le haut d'un premier élément à semi-conducteur émettant de la lumière (45) qui ne comprend pas l'élément de restriction de trajet optique (21) et la partie de réflexion de lumière (31) sur le substrat de câblage (42), et par le montage face vers le bas de l'émetteur de lumière (1A-1F) sur le premier élément émettant de la lumière semi-conducteur (45).
(JA) 【課題】小型かつ安価にして製造が容易な側面放出型の発光体とこれを用いた半導体発光装置とを提供する。 【解決手段】発光体1A~1Fを、半導体発光素子11と、半導体発光素子11に接合されたサファイア、ガラス、樹脂等からなる光路規制部材21と、光路規制部材21の片面に配置された金属膜または金属板等からなる光反射部31とから構成する。光路規制部材21の表面には、開口側に至るほど溝幅が大きくなる末広がりの溝22を形成する。半導体発光装置41Aは、配線基板42上に発光体1A~1Fを実装することにより構成する。配線基板42上に光路規制部材21及び光反射部31を有しない第1半導体発光素子45をフェースアップ実装し、この第1半導体発光素子45上に発光体1A~1Fをフェースダウン実装して、スタック構造の半導体発光装置41Bとすることもできる。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)