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1. (WO2009088081) 半導体装置及びその製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2009/088081    国際出願番号:    PCT/JP2009/050244
国際公開日: 16.07.2009 国際出願日: 09.01.2009
IPC:
H01L 29/47 (2006.01), H01L 29/872 (2006.01)
出願人: ROHM CO., LTD. [JP/JP]; 21, Saiin Mizosaki-cho, Ukyo-ku, Kyoto-shi, Kyoto, 6158585 (JP) (米国を除く全ての指定国).
KIRIYAMA, Tatsuya [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
KAWAMOTO, Noriaki [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: KIRIYAMA, Tatsuya; (JP).
KAWAMOTO, Noriaki; (JP)
代理人: MIYOSHI, Hidekazu; Toranomon Kotohira Tower, 2-8, Toranomon 1-chome, Minato-ku Tokyo, 1050001 (JP)
優先権情報:
2008-002004 09.01.2008 JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 半導体装置及びその製造方法
要約: front page image
(EN)A semiconductor device is provided with a semiconductor substrate (10), which is composed of silicon carbide (SiC) or gallium nitride (GaN) and provided with a defective region (11) including a crystal defect; a first insulating film (25) arranged on the semiconductor substrate (10) by covering the defective region (11); and a conductor film (30) electrically connected to a main surface of the semiconductor substrate (10) exposed from a region not covered with the first insulating film (25).
(FR)L'invention porte sur un dispositif à semi-conducteurs, qui comporte un substrat semi-conducteur (10), qui est composé de carbure de silicium (SiC) ou de nitrure de gallium (GaN), et qui comporte une région défectueuse (11) comprenant un défaut cristallin ; un premier film isolant (25) agencé sur le substrat semi-conducteur (10) par recouvrement de la région défectueuse (11) ; et un film conducteur (30) connecté électriquement à une surface principale du substrat semi-conducteur (10) exposée à partir d'une région non recouverte par le premier film isolant (25).
(JA) シリコンカーバイト(SiC)又は窒化ガリウム(GaN)からなり、結晶欠陥を含む欠陥領域(11)を有する半導体基板(10)と、欠陥領域(11)を被覆して半導体基板(10)上に配置された第1絶縁膜(25)と、第1絶縁膜(25)に被覆されない領域に露出する半導体基板(10)の主面と電気的に接続する導電体膜(30)とを備える。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)