WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | Français | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

国際・国内特許データベース検索
World Intellectual Property Organization
検索
 
閲覧
 
翻訳
 
オプション
 
最新情報
 
ログイン
 
ヘルプ
 
自動翻訳
1. (WO2009084431) 半導体材料、半導体材料の製造方法及び半導体素子
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2009/084431    国際出願番号:    PCT/JP2008/072911
国際公開日: 09.07.2009 国際出願日: 17.12.2008
IPC:
H01L 29/06 (2006.01), C23C 16/34 (2006.01), H01L 21/205 (2006.01), H01L 29/15 (2006.01), H01L 29/26 (2006.01)
出願人: DOWA Electronics Materials Co., Ltd. [JP/JP]; 4-14-1, Sotokanda, Chiyoda-ku, Tokyo 1010021 (JP) (米国を除く全ての指定国).
NATIONAL UNIVERSITY CORPORATION NAGOYA INSTITUTE OF TECHNOLOGY [JP/JP]; 29, Aza Kiichi, Gokiso-cho, Showa-ku, Nagoya-shi, Aichi 4668555 (JP) (米国を除く全ての指定国).
SAKAMOTO, Ryo [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
SHIMIZU, Jo [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
ITO, Tsuneo [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
EGAWA, Takashi [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: SAKAMOTO, Ryo; (JP).
SHIMIZU, Jo; (JP).
ITO, Tsuneo; (JP).
EGAWA, Takashi; (JP)
代理人: SUGIMURA, Kenji; 36F, Kasumigaseki Common Gate West 3-2-1, Kasumigaseki Chiyoda-ku, Tokyo 1000013 (JP)
優先権情報:
2007-337167 27.12.2007 JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR MATERIAL, METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR MATERIAL, AND SEMICONDUCTOR ELEMENT
(FR) MATÉRIAU SEMI-CONDUCTEUR, PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN MATÉRIAU SEMI-CONDUCTEUR, ET ÉLÉMENT SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体材料、半導体材料の製造方法及び半導体素子
要約: front page image
(EN)On a Si substrate (10) or on an intermediate layer (20) formed thereon, a composition graded layer (30) is formed. The composition graded layer is composed of AlXGa1-XN wherein the composition is graded so that an Al content ratio in the composition is graded continuously or discontinuously in a crystal growth direction. On the composition graded layer (30), a superlattice composite layer (40) wherein high Al content layers (41) composed of AlYGa1-YN and low Al content layers (42) composed of AlZGa1-ZN are alternately laminated is formed, and on the superlattice composite layer (40), a nitride semiconductor layer (50) is formed.
(FR)Selon l'invention, sur un substrat de Si (10) ou sur une couche intermédiaire (20) appliquée sur celui-ci est formée une couche à gradient de composition (30). La couche à gradient de composition est composée d'AlXGa1-XN et le gradient de composition est tel que le rapport de teneur en Al dans la composition présente un gradient continu ou discontinu dans une direction de croissance du cristal. Sur la couche à gradient de composition (30) est formée une couche composite en réseau superposé (40) dans laquelle des couches à forte teneur en Al (41) composées d'AlYGa1-YN et des couches à faible teneur en Al (42) composées d'AlZGa1-ZN sont stratifiées en alternance, et sur la couche composite en réseau superposé (40) est formée une couche semi-conductrice au nitrure (50).
(JA) Si基板10上又はこの上に形成した中間層20上に、AlXGa1-XNの組成からなり、該組成中のAl含有比が結晶成長方向に連続又は不連続に減少するように組成を傾斜させた組成傾斜層30を形成し、該組成傾斜層30の上に、AlYGa1-YNの組成からなるからなる高Al含有層41とAlZGa1-ZNの組成からなる低Al含有層42とを交互に積層してなる超格子複合層40を形成し、該超格子複合層40の上に、窒化物半導体層50を形成してなる半導体材料を提供する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)