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1. (WO2009093683) 化合物半導体発光素子及びその製造方法、化合物半導体発光素子用導電型透光性電極、ランプ、電子機器並びに機械装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2009/093683    国際出願番号:    PCT/JP2009/051062
国際公開日: 30.07.2009 国際出願日: 23.01.2009
IPC:
H01L 33/06 (2010.01), H01L 33/32 (2010.01), H01L 33/36 (2010.01), H01L 33/38 (2010.01), H01L 33/42 (2010.01), H01L 33/56 (2010.01), H01L 33/62 (2010.01)
出願人: SHOWA DENKO K.K. [JP/JP]; 13-9, Shibadaimon 1-chome, Minato-ku, Tokyo, 1058518 (JP) (米国を除く全ての指定国).
SHINOHARA, Hironao [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
FUKUNAGA, Naoki [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
YOKOYAMA, Yasunori [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: SHINOHARA, Hironao; (JP).
FUKUNAGA, Naoki; (JP).
YOKOYAMA, Yasunori; (JP)
代理人: SHIGA, Masatake; 1-9-2, Marunouchi, Chiyoda-ku, Tokyo 1006620 (JP)
優先権情報:
2008-014232 24.01.2008 JP
2008-068076 17.03.2008 JP
2008-273092 23.10.2008 JP
発明の名称: (EN) COMPOUND SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT AND MANUFACTURING METHOD FOR SAME, CONDUCTIVE TRANSLUCENT ELECTRODE FOR COMPOUND SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT, LAMP, ELECTRONIC DEVICE, AND MECHANICAL APPARATUS
(FR) ÉLÉMENT ÉMETTEUR DE LUMIÈRE À SEMI-CONDUCTEUR COMPOSÉ ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION, ÉLECTRODE TRANSLUCIDE CONDUCTRICE POUR ÉLÉMENT ÉMETTEUR DE LUMIÈRE À SEMI-CONDUCTEUR COMPOSÉ, LAMPE, DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE ET APPAREIL MÉCANIQUE
(JA) 化合物半導体発光素子及びその製造方法、化合物半導体発光素子用導電型透光性電極、ランプ、電子機器並びに機械装置
要約: front page image
(EN)The present invention provides a compound semiconductor light emitting element provided with an n-type semiconductor layer (12) comprising a compound semiconductor, a light-emitting layer (13), and a p-type semiconductor layer (14) laminated in this order on a substrate (11), a positive pole (15) comprising a conductive translucent electrode, and a negative pole (17) comprising a conductive electrode, the conductive translucent electrode making up the positive pole (15) being a translucent conductive film including a crystal with an In2O3 composition having a hexagonal crystal structure.
(FR)La présente invention porte sur un élément émetteur de lumière à semi-conducteur composé comprenant une couche de semi-conducteur de type n (12) comprenant un semi-conducteur composé, une couche d'émission de lumière (13), et une couche de semi-conducteur de type p (14) stratifiées dans cet ordre sur un substrat (11), un pôle positif (15) comprenant une électrode translucide conductrice, et un pôle négatif (17) comprenant une électrode conductrice, l'électrode translucide conductrice constituant le pôle positif (15) étant un film conducteur translucide comprenant un cristal ayant une composition In2O3 et à structure cristalline hexagonale.
(JA) 本発明は、基板(11)上に、化合物半導体からなるn型半導体層(12)、発光層(13)及びp型半導体層(14)がこの順で積層され、さらに、導電型透光性電極からなる正極(15)及び導電型電極からなる負極(17)を備えてなり、正極(15)をなす導電型透光性電極は六方晶構造を有するInなる組成の結晶を含む透明導電膜であることを特徴とする化合物半導体発光素子を提供する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)