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1. (WO2009084318) 高純度ランタン、高純度ランタンからなるスパッタリングターゲット及び高純度ランタンを主成分とするメタルゲート膜
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2009/084318    国際出願番号:    PCT/JP2008/069854
国際公開日: 09.07.2009 国際出願日: 31.10.2008
予備審査請求日:    27.04.2009    
IPC:
C22B 59/00 (2006.01), C22B 9/22 (2006.01), C22C 28/00 (2006.01), C23C 14/34 (2006.01), H01L 21/283 (2006.01), H01L 21/285 (2006.01), H01L 29/423 (2006.01), H01L 29/49 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01)
出願人: Nippon Mining & Metals Co., Ltd. [JP/JP]; 10-1, Toranomon 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1050001 (JP) (米国を除く全ての指定国).
TAKAHATA, Masahiro [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
SHINDO, Yuichiro [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
KANOU, Gaku [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: TAKAHATA, Masahiro; (JP).
SHINDO, Yuichiro; (JP).
KANOU, Gaku; (JP)
代理人: OGOSHI, Isamu; OGOSHI International Patent Office Daini-Toranomon Denki Bldg., 5F, 3-1-10 Toranomon, Minato-ku, Tokyo 1050001 (JP)
優先権情報:
2007-338423 28.12.2007 JP
発明の名称: (EN) HIGHLY PURE LANTHANUM, SPUTTERING TARGET COMPRISING HIGHLY PURE LANTHANUM, AND METAL GATE FILM MAINLY COMPOSED OF HIGHLY PURE LANTHANUM
(FR) LANTHANE DE PURETÉ ÉLEVÉE, CIBLE DE PULVÉRISATION CATHODIQUE COMPRENANT DU LANTHANE DE PURETÉ ÉLEVÉE ET FILM DE GRILLE MÉTALLIQUE COMPOSÉ PRINCIPALEMENT DE LANTHANE DE PURETÉ ÉLEVÉE
(JA) 高純度ランタン、高純度ランタンからなるスパッタリングターゲット及び高純度ランタンを主成分とするメタルゲート膜
要約: front page image
(EN)Disclosed is highly pure lanthanum which has a purity of 4 N or more as determined by excluding any rare earth element or any gaseous component therefrom, and which contains aluminum, iron and copper each in an amount of 100 wtppm or less. Also disclosed is highly pure lanthanum, which has a purity of 4 N or more as determined by excluding any rare earth element or any gaseous component therefrom, which contains aluminum, iron and copper each in an amount of 100 wtppm or less, which contains oxygen in an amount of 1500 wtppm or less, which contains an alkali metal element and an alkali earth metal element each in an amount of 1 wtppm or less, which contains a transition metal element and a high-melting-point metal element other than those mentioned above each in an amount of 10 wtppm or less, and which contains a radioactive element in an amount of 10 wtppb or less. Further disclosed is a technique for efficiently and stably providing highly pure lanthanum, a sputtering target comprising a highly pure lanthanum material and a metal gate thin film mainly composed of a highly pure lanthanum material.
(FR)La présente invention concerne du lanthane de pureté élevée qui présente une pureté de 4 N ou plus déterminée par l'exclusion, de celui-ci, de tout élément du groupe des terres rares ou de tout composant gazeux, et qui contient de l'aluminium, du fer et du cuivre, chacun en une quantité de 100 ppm en poids ou moins. L'invention concerne également du lanthane de pureté élevée qui présente une pureté de 4 N ou plus déterminée par l'exclusion, de celui-ci, de tout élément du groupe des terres rares ou de tout composant gazeux, qui contient de l'aluminium, du fer et du cuivre, chacun en une quantité de 100 ppm en poids ou moins, qui contient de l'oxygène en une quantité de 1 500 ppm en poids ou moins, qui contient un élément métallique alcalin et un élément métallique alcalinoterreux, chacun en une quantité de 1 pmm en poids ou moins, qui contient un élément métallique de transition et un élément métallique à point de fusion élevé différent de ceux mentionnés ci-dessus, chacun en une quantité de 10 ppm en poids ou moins et qui contient un élément radioactif en une quantité de 10 parties par milliard en poids ou moins. L'invention concerne en outre une technique permettant de proposer de manière efficace et stable du lanthane de pureté élevée, une cible de pulvérisation cathodique comprenant un matériau à base de lanthane de pureté élevée et un film mince de grille métallique composé principalement d'un matériau à base de lanthane de pureté élevée.
(JA) 希土類元素及びガス成分を除いた純度が4N以上であり、ランタン中のアルミニウム、鉄及び銅が、それぞれ100wtppm以下であることを特徴とする高純度ランタン、並びに希土類元素及びガス成分を除いた純度が4N以上であり、ランタン中のアルミニウム、鉄及び銅がそれぞれ100wtppm以下、かつ酸素含有量が1500wtppm以下、アルカリ金属及びアルカリ土類金属の各元素がそれぞれ1wtppm以下、上記以外の遷移金属及び高融点金属の各元素がそれぞれ10wtppm以下、放射性元素がそれぞれ10wtppb以下であることを特徴とする高純度ランタン。高純度ランタン、高純度材料ランタンからなるスパッタリングターゲット及び高純度材料ランタンを主成分とするメタルゲート用薄膜を効率的かつ安定して提供できる技術を提供することを課題とする。 
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)