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1. (WO2009084311) 半導体装置、単結晶半導体薄膜付き基板及びそれらの製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2009/084311    国際出願番号:    PCT/JP2008/069154
国際公開日: 09.07.2009 国際出願日: 22.10.2008
IPC:
H01L 21/02 (2006.01), H01L 21/265 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 27/12 (2006.01), H01L 29/786 (2006.01)
出願人: Sharp Kabushiki Kaisha [JP/JP]; 22-22, Nagaike-cho, Abeno-ku, Osaka-shi, Osaka 5458522 (JP) (米国を除く全ての指定国).
TAKAFUJI, Yutaka [JP/--]; (米国のみ).
FUKUSHIMA, Yasumori [JP/--]; (米国のみ).
TADA, Kenshi [JP/--]; (米国のみ).
NAKAGAWA, Kazuo [JP/--]; (米国のみ).
MATSUMOTO, Shin [JP/--]; (米国のみ).
TOMIYASU, Kazuhide [JP/--]; (米国のみ)
発明者: TAKAFUJI, Yutaka; .
FUKUSHIMA, Yasumori; .
TADA, Kenshi; .
NAKAGAWA, Kazuo; .
MATSUMOTO, Shin; .
TOMIYASU, Kazuhide;
代理人: YASUTOMI, Yasuo; MT-2 BLDG., 5-36, Miyahara 3-chome, Yodogawa-ku, Osaka-shi, Osaka 5320003 (JP)
優先権情報:
2007-337921 27.12.2007 JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE, SUBSTRATE WITH SINGLE-CRYSTAL SEMICONDUCTOR THIN FILM AND METHODS FOR MANUFACTURING SAME
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR, SUBSTRAT DOTÉ D'UNE COUCHE MINCE SEMI-CONDUCTRICE MONOCRISTALLINE ET LEURS PROCÉDÉS DE FABRICATION
(JA) 半導体装置、単結晶半導体薄膜付き基板及びそれらの製造方法
要約: front page image
(EN)A semiconductor device, a substrate with a single-crystal semiconductor thin film, and methods for manufacturing the same which enable an improvement in transistor characteristic in a single-crystal semiconductor element including a single-crystal semiconductor thin film transferred onto an insulating substrate having poor heat resistance. A method for manufacturing a semiconductor device comprising plural single-crystal semiconductor elements including a single-crystal semiconductor thin film on an insulating substrate comprises a first heat treatment step of heat-treating the single-crystal semiconductor thin film which is doped with an impurity, in which at least part of the plural single-crystal semiconductor elements are formed, and which is joined to the insulating substrate at a temperature lower than 650°C and a second heat treatment step of, after the first heat treatment step, heat-treating the single-crystal semiconductor thin film for a period of time shorter than the heat treatment time in the first heat treatment step at a temperature equal to or higher than 650°C.
(FR)La présente invention a trait à un dispositif à semi-conducteur, à un substrat doté d'une couche mince semi-conductrice monocristalline et à leurs procédés de fabrication qui permettent d'obtenir une amélioration des caractéristiques du transistor dans un élément à semi-conducteur monocristallin incluant une couche mince semi-conductrice monocristalline transférée sur un substrat isolant présentant une faible résistance à la chaleur. Le procédé de fabrication d'un dispositif à semi-conducteur comprenant plusieurs éléments à semi-conducteur monocristallins incluant une couche mince semi-conductrice monocristalline sur un substrat isolant selon la présente invention comprend une première étape de traitement thermique destinée à traiter thermiquement la couche mince semi-conductrice monocristalline qui est dopée avec une impureté, où au moins une partie des multiples éléments à semi-conducteur monocristallins est formée, et qui est jointe au substrat isolant à une température inférieure à 650 °C et une seconde étape de traitement thermique, après la première étape de traitement thermique, destinée à traiter thermiquement la couche mince semi-conductrice monocristalline pendant une durée inférieure à celle du traitement thermique de la première étape de traitement thermique à une température supérieure ou égale à 650 °C.
(JA)本発明は、耐熱性に劣る絶縁基板上に転写された単結晶半導体薄膜を含む単結晶半導体素子において、トランジスタ特性の向上が可能である半導体装置、単結晶半導体薄膜付き基板及びそれらの製造方法を提供する。本発明は、絶縁基板上に、単結晶半導体薄膜を含む複数の単結晶半導体素子を備える半導体装置の製造方法であって、上記製造方法は、不純物がドープされるとともに、上記複数の単結晶半導体素子の少なくとも一部が形成され、更に、上記絶縁基板に接合された上記単結晶半導体薄膜を650°C未満で熱処理する第一熱処理工程と、上記第一熱処理工程後に、上記単結晶半導体薄膜を上記第一熱処理工程における熱処理時間よりも短い時間、650°C以上で熱処理する第二熱処理工程とを含む半導体装置の製造方法である。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)