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1. (WO2009093417) サセプタ及び気相成長装置並びに気相成長方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2009/093417    国際出願番号:    PCT/JP2009/000098
国際公開日: 30.07.2009 国際出願日: 14.01.2009
IPC:
H01L 21/205 (2006.01), C23C 16/458 (2006.01), H01L 21/683 (2006.01)
出願人: Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. [JP/JP]; 6-2, Ohtemachi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo, 1000004 (JP) (米国を除く全ての指定国).
HAGIWARA, Yoshio [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: HAGIWARA, Yoshio; (JP)
代理人: YOSHIMIYA, Mikio; 1st Shitaya Bldg. 8F, 6-11, Ueno 7-chome, Taito-ku, Tokyo 1100005 (JP)
優先権情報:
2008-014182 24.01.2008 JP
発明の名称: (EN) SUSCEPTOR AND VAPOR PHASE GROWTH SYSTEM AND VAPOR PHASE GROWTH METHOD
(FR) SUSCEPTEUR ET SYSTÈME DE CROISSANCE EN PHASE VAPEUR ET PROCÉDÉ DE CROISSANCE EN PHASE VAPEUR
(JA) サセプタ及び気相成長装置並びに気相成長方法
要約: front page image
(EN)A susceptor (10) having a counterbore (1) for mounting a wafer (W) horizontally in a vapor phase growth system, in which the counterbore (1) is a circular recess having a bottom surface (1b) and a sidewall (1a). The sidewall (1a) of the counterbore has a diameter larger than that of the wafer (W) to be mounted, and a plurality of protrusions (1c) are formed on the bottom surface (1b) of the counterbore so that the wafer is mounted in the central portion of the counterbore. When a thin film is grown in a vapor phase on the wafer by using a vapor phase growth system, thickness uniformity of the thin film can be improved in the in-plane direction of the wafer.
(FR)L'invention concerne un suscepteur (10) comportant un lamage (1) pour monter une tranche (W) horizontalement dans un système de croissance en phase vapeur, le lamage (1) étant un évidement circulaire comportant une surface inférieure (1b) et une paroi latérale (1a). La paroi latérale (1a) du lamage a un diamètre plus grand que celui de la tranche (W) à monter, et une pluralité de protubérances (1c) est formée sur la surface inférieure (1b) du lamage de sorte que la tranche soit montée dans la portion centrale du lamage. Lorsqu'un film fin est mis à croître en phase vapeur sur la tranche, au moyen d'un système de croissance en phase vapeur, l'uniformité d'épaisseur du film mince peut être améliorée dans la direction en plan de la tranche.
(JA) 本発明は、気相成長装置内でウェーハWを水平に載置するザグリ1が形成されたサセプタ10において、ザグリ1は、底面1aと側壁1bを有する円形の凹形状であり、ザグリの側壁1aの直径は、載置するウェーハWの直径より大きく、ザグリの底面1bには、ウェーハがザグリの中央部に載置されるように該ザグリの底面から突出する複数の突起物1cが形成されたサセプタ10である。これにより、気相成長装置を使用してウェーハに薄膜を気相成長させる際、形成する薄膜のウェーハ面内における膜厚の均一性を改善することができるサセプタが提供される。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)