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1. WO2009104789 - 抵抗変化素子の製造法

公開番号 WO/2009/104789
公開日 27.08.2009
国際出願番号 PCT/JP2009/053156
国際出願日 23.02.2009
予備審査請求日 11.12.2009
IPC
H01L 45/00 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
45電位障壁または表面障壁をもたず,整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される固体装置,例.誘電体三極素子;オブシンスキー効果装置;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
H01L 21/3065 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
306化学的または電気的処理,例.電解エッチング
3065プラズマエッチング;反応性イオンエッチング
H01L 27/10 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
271つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
02整流,発振,増幅またはスイッチングに特に適用される半導体構成部品を含むものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する集積化された受動回路素子を含むもの
04基板が半導体本体であるもの
10複数の個々の構成部品を反復した形で含むもの
H01L 49/00 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
49H01L27/00~H01L47/00およびH01L51/00に分類されず,他のサブクラスにも分類されない固体装置;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
CPC
H01J 37/321
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
37Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
32Gas-filled discharge tubes, ; e.g. for surface treatment of objects such as coating, plating, etching, sterilising or bringing about chemical reactions
32009Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
32082Radio frequency generated discharge
321the radio frequency energy being inductively coupled to the plasma
H01J 37/3266
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
37Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
32Gas-filled discharge tubes, ; e.g. for surface treatment of objects such as coating, plating, etching, sterilising or bringing about chemical reactions
32431Constructional details of the reactor
3266Magnetic control means
H01L 21/32136
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
31to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques
3205Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
321After treatment
3213Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer
32133by chemical means only
32135by vapour etching only
32136using plasmas
H01L 27/101
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
02including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
04the substrate being a semiconductor body
10including a plurality of individual components in a repetitive configuration
101including resistors or capacitors only
H01L 45/04
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
45Solid state devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching without a potential-jump barrier or surface barrier, e.g. dielectric triodes; Ovshinsky-effect devices; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof
04Bistable or multistable switching devices, e.g. for resistance switching non-volatile memory
H01L 45/1233
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
45Solid state devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching without a potential-jump barrier or surface barrier, e.g. dielectric triodes; Ovshinsky-effect devices; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof
04Bistable or multistable switching devices, e.g. for resistance switching non-volatile memory
12Details
122Device geometry
1233adapted for essentially vertical current flow, e.g. sandwich or pillar type devices
出願人
  • キヤノンアネルバ株式会社 CANON ANELVA CORPORATION [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • 小平 吉三 KODAIRA, Yoshimitsu [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 長田 智明 OSADA, Tomoaki [JP]/[JP] (UsOnly)
発明者
  • 小平 吉三 KODAIRA, Yoshimitsu
  • 長田 智明 OSADA, Tomoaki
代理人
  • 岡部 正夫 OKABE, Masao
優先権情報
2008-04132722.02.2008JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (ja)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) METHOD FOR MANUFACTURING VARIABLE RESISTANCE ELEMENT
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN ÉLÉMENT À RÉSISTANCE VARIABLE
(JA) 抵抗変化素子の製造法
要約
(EN) Disclosed is a method for manufacturing a variable resistance element, wherein occurrence of corrosion can be reduced without raising the substrate temperature. Specifically, a multilayer film comprising a high-melting-point metal film and a metal oxide film is etched, while using a mask, in a plasma atmosphere which is formed by using at least one gasification compound selected from alcohols and hydrocarbons, or by using alternatively a mixed gas which is formed by adding at lease one gas selected from the group consisting of argon, helium, xenon, neon, krypton, oxygen, ozone, nitrogen, H2O, N2O, NO2, CO and CO2 to the gasification compound.
(FR) La présente invention concerne un procédé de fabrication d'un élément à résistance variable, l'occurrence de corrosion pouvant être réduite sans augmenter la température du substrat. En particulier, un film à couches multiples comprenant un film métallique à point de fusion élevé et un film d'oxyde métallique est gravé, tout en utilisant un masque, dans une atmosphère à plasma qui est formée par l'utilisation d'au moins un composé de gazéification choisi parmi les alcools et les hydrocarbures, ou par l'utilisation en variante d'un gaz mixte qui est formé par l'addition, au composé de gazéification, d'au moins un gaz choisi dans le groupe des gaz suivante : hélium, xénon, néon, krypton, oxygène, ozone, azote, H2O, N2O, NO2, CO et CO2.
(JA) 本発明は、基板温度を高くすることなく、コロージョンの発生を低減可能な抵抗変化素子の製造法を提供する。アルコール類及び炭化水素類から選択された少なくとも一種のガス化化合物、或いは、該ガス化合物に、アルゴン、ヘリウム、キセノン、ネオン、クリプトン、酸素、オゾン、窒素、H2O、N2O、NO2、CO、及びCO2からなるガス群から選択された少なくとも一種のガスを添加混合して形成した混合ガスのいずれかを用いて形成したプラズマ雰囲気下で、マスクを用いて、高融点金属膜及び金属酸化物膜を有する積層膜をエッチングする。
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