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1. (WO2009084325) LED素子およびLED素子の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2009/084325    国際出願番号:    PCT/JP2008/070298
国際公開日: 09.07.2009 国際出願日: 07.11.2008
IPC:
H01L 33/22 (2010.01), H01L 33/42 (2010.01)
出願人: MITSUBISHI CHEMICAL CORPORATION [JP/JP]; 14-1, Shiba 4-chome, Minato-ku, Tokyo 1080014 (JP) (米国を除く全ての指定国).
OKAGAWA, Hiroaki [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
HIRAOKA, Shin [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
JOUICHI, Takahide [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
SHIMA, Toshihiko [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: OKAGAWA, Hiroaki; (JP).
HIRAOKA, Shin; (JP).
JOUICHI, Takahide; (JP).
SHIMA, Toshihiko; (JP)
代理人: OGURI, Shohei; Eikoh Patent Firm, 7-13, Nishi-Shimbashi 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1050003 (JP)
優先権情報:
2007-339721 28.12.2007 JP
発明の名称: (EN) LED ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING LED ELEMENT
(FR) ELÉMENT DE DEL ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'ÉLÉMENT DE DEL
(JA) LED素子およびLED素子の製造方法
要約: front page image
(EN)Provided is a GaN Led element having a new structure for improving output by increasing light extraction efficiency. The GaN LED element is provided with a semiconductor multilayer structure, a p-side electrode and an n-side electrode. In the semiconductor multilayer structure, an n-type GaN semiconductor layer is arranged on the side of a lower surface of a p-type GaN semiconductor layer having an upper surface and the lower surface, by sandwiching a light emitting section composed of a GaN semiconductor. The p-side electrode is formed on the upper surface of the p-type GaN semiconductor layer. The n-side electrode is electrically connected to the n-type GaN semiconductor layer. The p-side electrode includes a transparent conductive film having a window region to be a window for extracting light generated at the light emitting section. In the LED element, a flat section and a rough surface section formed by roughening are arranged to form a prescribed mixed pattern, on the upper surface of the p-type GaN semiconductor layer covered with the window region of the transparent conductive film.
(FR)La présente invention a trait à un élément de DEL GaN présentant une nouvelle structure destinée à améliorer le résultat en augmentant le rendement d'extraction de lumière. L'élément de DEL GaN présente une structure multicouche semi-conductrice, une électrode côté P et une électrode côté N. Dans la structure multicouche semi-conductrice, une couche semi-conductrice GaN de type N est agencée du côté de la surface inférieure d'une couche semi-conductrice GaN de type P dotée d'une surface supérieure et de la surface inférieure, en prenant en sandwich une partie électroluminescente constituée d'un semi-conducteur GaN. L'électrode côté P est formée sur la surface supérieure de la couche semi-conductrice GaN de type P. L'électrode côté N est électriquement connectée à la couche semi-conductrice GaN de type N. L'électrode côté P inclut un film conducteur transparent pourvu d'une zone de fenêtre devant être une fenêtre permettant d'extraire la lumière générée au niveau de la partie électroluminescente. Dans l'élément de DEL, une partie plate et une partie de surface rugueuse formée par rugosification sont agencées de manière à former un motif mixte imposé, sur la surface supérieure de la couche semi-conductrice GaN de type P recouverte par la zone de fenêtre du film conducteur transparent.
(JA) 光取出し効率を高めることによって出力向上を図った新規な構造のGaN系LED素子を提供すること。上面および下面を有するp型GaN系半導体層の下面側にGaN系半導体からなる発光部を挟んでn型GaN系半導体層を配置した半導体積層構造と、前記p型GaN系半導体層の上面に形成されたp側電極と、前記n型GaN系半導体層と電気的に接続されたn側電極と、を備えたGaN系LED素子であって、前記p側電極が前記発光部で生じる光の取出し窓となる窓領域を有する透明導電膜を含み、前記透明導電膜の窓領域に覆われた前記p型GaN系半導体層の上面に平坦部と粗化処理により形成された粗面部とが所定の混在パターンをなすように設けられた、LED素子。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)