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1. (WO2009087724) 単結晶製造装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2009/087724    国際出願番号:    PCT/JP2008/003829
国際公開日: 16.07.2009 国際出願日: 18.12.2008
IPC:
C30B 15/00 (2006.01), C30B 29/06 (2006.01)
出願人: Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. [JP/JP]; 6-2, Ohtemachi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo, 1000004 (JP) (米国を除く全ての指定国).
HOSHI, Ryoji [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
TAKANO, Kiyotaka [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: HOSHI, Ryoji; (JP).
TAKANO, Kiyotaka; (JP)
代理人: YOSHIMIYA, Mikio; 1st Shitaya Bldg. 8F, 6-11, Ueno 7-chome, Taito-ku, Tokyo, 1100005 (JP)
優先権情報:
2008-003164 10.01.2008 JP
発明の名称: (EN) SINGLE CRYSTAL PRODUCING DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE PRODUCTION D'UN MONOCRISTAL
(JA) 単結晶製造装置
要約: front page image
(EN)A single crystal producing device, which grows a single crystal by a Czochralski method, comprising a main chamber for housing at least a material melt-containing crucible and a heater for heating the material melt, a pulling chamber continuously provided to the upper portion of the main chamber, for housing a grown single crystal after being pulled up, and a cooling cylinder that extends from at least the ceiling portion of the main chamber toward the surface of the material melt so as to surround the single crystal being pulled and is forcibly cooled by a cooling medium, characterized in that the device comprises at least an auxiliary cooling cylinder to be fitted in the inner side of the cooling cylinder, and the auxiliary cooling cylinder has a slit penetrating in the axial direction and extends toward the surface of the material melt, whereby the growing speed of the single crystal can be increased by cooling efficiently the single crystal being grown.
(FR)L'invention porte sur un dispositif de production d'un monocristal qui permet la croissance d'un monocristal par une méthode de Czochralski. Ce dispositif comprend une chambre principale destinée à recevoir au moins un creuset contenant une masse fondue de matière et un dispositif de chauffage pour chauffer la masse fondue de matière, une chambre de tirage disposée en continu sur la partie supérieure de la chambre principale, destinée à recevoir un monocristal qui s'est développé après avoir été tiré, et un cylindre de refroidissement qui s'étend à partir d'au moins la partie supérieure de la chambre principale vers la surface de la masse fondue de matière de façon à entourer le monocristal qui est en train d'être tiré et est refroidi de façon forcée par un milieu de refroidissement, caractérisé par le fait que le dispositif comprend au moins un cylindre de refroidissement auxiliaire devant s'adapter dans le côté interne du cylindre de refroidissement et que le cylindre de refroidissement auxiliaire a une fente pénétrant dans la direction axiale et s'étend vers la surface de la masse fondue de matière, ce par quoi la vitesse de croissance du monocristal peut être augmentée par refroidissement efficace du monocristal en cours de croissance.
(JA) 本発明は、少なくとも、原料融液を収容するルツボ及び前記原料融液を加熱するヒータを格納するメインチャンバと、該メインチャンバの上部に連設され、成長した単結晶が引き上げられて収容される引上げチャンバと、前記引上げ中の単結晶を取り囲むように前記メインチャンバの少なくとも天井部から原料融液表面に向かって延伸し、冷却媒体で強制冷却される冷却筒を有したチョクラルスキー法によって単結晶を育成する単結晶製造装置であって、少なくとも、前記冷却筒の内側に嵌合される冷却補助筒を有し、該冷却補助筒は軸方向に貫く切れ目を有し、前記原料融液表面に向かって延伸しているものであることを特徴とする単結晶製造装置である。これにより、育成中の単結晶を効率良く冷却することによって、単結晶の成長速度の高速化を図ることができる単結晶製造装置が提供される。  
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)