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1. (WO2009093686) レジストパターン形成方法及びレジストパターン微細化樹脂組成物
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2009/093686    国際出願番号:    PCT/JP2009/051072
国際公開日: 30.07.2009 国際出願日: 23.01.2009
IPC:
G03F 7/40 (2006.01)
出願人: JSR CORPORATION [JP/JP]; 6-10, Tsukiji 5-chome, Chuo-ku, Tokyo, 1048410 (JP) (米国を除く全ての指定国).
ABE, Takayoshi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
NAKAMURA, Atsushi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
WAKAMATSU, Gouji [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: ABE, Takayoshi; (JP).
NAKAMURA, Atsushi; (JP).
WAKAMATSU, Gouji; (JP)
代理人: WATANABE, Kazuhira; 3rd Fl., No.8 Kikuboshi Tower Building, 20-18, Asakusabashi 3-chome, Taito-ku, Tokyo, 1110053 (JP)
優先権情報:
2008-013757 24.01.2008 JP
発明の名称: (EN) METHOD FOR FORMING RESIST PATTERN AND RESIST PATTERN MINIATURIZING RESIN COMPOSITION
(FR) PROCÉDÉ DE FORMATION DE MOTIF DE RÉSIST ET COMPOSITION DE RÉSINE DE MINIATURISATION DE MOTIF DE RÉSIST
(JA) レジストパターン形成方法及びレジストパターン微細化樹脂組成物
要約: front page image
(EN)Disclosed is a method for forming a resist pattern, which comprises a step (1) wherein a first resist pattern is formed by using a first positive radiation-sensitive resin composition, a step (2) wherein a resist pattern miniaturizing resin composition is applied over the first resist pattern, and then the resulting pattern is baked and developed, thereby making the fist resist pattern miniaturized into a second resist pattern, a step (3) wherein a resist pattern insolubilizing resin composition is applied over the second resist pattern, and then the resulting pattern is baked and cleaned, thereby changing the second resist pattern into a third resist pattern which is insoluble in a developer and a second positive radiation-sensitive resin composition, and a step (4) wherein a second resist layer is formed on the third resist pattern by using a second positive radiation-sensitive resin composition, and then the second resist layer is exposed and developed, thereby forming a fourth resist pattern.
(FR)L'invention porte sur un procédé de formation d'un motif de résist, le procédé comprenant une étape (1) dans laquelle un premier motif de résist est formé à l'aide d'une première composition de résine sensible aux rayonnements positifs, une étape (2) dans laquelle une composition de résine de miniaturisation de motif de résist est appliquée sur le premier motif de résist, puis le motif résultant est cuit et développé, miniaturisant ainsi le premier motif de résist en un second motif de résist, une étape (3) dans laquelle une composition de résine d'insolubilisation de motif de résist est appliquée sur le second motif de résist, puis le motif résultant est cuit et nettoyé, permettant ainsi de changer le second motif de résist en un troisième motif de résist qui est insoluble dans un développeur et une seconde composition de résine sensible aux rayonnements positifs, et une étape (4) dans laquelle une seconde couche de résist est formée sur le troisième motif de résist à l'aide d'une seconde composition de résine sensible aux rayonnements positifs, puis la seconde couche de résist est exposée et développée, permettant ainsi de former un quatrième motif de résist.
(JA) 第一のポジ型感放射線性樹脂組成物を用いて第一のレジストパターンを形成する工程(1)と、第一のレジストパターン上にレジストパターン微細化樹脂組成物を塗布し、ベーク後、現像して第一のレジストパターンを微細化した第二のレジストパターンを形成する工程(2)と、第二のレジストパターン上にレジストパターン不溶化樹脂組成物を塗布し、ベーク後、洗浄して、第二のレジストパターンを、現像液及び第二のポジ型感放射線性樹脂組成物に対して不溶な第三のレジストパターンとする工程(3)と、第二のポジ型感放射線性樹脂組成物を用いて第三のレジストパターン上に第二のレジスト層を形成し、第二のレジスト層を露光及び現像して第四のレジストパターンを形成する工程(4)と、を含むレジストパターン形成方法である。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)