WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | Français | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

国際・国内特許データベース検索
World Intellectual Property Organization
検索
 
閲覧
 
翻訳
 
オプション
 
最新情報
 
ログイン
 
ヘルプ
 
自動翻訳
1. (WO2009093753) III族金属窒化物単結晶の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2009/093753    国際出願番号:    PCT/JP2009/051394
国際公開日: 30.07.2009 国際出願日: 22.01.2009
IPC:
C30B 29/38 (2006.01), C30B 19/12 (2006.01)
出願人: NGK Insulators, Ltd. [JP/JP]; 2-56, Suda-cho, Mizuho-ku, Nagoya-shi, Aichi, 4678530 (JP) (米国を除く全ての指定国).
HIRAO, Takayuki [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
IMAI, Katsuhiro [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
ICHIMURA, Mikiya [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: HIRAO, Takayuki; (JP).
IMAI, Katsuhiro; (JP).
ICHIMURA, Mikiya; (JP)
代理人: HOSODA, Masutoshi; Jowa Takanawa BLDG. 7F, 5-4, Takanawa 1-chome, Minato-ku, Tokyo, 1080074 (JP)
優先権情報:
2008-013689 24.01.2008 JP
発明の名称: (EN) METHOD FOR MANUFACTURING III METAL NITRIDE SINGLE CRYSTAL
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE MONOCRISTAL DE NITRURE DE MÉTAL III
(JA) III族金属窒化物単結晶の製造方法
要約: front page image
(EN)A template substrate (10A) provided with a substrate main body (1) and a base film (2) is used. The substrate main body has a side surface (1b) and a pair of main surfaces (1a), and the base film is formed on the main surface (1a) and composed of a III metal nitride single crystal. The III metal nitride single crystal (3) is grown at least on one of the main surfaces (1a) of the substrate main body (1) by a liquid phase method. The base film (2) has a protruding figure in planar view. A non-film-formed surface (4) whereupon the base film is not formed surrounds the entire circumference of the base film (2). The III metal nitride single crystal (3) grown from the base film (2) is not brought into contact with the III metal nitride single crystal grown from other base film.
(FR)La présente invention utilise un substrat matrice (10A) comprenant un corps principal de substrat (1) et un film de base (2). Le corps principal de substrat est muni d'une surface latérale (1b) et de deux surfaces principales (1a) ; le film de base est formé sur la surface principale (1a) et composé d'un monocristal de nitrure de métal III. Le monocristal de nitrure de métal III (3) croît au moins sur l'une des surfaces principales (1a) du corps principal de substrat (1) par un procédé en phase liquide. Le film de base (2) présente une forme en saillie en vue en plan. Une surface non formée par film (4), et donc sur laquelle le film de base n'est pas formé, entoure la circonférence entière du film de base (2). Le monocristal de nitrure de métal III (3) croissant à partir du film de base (2) n'est pas mis en contact avec le monocristal de nitrure de métal III croissant à partir de l'autre film de base.
(JA)側面1bおよび一対の主面1aを有する基板本体1と、主面1aに形成されたIII 族金属窒化物単結晶の下地膜2とを備えているテンプレート基板10Aを使用する。基板本体1の少なくとも一つの主面1aに液相法によってIII 族金属窒化物単結晶3を育成する。下地膜2が平面的に見て凸図形をなしている。下地膜が設けられていない未成面4が下地膜2の全周を包囲している。下地膜2から成長したIII 族金属窒化物単結晶3が、他の下地膜から成長したIII 族金属窒化物単結晶と接触しない。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)