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1. (WO2009084445) ドライエッチング方法、磁気抵抗効果素子とその製造方法及び製造装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2009/084445    国際出願番号:    PCT/JP2008/073045
国際公開日: 09.07.2009 国際出願日: 18.12.2008
予備審査請求日:    19.10.2009    
IPC:
H01L 43/12 (2006.01), C23C 14/14 (2006.01), C23F 4/00 (2006.01), G11B 5/39 (2006.01), H01L 21/3065 (2006.01), H01L 43/08 (2006.01)
出願人: CANON ANELVA CORPORATION [JP/JP]; 2-5-1, Kurigi, Asao-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 2158550 (JP) (米国を除く全ての指定国).
OSADA, Tomoaki [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
MATSUI, Naoko [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
KODAIRA, Yoshimitsu [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
TSUNEKAWA, Koji [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: OSADA, Tomoaki; (JP).
MATSUI, Naoko; (JP).
KODAIRA, Yoshimitsu; (JP).
TSUNEKAWA, Koji; (JP)
代理人: WATANABE, Keisuke; 6th Floor, Mitsui Sumitomo Ginko Okachimachi Bld., 11-4 Taito 4-chome, Taito-ku Tokyo 1100016 (JP)
優先権情報:
2007-335702 27.12.2007 JP
発明の名称: (EN) DRY ETCHING METHOD, MAGNETORESISTIVE ELEMENT, AND METHOD AND APPARATUS FOR MANUFACTURING THE SAME
(FR) PROCÉDÉ DE GRAVURE À SEC, ÉLÉMENT MAGNÉTORÉSISTIF ET PROCÉDÉ ET APPAREIL POUR LA FABRICATION DE CELUI-CI
(JA) ドライエッチング方法、磁気抵抗効果素子とその製造方法及び製造装置
要約: front page image
(EN)Disclosed is a method for manufacturing a magnetoresistive element having a multilayer film including a magnetic layer, wherein separation of TaOx formed on a Ta mask surface is prevented during etching of the multilayer film using an etching gas containing oxygen atoms. Specifically, the gas pressure of Ar is set at 0.1-0.4 Pa when a Ta mask, which is used for dry-etching a multilayer film including a magnetic layer with an etching gas containing oxygen atoms, is formed by sputtering.
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication d'un élément magnétorésistif qui comporte un film multicouche qui comprend une couche magnétique, la séparation du TaOx formé sur une surface de masque de Ta étant empêchée pendant la gravure du film multicouche en utilisant un gaz de gravure qui contient des atomes d'oxygène. Plus particulièrement, la pression gazeuse de l'Ar est réglée à 0,1 à 0,4 Pa quand un masque de Ta qui est utilisé pour la gravure à sec d'un film multicouche, lequel comprend une couche magnétique avec un gaz de gravure qui contient des atomes d'oxygène, est formé par pulvérisation.
(JA) 磁性層を含む多層膜を有する磁気抵抗効果素子の製造方法において、酸素原子を含むエッチングガスを用いた上記多層膜のエッチングの際にTaマスク表面に生成したTaOxの剥離を防止する。  磁性層を含む多層膜を酸素原子を含むエッチングガスでドライエッチングする際に用いるTaマスクの、スパッタリングによる成膜時のArのガス圧力を0.1乃至0.4Paに設定する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)