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1. (WO2009093602) 表示装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2009/093602    国際出願番号:    PCT/JP2009/050856
国際公開日: 30.07.2009 国際出願日: 21.01.2009
IPC:
H01L 21/768 (2006.01), G02F 1/1343 (2006.01), G02F 1/1368 (2006.01), G09F 9/30 (2006.01), H01L 21/28 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 29/417 (2006.01), H01L 29/423 (2006.01), H01L 29/49 (2006.01), H01L 29/786 (2006.01)
出願人: NEC CORPORATION [JP/JP]; 7-1, Shiba 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1088001 (JP) (米国を除く全ての指定国).
SUZUKI, Seiji [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: SUZUKI, Seiji; (JP)
代理人: KATO, Asamichi; c/o A. Kato & Associates, 20-12 Shin-Yokohama 3-chome, Kohoku-ku, Yokohama-shi, Kanagawa 2220033 (JP)
優先権情報:
2008-010927 21.01.2008 JP
発明の名称: (EN) DISPLAY DEVICE
(FR) DISPOSITIF D'AFFICHAGE
(JA) 表示装置
要約: front page image
(EN)Provided is a structure wherein a contact hole, typically, a gate terminal hole, a data terminal hole, a pixel connecting hole or the like, arranged on a thin film transistor substrate, has low connection resistance and high reliability. The structure is provided with a lower layer metal film (for instance, a first metal film (2)) arranged on an insulating substrate; an insulating film (for instance, a first insulating film (6) and a second insulating film (14)), which is arranged on the lower layer metal film and has an opening section; an interlayer connecting layer (22), which is arranged to extend and cover at least the lower metal film exposed from the opening section and an insulating film edge section of the opening section and is formed by solidifying a conductive liquid material; and an upper layer metal film (for instance, a terminal protection pattern (21)) arranged on the interlayer connecting layer so as to be brought into contact with the insulating film over the cover boundary region of the interlayer connecting layer. The thickness of the lower layer metal film exposed from the opening section is less than that of the lower layer metal film on a part not exposed from the opening section.
(FR)L'invention concerne une structure dans laquelle un trou de contact, typiquement un trou de borne de grille, un trou de borne de données, un trou de connexion de pixel ou similaires, agencé sur un substrat de transistor à film mince, a une faible résistance de connexion et une haute fiabilité. La structure est pourvue d'un film de métal de couche inférieure (par exemple un premier film de métal (2)) disposé sur un substrat isolant ; d'un film isolant (par exemple un premier film isolant (6) et un second film isolant (14)), qui est agencé sur le film en métal de couche inférieure et comporte une section d'ouverture ; une couche de connexion intercouche (22), qui est disposée de manière à s'étendre sur le film de métal de couche inférieure exposé à partir de la section d'ouverture et d'une section de bord de film isolant de la section d'ouverture et à couvrir au moins ledit film de métal, et qui est formée en solidifiant un matériau liquide conducteur ; et un film de métal de couche supérieure (par exemple, un motif de protection de borne (21)) agencé sur la couche de connexion intercouche de façon à être amené en contact avec le film isolant sur la région frontière de couverture de la couche de connexion intercouche. L'épaisseur du film de métal de couche inférieure exposée à partir de la section d'ouverture est inférieure à celle du film de métal de couche inférieure sur une partie non exposée à la section d'ouverture.
(JA) 本発明は、薄膜トランジスタ基板に配置されたゲート端子孔、デ-タ端子孔および画素接続孔等に代表されるコンタクトホールの、低接続抵抗化および高信頼性を実現する構造を提供する。絶縁基板の上に配置された下層金属膜(例えば第1の金属膜2)と、当該下層金属膜の上に配置された開口部を有する絶縁膜(例えば第1の絶縁膜6及び第2の絶縁膜14)と、少なくとも前記開口部で露出した前記下層金属膜と前記開口部の絶縁膜エッジ部とを延在して被覆するように配置された、導電性を有する液体材料を固化した層間接続層22と、当該層間接続層の上に前記層間接続層の被覆境界領域を越えて前記絶縁膜と接するように配置された上層金属膜(例えば端子保護パターン21)と、を含むコンタクトホールを有する。前記開口部で露出した前記下層金属膜の膜厚が、前記開口部で露出していない部分の前記下層金属膜の膜厚よりも薄い(図6)。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)