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1. (WO2009093548) 半導体記憶装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2009/093548    国際出願番号:    PCT/JP2009/050678
国際公開日: 30.07.2009 国際出願日: 19.01.2009
IPC:
G11C 11/4096 (2006.01), G11C 11/401 (2006.01), G11C 11/407 (2006.01), G11C 11/4076 (2006.01)
出願人: Liquid Design Systems, Inc. [JP/JP]; KSP West 421 B, 3-2-1, Sakado, Takatsu-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa, 2130012 (JP) (米国を除く全ての指定国).
NAKAOKA, Yuji [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: NAKAOKA, Yuji; (JP)
代理人: NAKAJIMA, Jun; TAIYO, NAKAJIMA & KATO, Seventh Floor, HK-Shinjuku Bldg., 3-17, Shinjuku 4-chome, Shinjuku-ku, Tokyo, 1600022 (JP)
優先権情報:
2008-011776 22.01.2008 JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR MEMORY
(FR) MÉMOIRE À SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 半導体記憶装置
要約: front page image
(EN)A semiconductor memory comprises a buffer control circuit (130) for, if data is written, controlling a data input buffer (110) so that the data at the same timing as the clock at the time when a write command is inputted is written to an activated memory bank and, if data is read, controlling a data output buffer (120) so that the data is read from the activated memory bank in predetermined read latency of 3 or more to the clock at the time when a read command is inputted to output the data.
(FR)L'invention porte sur une mémoire à semi-conducteurs, qui comprend un circuit de commande de mémoire tampon (130) pour, si des données sont écrites, commander une mémoire tampon d'entrée de données (110) de telle sorte que les données, avec la même temporisation que l'horloge au moment où une instruction d'écriture est entrée, sont écrites dans un banc de mémoire activé, et, si des données sont lues, commander une mémoire tampon de sortie de données (120) de telle sorte que les données sont lues à partir du banc de mémoire activé avec une latence de lecture prédéterminée de 3 ou plus par rapport à l'horloge au moment où une instruction de lecture est entrée pour délivrer en sortie des données.
(JA)半導体記憶装置は、データを書き込む場合は、書込みコマンドが入力されたときのクロックと同じタイミングのときのデータを、活性化されたメモリバンクに書き込むようにデータ入力バッファ(110)を制御し、データを読み出す場合は、読出しコマンドが入力されたときのクロックに対して3以上の所定のリードレーテンシーで、活性化されたメモリバンクからデータを読み出してデータを出力するようにデータ出力バッファ(120)を制御するバッファ制御回路(130)を備えている。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)