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1. (WO2009087846) 半導体装置の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2009/087846    国際出願番号:    PCT/JP2008/072306
国際公開日: 16.07.2009 国際出願日: 09.12.2008
IPC:
H01L 21/027 (2006.01)
出願人: Renesas Electronics Corporation [JP/JP]; 1753, Shimonumabe, Nakahara-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 2118668 (JP) (米国を除く全ての指定国).
TANAKA, Toshihiko [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: TANAKA, Toshihiko; (JP)
代理人: TANAKA, Mitsuo; AOYAMA & PARTNERS, IMP Building 3-7, Shiromi 1-chome Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5400001 (JP)
優先権情報:
2008-002041 09.01.2008 JP
発明の名称: (EN) METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置の製造方法
要約: front page image
(EN)By combining a negative exposure mask of a wiring pattern with a positive resist, a reverse pattern is formed first and then a positive wiring pattern is formed by using the reverse pattern. Namely, a positive resist (107) applied over a semiconductor substrate (101) is pattern-exposed by using an exposure mask (108) having an opening in a region corresponding to the wiring pattern, and then a resist pattern (107a) is formed by removing the exposed portions through development and a wiring pattern (104a) is formed in a region corresponding to the opening of the resist pattern (107a). By this procedure, influence of a flare, which occurs during mask exposure, can be reduced, thereby forming a fine wiring pattern with high exposure tolerance.
(FR)Selon l'invention, grâce à la combinaison d'un masque d'exposition négative d'un motif de câblage avec une réserve positive, un motif inverse est d'abord formé, puis un motif de câblage positif est formé par l'utilisation du motif inverse. Plus précisément, une réserve positive (107) appliquée sur un substrat semi-conducteur (101) est exposée en motif par l'utilisation d'un masque d'exposition (108) ayant une ouverture dans une région correspondant au motif de câblage, puis un motif de réserve (107a) est formé en éliminant les parties exposées par l'intermédiaire du développement et un motif de câblage (104a) est formé dans une région correspondant à l'ouverture du motif de la réserve (107a). Par cette méthode, l'influence d'une lumière parasite, qui apparaît durant une exposition avec masque, peut être réduite, formant ainsi un motif de câblage fin avec une haute tolérance d'exposition.
(JA) 配線パターンのネガ露光マスクとポジレジストの組合せにより、いったん反転パターンを作成し、その反転パターンを利用してポジ配線パターンを形成している。即ち、配線パターンに対応した領域に開口部を有する露光マスク108を用いて、半導体基板101の上に塗布されたポジレジスト107をパターン露光し、続いて、現像により露光部分を除去してレジストパターン107aを形成し、レジストパターン107aの開口部に対応する領域に、配線パターン104aを形成する。  こうした手法によって、マスク露光時に発生するフレアの影響を低減でき、微細な配線パターンを高い露光裕度で作成できる。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)