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1. (WO2009088084) 半導体発光装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2009/088084    国際出願番号:    PCT/JP2009/050249
国際公開日: 16.07.2009 国際出願日: 09.01.2009
IPC:
H01L 33/20 (2010.01), H01L 33/38 (2010.01), H01L 33/08 (2010.01)
出願人: ROHM CO., LTD. [JP/JP]; 21, Saiin Mizosaki-cho, Ukyo-ku, Kyoto-shi, Kyoto, 6158585 (JP) (米国を除く全ての指定国).
SHAKUDA, Yukio [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: SHAKUDA, Yukio; (JP)
代理人: MIYOSHI, Hidekazu; Toranomon Kotohira Tower, 2-8, Toranomon 1-chome, Minato-ku Tokyo, 1050001 (JP)
優先権情報:
2008-004292 11.01.2008 JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE
(FR) DISPOSITIF ÉMETTANT DE LA LUMIÈRE SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体発光装置
要約: front page image
(EN)Disclosed is a semiconductor light emitting device wherein many hexagonally-shaped semiconductor light emitting elements are two-dimensionally formed, and a positive electrode and a negative electrode are formed on the side of a light extraction surface so that light extraction efficiency does not deteriorate. A mask (11) for selective growth is formed on a substrate (1) for growth, and an AlN buffer layer (2) is formed on a region from which a part of the mask (11) is removed. On the AlN buffer layer (2), an undoped GaN layer (3), an n-type GaN layer (4), an active layer (5), a p-type GaN layer (6) are sequentially laminated, and an isolation groove (A) is formed for isolating the elements from each other. A p-electrode (8) and an n-electrode (7) of each semiconductor light emitting element (D) are formed on the side of the hexagonally-shaped light extraction surface, and the p-electrodes or the n-electrodes of the adjacent semiconductor light emitting elements are arranged adjacent to each other with the isolating groove (A) in between.
(FR)L'invention porte sur un dispositif émettant de la lumière semi-conducteur, dans lequel de nombreux éléments émettant de la lumière semi-conducteurs en forme d'hexagone sont formés de manière bidimensionnelle, et une électrode positive et une électrode négative sont formées sur le côté d'une surface d'extraction de lumière, de telle sorte qu'un rendement d'extraction de lumière ne se détériore pas. Un masque (11) pour une croissance sélective est formé sur un substrat (1) pour une croissance, et une couche de tampon AlN (2) est formée sur une région à partir de laquelle une partie du masque (11) est retirée. Sur la couche de tampon AlN (2), une couche GaN non dopée (3), une couche GaN de type n, une couche active (5), une couche GaN de type p (6) sont stratifiées de façon séquentielle, et une rainure d'isolation (A) est formée pour isoler les éléments les uns des autres. Une électrode p (8) et une électrode n (7) de chaque élément émettant de la lumière semi-conducteur (D) sont formées sur le côté de la surface d'extraction de lumière de forme hexagonale, et les électrodes p ou les électrodes n des éléments émettant de la lumière semi-conducteurs adjacents sont agencées adjacentes les unes aux autres avec une rainure isolante (A) entre elles.
(JA) 六角形状に形成された半導体発光素子が2次元状に多数形成された半導体発光装置で、光の取り出し効率が低下しないように、光の取り出し面側に正電極及び負電極を形成した半導体発光装置を提供する。  成長用基板1上に選択成長用マスク11が形成され、選択成長用マスク11の一部が除去された領域にAlNバッファ層2が形成される。AlNバッファ層2上には、アンドープGaN層3、n型GaN層4、活性層5、p型GaN層6が順に積層され、素子間を分離する分離溝Aが形成される。各半導体発光素子Dのp電極8及びn電極7が六角形状の光の取り出し面側に形成され、隣接する半導体発光素子のp電極同士又はn電極同士は、分離溝Aを挟んで隣接するように配置される。  
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)