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World Intellectual Property Organization
1. (WO2009087708) 光起電力素子およびその製造方法

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2009/087708    国際出願番号:    PCT/JP2008/002862
国際公開日: 16.07.2009 国際出願日: 10.10.2008
H01L 31/04 (2006.01), C23C 16/24 (2006.01)
出願人: NISSIN ELECTRIC CO., LTD. [JP/JP]; 47, Umezu Takase-cho, Ukyo-ku, Kyoto-shi, Kyoto, 6158686 (JP) (米国を除く全ての指定国).
DEGUCHI, Hiroshige [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
AZUMA, Daisuke [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
HAYASHI, Tsukasa [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
OGATA, Kiyoshi [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: DEGUCHI, Hiroshige; (JP).
AZUMA, Daisuke; (JP).
HAYASHI, Tsukasa; (JP).
OGATA, Kiyoshi; (JP)
代理人: MATSUYAMA, Takao; Intelix International, Aqua Dojima West 4-16, Dojimahama 1-chome, Kita-ku Osaka-shi, Osaka 5300004 (JP)
2008-004386 11.01.2008 JP
(JA) 光起電力素子およびその製造方法
要約: front page image
(EN)Provided is a photoelectromotive element (10), which is constituted by laminating a p-layer (3), an i-layer (4), an n-layer (5) and an electrode (6) sequentially over an insulating substrate (1) having a transparent conductive film (2) formed thereon. The p-layer (3) is made of p-type a-Si:H, and the n-layer (5) is made of n-type a-Si:H. The i-layer (4) is formed of a plurality of amorphous thin films (41) and a plurality of crystal thin films (42). The amorphous thin films (41) and the crystal thin films (42) are so laminated in the direction substantially perpendicular to the insulating substrate (1) that the amorphous thin films (41) and the crystal thin films (42) may contact each other. The amorphous thin films (41) are made of i-type a-Si:H, and contain crystal particles (411) of a nano size and a light absorbing agent (412) for absorbing a light. The crystal thin films (42) are made of i-type poly-Si. The i-layer (4) has a film thickness of 300 nm to 1,000 nm, and the amorphous thin films (41) and the crystal thin films (42) have a film thickness of 10 nm to 20 nm individually.
(FR)L'invention concerne un élément photoélectromoteur (10) obtenu par laminage d'une couche p (3), d'une couche i (4), d'une couche n (5) et d'une électrode (6) de manière séquentielle sur un substrat isolant (1) sur lequel est formé un film conducteur transparent (2). La couche p (3) est faite de a-Si:H de type p et la couche n (5) est faite de a-Si:H de type n. La couche i (4) est formée d'une pluralité de films minces amorphes (41) et d'une pluralité de films minces cristallins (42). Les films minces amorphes (41) et les films minces cristallins (42) sont laminés dans la direction sensiblement perpendiculaire au substrat isolant (1) de manière que les films minces amorphes (41) et les films minces cristallins (42) puissent venir en contact les uns avec les autres. Les films minces amorphes (41) sont faits de a-Si:H de type i et contiennent des nanoparticules cristallines et un agent d'absorption de la lumière (412). Les films minces cristallins (42) sont faits de poly-Si de type i. La couche i (4) présente une épaisseur de film de 300 nm à 1 000 nm, et les films minces amorphes (41) et les films minces cristallins (42) présentent une épaisseur de film individuelle de 10 nm à 20 nm.
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)