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1. WO2009101866 - プラズマ測定方法及びプラズマ測定装置並びに記憶媒体

公開番号 WO/2009/101866
公開日 20.08.2009
国際出願番号 PCT/JP2009/051610
国際出願日 30.01.2009
IPC
H01L 21/3065 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
306化学的または電気的処理,例.電解エッチング
3065プラズマエッチング;反応性イオンエッチング
CPC
H01J 37/3244
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
37Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
32Gas-filled discharge tubes, ; e.g. for surface treatment of objects such as coating, plating, etching, sterilising or bringing about chemical reactions
32431Constructional details of the reactor
3244Gas supply means
H01J 37/32449
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
37Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
32Gas-filled discharge tubes, ; e.g. for surface treatment of objects such as coating, plating, etching, sterilising or bringing about chemical reactions
32431Constructional details of the reactor
3244Gas supply means
32449Gas control, e.g. control of the gas flow
H01J 37/32935
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
37Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
32Gas-filled discharge tubes, ; e.g. for surface treatment of objects such as coating, plating, etching, sterilising or bringing about chemical reactions
32917Plasma diagnostics
32935Monitoring and controlling tubes by information coming from the object and/or discharge
出願人
  • 東京エレクトロン株式会社 TOKYO ELECTRON LIMITED [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • 伊藤 融 ITO, Toru [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 川上 雅人 KAWAKAMI, Masato [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 永関 澄江 NAGASEKI, Sumie [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 伝宝 一樹 DENPOH, Kazuki [JP]/[JP] (UsOnly)
発明者
  • 伊藤 融 ITO, Toru
  • 川上 雅人 KAWAKAMI, Masato
  • 永関 澄江 NAGASEKI, Sumie
  • 伝宝 一樹 DENPOH, Kazuki
代理人
  • 吉武 賢次 YOSHITAKE, Kenji
優先権情報
2008-03083312.02.2008JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (ja)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) PLASMA MEASURING METHOD, PLASMA MEASURING DEVICE, AND STORAGE MEDIUM
(FR) PROCÉDÉ DE MESURE DE PLASMA, DISPOSITIF DE MESURE DE PLASMA ET SUPPORT DE STOCKAGE
(JA) プラズマ測定方法及びプラズマ測定装置並びに記憶媒体
要約
(EN) Provided is a technique capable of ascertaining the process condition of the boundary between an electrically positive plasma region and an electrically negative plasma region. In a vacuum chamber, the parameter, which is selected from the parameters of process conditions composed of the flow ratio of an electrically negative gas and an electrically positive gas, the pressure in the vacuum chamber and the magnitude of an energy at the time of making plasma of the electrically negative gas and the electrically positive gas, is stepwise changed to generate the plasma under at least three process conditions. Next, a voltage is applied to a Langmuir probe positioned in that plasma, and a current-voltage curve indicating the relation between the applied voltage and the electric current to flow through the probe is acquired for each of the process conditions. On the basis of the current-voltage curve group acquired, moreover, the process conditions are determined for the boundary between the electrically positive plasma region and the electrically negative plasma region.
(FR) L'invention porte sur une technique capable de vérifier la condition de traitement de la frontière entre une région de plasma électriquement positif et une région de plasma électriquement négatif. Dans une chambre à vide, le paramètre, qui est sélectionné parmi les paramètres de conditions de traitement composées du rapport de débit d'un gaz électriquement négatif et d'un gaz électriquement positif, de la pression dans la chambre à vide et de l'amplitude d'une énergie au moment de former un plasma du gaz électriquement négatif et du gaz électriquement positif, est changé par paliers de façon à générer le plasma selon au moins trois conditions de traitement. Une tension est ensuite appliquée à une sonde de Langmuir positionnée dans ce plasma, et une courbe courant-tension indiquant la relation entre la tension appliquée et le courant électrique circulant dans la sonde est acquise pour chacune des conditions de traitement. Sur la base du groupe de courbes courant-tension acquises, en outre, les conditions de traitement sont déterminées pour la frontière entre la région de plasma électriquement positif et la région de plasma électriquement négatif.
(JA)  電気的正性プラズマ領域と電気的負性プラズマ領域との境界のプロセス条件を見極めることができる技術を提供すること。  真空容器内において、電気的負性ガスと電気的正性ガスとの流量比、前記真空容器内の圧力、及び前記電気的負性ガスと電気的正性ガスをプラズマ化するときのエネルギーの大きさよりなるプロセス条件のパラメータの中から選択されるパラメータを段階的に変えて、少なくとも3つ以上のプロセス条件にてプラズマを生成する。次いでこのプラズマ中に位置するラングミュアプローブに電圧を印加し、この印加した電圧と当該プローブに流れる電流との関係を示す電流電圧曲線を各プロセス条件毎に取得する。そして前記取得した電流電圧曲線群に基づいて、電気的正性プラズマ領域と電気的負性プラズマ領域との境界のプロセス条件を求める。
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