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1. (WO2009090851) 圧力センサ及びその製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2009/090851    国際出願番号:    PCT/JP2008/073871
国際公開日: 23.07.2009 国際出願日: 27.12.2008
IPC:
G01L 9/00 (2006.01), G01L 19/00 (2006.01), G01L 19/06 (2006.01), H01L 29/84 (2006.01)
出願人: ALPS ELECTRIC CO., LTD. [JP/JP]; 1-7, Yukigaya-otsukamachi, Ota-ku, Tokyo 1458501 (JP) (米国を除く全ての指定国).
KUBO, Masahiro [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
KIKUIRI, Katsuya [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
FUKUDA, Tetsuya [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: KUBO, Masahiro; (JP).
KIKUIRI, Katsuya; (JP).
FUKUDA, Tetsuya; (JP)
代理人: NOZAKI, Teruo; Oak Ikebukuro Building 3F 1-21-11 Higashi-Ikebukuro Toshima-ku, Tokyo 170-0013 (JP)
優先権情報:
2008-007117 16.01.2008 JP
発明の名称: (EN) PRESSURE SENSOR AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
(FR) CAPTEUR DE PRESSION ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 圧力センサ及びその製造方法
要約: front page image
(EN)Provided are a pressure sensor having better ability of preventing entry of water and dust into a cavity than conventional products and a method of manufacturing the pressure sensor. The pressure sensor has the cavity (7) formed in a lower silicon substrate (4), a diaphragm (8) formed by an SiO2 film (5) and an upper silicon substrate (6) that are located above the cavity, a base substrate (2) joined to the lower silicon substrate (4), and a pressure introduction hole (20) formed in a base substrate (2). The maximum opening width (T1) of the pressure introduction hole (20) is smaller than the height (T2) of the cavity (7). The base substrate (2) has a water repelling film which is formed only on a side wall surface (20a) of the pressure introduction hole (20).
(FR)La présente invention a pour objet un capteur de pression ayant une meilleure capacité à empêcher la pénétration d'eau et de poussière dans une cavité que des produits classiques et un procédé de fabrication du capteur de pression. Le capteur de pression comporte une cavité (7) formée dans un substrat de silicium inférieur (4), un diaphragme (8) formé par un film de SiO2 (5) et un substrat de silicium supérieur (6), ces éléments étant situés au-dessus de la cavité, un substrat de base (2) assemblé au substrat de silicium inférieur (4) et un trou d'introduction de pression (20) formé dans un substrat de base (2). La largeur d'ouverture maximale (T1) du trou d'introduction de pression (20) est plus petite que la hauteur (T2) de la cavité (7). Le substrat de base (2) possède un film hydrofuge qui est formé seulement sur une surface de paroi latérale (20a) du trou d'introduction de pression (20).
(JA)【課題】 特に、従来に比べて、キャビティ内に水や塵埃の侵入を防止できる圧力センサ及びその製造方法を提供することを目的としている。 【解決手段】 下側シリコン基板4に形成されるキャビティ7と、キャビティ上に位置するSiO2膜5及び上側シリコン基板6に形成されるダイアフラム8と、下側シリコン基板4に接合されるベース基板2と、ベース基板2に形成される圧力導入孔20とを有する。圧力導入孔20の最大開口幅T1は、キャビティ7の高さ寸法T2よりも小さく、ベース基板2に対して圧力導入孔20の側壁面20aにのみ撥水膜が形成されている。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)