WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | Français | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

国際・国内特許データベース検索
World Intellectual Property Organization
検索
 
閲覧
 
翻訳
 
オプション
 
最新情報
 
ログイン
 
ヘルプ
 
自動翻訳
1. (WO2009084537) a-IGZO酸化物薄膜の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2009/084537    国際出願番号:    PCT/JP2008/073439
国際公開日: 09.07.2009 国際出願日: 24.12.2008
予備審査請求日:    22.06.2009    
IPC:
C23C 14/08 (2006.01), C04B 35/00 (2006.01), C23C 14/34 (2006.01), G02F 1/1368 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 21/363 (2006.01), H01L 29/786 (2006.01)
出願人: Nippon Mining & Metals Co., Ltd. [JP/JP]; 10-1, Toranomon 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1050001 (JP) (米国を除く全ての指定国).
IKUSAWA, Masakatsu [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
YAHAGI, Masataka [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: IKUSAWA, Masakatsu; (JP).
YAHAGI, Masataka; (JP)
代理人: AXIS Patent Internationl; Yushi Kogyo Kaikan 13-11, Nihonbashi 3-chome Chuo-ku, Tokyo 1030027 (JP)
優先権情報:
2007-336398 27.12.2007 JP
発明の名称: (EN) PROCESS FOR PRODUCING THIN FILM OF A-IGZO OXIDE
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UNE COUCHE MINCE D'UN OXYDE AMORPHE D'INDIUM-GALLIUM-ZINC (A-IGZO)
(JA) a-IGZO酸化物薄膜の製造方法
要約: front page image
(EN)Disclosed is a process for producing a thin film of an a-IGZO oxide that, in a sputtering method, can bring the carrier concentration of the film to a predetermined value with good reproducibility. The process is a process for producing a thin film of an amorphous In-Ga-Zn-O-based oxide and comprises forming a film on a substrate by direct current sputtering at a sputter power density of 2.5 to 5.5 W/cm2 using a sputtering target of an oxide sintered compact that is composed mainly of indium (In), gallium (Ga), zinc (Zn), and oxygen (O), has an atomic ratio of indium to the total amount of indium and gallium, i.e., [In]/([In] + [Ga]), of 20% to 80%, an atomic ratio of zinc to the total amount of indium, gallium, and zinc, i.e., [Zn]/([In] + [Ga] + [Zn]), of 10% to 50%, and has a specific resistance of not more than 1.0 × 10-1 Ωcm.
(FR)La présente invention concerne un procédé de production d'une couche mince d'un oxyde d'a-IGZO qui, dans un procédé de pulvérisation cathodique, peut amener la concentration en charge de la couche à une valeur prédéterminée avec une bonne reproductibilité. Le procédé permet la production d'une couche mince d'un oxyde amorphe à base de In-Ga-Zn-O et comprend la formation d'un film sur un substrat par pulvérisation cathodique sous courant continu à une densité de puissance de pulvérisation cathodique de 2,5 à 5,5 W/cm2 à l'aide d'une cible de pulvérisation cathodique d'une briquette frittée d'oxyde qui est principalement composée d'indium (In), de gallium (Ga), de zinc (Zn) et d'oxygène (O), qui présente un rapport atomique de l'indium à la quantité totale d'indium et de gallium, à savoir, [In]/([In] + [Ga]), de 20 % à 80 %, un rapport atomique du zinc à la quantité totale d'indium, de gallium et de zinc, à savoir, [Zn]/([In] + [Ga] + [Zn]), de 10 % à 50 % et présente une résistance spécifique n'étant pas supérieure à 1,0 × 10-1 Ωcm.
(JA)スパッタリング法において、膜キャリア濃度を再現性良く所定の値とすることができるようなa-IGZO酸化物薄膜の製造方法を提供する。主としてインジウム(In)、ガリウム(Ga)、亜鉛(Zn)及び酸素(O)を構成元素とし、インジウムとガリウムの合量に対するインジウムの原子数比[In]/([In]+[Ga])が20%~80%、インジウムとガリウムと亜鉛の合量に対する亜鉛の原子数比[Zn]/([In]+[Ga]+[Zn])が10%~50%であり、比抵抗が1.0×10-1Ωcm以下である酸化物焼結体をスパッタリングターゲットとして用いて、スパッタパワー密度を2.5~5.5W/cm2として基板上に直流スパッタ成膜することを含む非晶質In-Ga-Zn-O系酸化物薄膜の製造方法である。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)