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1. (WO2009090840) 窒化ガリウムの結晶成長方法および窒化ガリウム基板の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2009/090840    国際出願番号:    PCT/JP2008/073432
国際公開日: 23.07.2009 国際出願日: 24.12.2008
IPC:
C30B 29/38 (2006.01), C30B 25/16 (2006.01)
出願人: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. [JP/JP]; 5-33, Kitahama 4-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410041 (JP) (米国を除く全ての指定国).
TAKEYAMA, Tomoharu [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: TAKEYAMA, Tomoharu; (JP)
代理人: FUKAMI, Hisao; Fukami Patent Office Nakanoshima Central Tower 22nd Floor, 2-7, Nakanoshima 2-chome, Kita-ku, Osaka-shi Osaka 5300005 (JP)
優先権情報:
2008-009349 18.01.2008 JP
発明の名称: (EN) METHOD FOR GROWING GALLIUM NITRIDE CRYSTAL AND METHOD FOR PRODUCING GALLIUM NITRIDE SUBSTRATE
(FR) PROCÉDÉ DE CROISSANCE DE CRISTAUX DE NITRURE DE GALLIUM ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UN SUBSTRAT EN NITRURE DE GALLIUM
(JA) 窒化ガリウムの結晶成長方法および窒化ガリウム基板の製造方法
要約: front page image
(EN)Disclosed is a method for growing gallium nitride crystals, which comprises the following steps. A step wherein a base substrate is prepared (Step S1). A step wherein a first gallium nitride layer is grown on the base substrate (Step S2). A step wherein a second gallium nitride layer which is less brittle than the first gallium nitride layer is grown (Step S3).
(FR)Cette invention concerne un procédé de croissance de cristaux de nitrure de gallium, comprenant les étapes suivantes : préparation d'un substrat de base (étape S1) ; croissance d'une première couche de nitrure de gallium sur le substrat de base (étape S2) ; croissance d'une seconde couche de nitrure de gallium qui est moins friable que la première couche de nitrure de gallium (étape S3).
(JA) 窒化ガリウムの結晶成長方法は、以下の工程が実施される。まず、下地基板が準備される(ステップS1)。そして、下地基板上に、第1の窒化ガリウム層が成長される(ステップS2)。そして、第1の窒化ガリウム層よりも脆性の低い第2の窒化ガリウム層が成長される(ステップS3)。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)