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1. (WO2009090923) 積層体およびその製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2009/090923    国際出願番号:    PCT/JP2009/050248
国際公開日: 23.07.2009 国際出願日: 09.01.2009
予備審査請求日:    10.11.2009    
IPC:
C30B 29/38 (2006.01), C30B 25/18 (2006.01)
出願人: NATIONAL UNIVERSITY CORPORATION TOKYO UNIVERSITY OF AGRICULTURE AND TECHNOLOGY [JP/JP]; 3-8-1, Harumi-cho, Fuchu-shi, Tokyo 1830057 (JP) (米国を除く全ての指定国).
TOKUYAMA CORPORATION [JP/JP]; 1-1, Mikage-cho, Shunan-shi, Yamaguchi 7458648 (JP) (米国を除く全ての指定国).
KOUKITU, Akinori [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
KUMAGAI, Yoshinao [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
ISHIZUKI, Masanari [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
NAGASHIMA, Toru [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
HAKOMORI, Akira [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
TAKADA, Kazuya [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: KOUKITU, Akinori; (JP).
KUMAGAI, Yoshinao; (JP).
ISHIZUKI, Masanari; (JP).
NAGASHIMA, Toru; (JP).
HAKOMORI, Akira; (JP).
TAKADA, Kazuya; (JP)
代理人: HOSHINO, Tetsuro; c/o TOKYO CENTRAL PATENT FIRM 3rd Floor, Oak Building Kyobashi 16-10, Kyobashi 1-chome Chuou-ku, Tokyo 1040031 (JP)
優先権情報:
2008-006755 16.01.2008 JP
2008-052953 04.03.2008 JP
発明の名称: (EN) LAMINATE AND PROCESS FOR PRODUCING THE LAMINATE
(FR) STRATIFIÉ ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 積層体およびその製造方法
要約: front page image
(EN)Disclosed is a self-supported Al-based group III nitride single crystal substrate. A base substrate is provided. The base substrate is formed of a single crystal of an inorganic material, for example, sapphire, that is not substantially decomposed at 800˚C in an inert gas and, upon contact with a reducing gas such as a hydrogen gas at 800 to 1600˚C, is decomposed to produce a volatile material. A thin film layer of an Al-based group III nitride single crystal having a thickness of 3 to 200 nm is formed on the base substrate. Thereafter, the laminated substrate is heat treated at 800 to 1600˚C in a reducing gas atmosphere containing an ammonia gas to form voids at the interface of the base substrate and the thin film layer of the Al-based group III nitride single crystal in the laminated substrate. Next, a thick film of a group III nitride single crystal is formed on the thin film layer of the Al-based group III nitride single crystal, followed by separation of the formed film. Thus, a self-supported Al-based group III nitride single crystal substrate is provided that is a self-supported substrate of a single crystal of a group III nitride such as AlN which is suitable for use in the formation of semiconductor elements such as ultraviolet light emitting elements and has a large radius of curvature in a crystal plane.
(FR)L'invention porte sur un substrat monocristallin de nitrure du groupe III à base d'Al autoportant. Un substrat de base est fourni. Le substrat de base est formé d'un monocristal d'une matière inorganique, par exemple le saphir, qui n'est pas décomposée de façon substantielle à 800 °C dans un gaz inerte et qui, lors du contact avec un gaz réducteur tel que l'hydrogène gazeux à 800 à 1600 °C, est décomposée pour produire une matière volatile. Une couche de film mince d'un monocristal de nitrure du groupe III à base d'Al ayant une épaisseur de 3 à 200 nm est formée sur le substrat de base. Par la suite, le substrat stratifié est traité thermiquement à 800 à 1600 °C dans une atmosphère de gaz réducteur contenant un gaz ammoniac pour former des vides à l'interface du substrat de base et de la couche de film mince du monocristal de nitrure de groupe III à base d'Al dans le substrat stratifié. Ensuite, un film mince d'un monocristal de nitrure du groupe III est formé sur la couche de film mince du monocristal de nitrure du groupe III à base d'Al, en faisant suivre par une séparation du film formé. Ainsi, un substrat monocristallin de nitrure du groupe III à base d'Al autoportant est fourni qui est un substrat autoportant d'un monocristal d'un nitrure du groupe III tel qu'AlN qui est approprié pour être utilisé dans la formation d'éléments à semi-conducteur tels que des éléments électroluminescents ultraviolets et qui a un grand rayon de courbure dans un plan cristallin.
(JA) サファイアなどの不活性ガス中800°Cにおいて実質的に分解しない無機物質であって、800~1600°Cで水素ガスなどの還元性ガスと接触することにより分解して揮発性物質を生成する無機物質の単結晶からなるベース基板上に、厚さ3~200nmのAl系III族窒化物単結晶薄膜層を形成した後に、アンモニアガスを含む還元性ガス雰囲気中800~1600°Cで加熱処理することにより、得られた積層基板のベース基板とAl系III族窒化物単結晶薄膜層との界面に空隙を形成し、次いで上記Al系III族窒化物単結晶薄膜層上にIII族窒化物単結晶厚膜を形成し、これを分離することにより自立基板を得ることで、紫外発光素子などの半導体素子を形成するために好適に使用できるAlNなどのIII族窒化物単結晶自立基板であって、結晶面の曲率半径が大きなAl系III族窒化物単結晶自立基板を提供する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)