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1. (WO2009090966) 薄膜トランジスタ及びその製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2009/090966    国際出願番号:    PCT/JP2009/050399
国際公開日: 23.07.2009 国際出願日: 14.01.2009
IPC:
H01L 29/786 (2006.01), H01L 51/05 (2006.01)
出願人: NEC Corporation [JP/JP]; 7-1, Shiba 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1088001 (JP) (米国を除く全ての指定国).
ENDOH, Hiroyuki [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
TOGUCHI, Satoru [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: ENDOH, Hiroyuki; (JP).
TOGUCHI, Satoru; (JP)
代理人: MARUYAMA, Takao; MARUYAMA PATENT OFFICE, SAM Build. 3floor, 38-23, Higashi-Ikebukuro 2-chome, Toshima-ku, Tokyo 1700013 (JP)
優先権情報:
2008-009556 18.01.2008 JP
発明の名称: (EN) THIN FILM TRANSISTOR AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
(FR) TRANSISTOR À COUCHES MINCES ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 薄膜トランジスタ及びその製造方法
要約: front page image
(EN)Disclosed is a thin film transistor, which permits an application method having difficulty in shape control to be applied to and a channel length and a channel width to be easily controlled. A method for manufacturing such thin film transistor is also disclosed. A portion surrounded by a pair of source/drain electrodes (12, 13) and a pair of insulating thin films (17) serves as a channel. A semiconductor thin film (15) which forms the channel is formed of an organic material or carbon nanotubes or a mixed material containing carbon nanotubes.
(FR)L'invention porte sur un transistor à couches minces, qui permet d'appliquer un procédé d'application présentant une difficulté dans la maîtrise de forme et de maîtriser facilement une longueur de canal et une largeur de canal. Un procédé pour fabriquer un tel transistor à couches minces est également décrit. Une partie, entourée par une paire d'électrodes de source/ de drain (12, 13) et une paire de couches minces isolantes (17), sert de canal. Une couche mince semi-conductrice (15), qui forme le canal, est formée d'un matériau organique ou de nanotubes de carbone ou d'un matériau mixte contenant des nanotubes de carbone.
(JA) 形状制御が困難な塗布法を適用することが可能で、チャネル長、チャネル幅の制御が容易である薄膜トランジスタ及びその製造方法を提供する。  一対のソース電極・ドレイン電極12,13とそれらに交わる一対の絶縁性薄膜17とで囲まれた部位をチャネルとし、チャネルを形成する半導体薄膜15が、有機材料又はカーボンナノチューブ若しくはカーボンナノチューブを含有する混合物で形成された。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)