WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | Français | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

国際・国内特許データベース検索
World Intellectual Property Organization
検索
 
閲覧
 
翻訳
 
オプション
 
最新情報
 
ログイン
 
ヘルプ
 
自動翻訳
1. (WO2009090831) 窒化アルミニウム結晶の成長方法、窒化アルミニウム結晶の製造方法および窒化アルミニウム結晶
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2009/090831    国際出願番号:    PCT/JP2008/073161
国際公開日: 23.07.2009 国際出願日: 19.12.2008
IPC:
C30B 29/38 (2006.01), C30B 23/02 (2006.01), H01L 21/203 (2006.01)
出願人: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. [JP/JP]; 5-33 Kitahama 4-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410041 (JP) (米国を除く全ての指定国).
TANIZAKI, Keisuke [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
MIZUHARA, Naho [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
MIYANAGA, Michimasa [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
NAKAHATA, Hideaki [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
YAMAMOTO, Yoshiyuki [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: TANIZAKI, Keisuke; (JP).
MIZUHARA, Naho; (JP).
MIYANAGA, Michimasa; (JP).
NAKAHATA, Hideaki; (JP).
YAMAMOTO, Yoshiyuki; (JP)
代理人: NAKANO, Minoru; c/o Sumitomo Electric Industries, Ltd. 1-3 Shimaya 1-chome Konohana-ku, Osaka-shi Osaka 554-0024 (JP)
優先権情報:
2008-005544 15.01.2008 JP
2008-283425 04.11.2008 JP
発明の名称: (EN) METHOD FOR GROWING ALUMINUM NITRIDE CRYSTAL, PROCESS FOR PRODUCING ALUMINUM NITRIDE CRYSTAL, AND ALUMINUM NITRIDE CRYSTAL
(FR) PROCÉDÉ DESTINÉ À FAIRE CROÎTRE UN CRISTAL DE NITRURE D'ALUMINIUM, PROCÉDÉ DE FABRICATION DU CRISTAL DE NITRURE D'ALUMINIUM ET CRISTAL DE NITRURE D'ALUMINIUM
(JA) 窒化アルミニウム結晶の成長方法、窒化アルミニウム結晶の製造方法および窒化アルミニウム結晶
要約: front page image
(EN)Disclosed are a method for growing an aluminum nitride crystal, which, in growing an aluminum nitride crystal, can prevent the sublimation of a base substrate and can grow an aluminum nitride crystal having good crystallinity at an improved growth rate, a process for producing an aluminum nitride crystal, and an aluminum nitride crystal. The method for growing an aluminum nitride crystal (20) comprises the following steps. At the outset, a laminated substrate (10) comprising a base substrate (11) having a main surface (11a) and a back surface (11b), a first layer (12) provided on the back surface (11b), and a second layer (13) provided on the first layer (12) is provided. An aluminum nitride crystal (20) is grown on the main surface (11a) of the base substrate (11) by a vapor growth method. The first layer (12) is formed of a material having a lower level of sublimability than the base substrate (11) at a growth temperature of the aluminum nitride crystal (20). The second layer (13) is formed of a material having a higher level of thermal conductivity than the first layer (12).
(FR)L'invention porte sur un procédé destiné à faire croître un cristal de nitrure d'aluminium. Lors de la croissance d'un cristal de nitrure d'aluminium, le procédé permet d'empêcher la sublimation d'un substrat de base et peut faire croître un cristal de nitrure d'aluminium pourvu d'une bonne cristallinité à une vitesse de croissance améliorée. L'invention porte également sur un procédé de fabrication d'un cristal de nitrure d'aluminium et sur un cristal de nitrure d'aluminium. Le procédé consiste à fournir tout d'abord un substrat stratifié (10) présentant un substrat de base (11) pourvue d'une surface principale (11a) et d'une surface de support (11b), une première couche (12) disposée sur la surface de support (11b) et une seconde couche (13) disposée sur la première couche (12) ; à amener un cristal de nitrure d'aluminium (10) à croître sur la surface principale (11a) du substrat de base (11) par un procédé de croissance en phase vapeur ; à former la première couche (12) d'une matière dont le niveau d'aptitude à la sublimation est inférieure à celui du substrat de base (11) à une température de croissance du cristal de nitrure d'aluminium (20) ; à former la seconde couche (13) d'une matière dont le niveau de conductivité thermique est supérieur à celui de la première couche (12).
(JA)窒化アルミニウム結晶を成長させる際に下地基板が昇華されることを防止して、結晶性の良好な窒化アルミニウム結晶を成長速度を向上して成長させる、窒化アルミニウム結晶の成長方法、窒化アルミニウム結晶の製造方法および窒化アルミニウム結晶を提供する。 窒化アルミニウム結晶20の成長方法は、以下の工程が実施される。まず、主表面11aと裏面11bとを有する下地基板11と、裏面11bに形成された第1の層12と、第1の層12に形成された第2の層13とを備えた積層基板10が準備される。 そして、下地基板11の主表面11a上に窒化アルミニウム結晶20が気相成長法により成長される。第1の層11aは、窒化アルミニウム結晶20の成長温度において下地基板11よりも昇華しにくい材質よりなる。第2の層12は、第1の層11の熱伝導率よりも高い材質よりなる。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)