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1. (WO2009084240) 半導体基板、半導体基板の製造方法および電子デバイス
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2009/084240    国際出願番号:    PCT/JP2008/004039
国際公開日: 09.07.2009 国際出願日: 26.12.2008
IPC:
H01L 21/20 (2006.01), H01L 21/331 (2006.01), H01L 29/737 (2006.01)
出願人: SUMITOMO CHEMICAL COMPANY, LIMITED [JP/JP]; 27-1, Shinkawa 2-chome, Chuo-ku, Tokyo 1048260 (JP) (米国を除く全ての指定国).
The University of Tokyo [JP/JP]; 3-1, Hongo 7-chome, Bunkyo-ku, Tokyo 1138654 (JP) (米国を除く全ての指定国).
TAKADA, Tomoyuki [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
YAMANAKA, Sadanori [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
HATA, Masahiko [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
YAMAMOTO, Taketsugu [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
WADA, Kazumi [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: TAKADA, Tomoyuki; (JP).
YAMANAKA, Sadanori; (JP).
HATA, Masahiko; (JP).
YAMAMOTO, Taketsugu; (JP).
WADA, Kazumi; (JP)
代理人: HAYASHI, Shigenori; 5F, Shinjuku Square Tower 22-1, Nishi-Shinjuku 6-chome Shinjuku-ku, Tokyo 1631105 (JP)
優先権情報:
2007-341413 28.12.2007 JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, AND ELECTRONIC DEVICE
(FR) SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR, PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
(JA) 半導体基板、半導体基板の製造方法および電子デバイス
要約: front page image
(EN)A high-quality GaAs crystal thin film is obtained by using a low-cost Si substrate having excellent heat dissipation characteristics. Specifically disclosed is a semiconductor substrate comprising an Si substrate, a Ge layer crystal-grown on the substrate and having an isolated island shape, and a functional layer crystal-grown on the Ge layer. The Ge layer is formed into an island shape which does not exceed twice the distance which crystal defects move when annealed at the annealing temperature and in the annealing time. Alternatively, the Ge layer is formed into an island shape which does not cause separation due to a stress caused by a difference in thermal expansion coefficient between the Ge layer and the Si substrate when annealed at the annealing temperature.
(FR)Une couche mince cristalline de GaAs de grande qualité est obtenue à l'aide d'un substrat de Si à faible coût doté d'excellentes caractéristiques de dissipation thermique. De façon spécifique, la présente invention a trait à un substrat semi-conducteur comprenant un substrat de Si, une couche de Ge ayant été soumise à une croissance des cristaux sur le substrat et se présentant sous une forme d'îlot isolé et une couche fonctionnelle ayant été soumise à une croissance des cristaux sur la couche de Ge. La couche de Ge est conçue sous forme d'îlot qui n'excède pas deux fois la distance sur laquelle les défauts des cristaux se déplacent lors du recuit à la température de recuit et pendant la durée du recuit. En variante, la couche de Ge est conçue sous forme d'îlot qui n'entraîne pas de séparation due à une contrainte causée par une différence de coefficient de dilatation thermique entre la couche de Ge et le substrat de Si lors du recuit à la température de recuit.
(JA) 安価な、また、放熱特性に優れたSi基板を用いて、良質なGaAs系の結晶薄膜を得る。Siの基板と、基板上に結晶成長され、孤立した島状に形成されたGe層と、Ge層上に結晶成長された機能層と、を備える半導体基板を提供する。Ge層は、アニールした場合に、アニールの温度および時間において結晶欠陥が移動する距離の2倍を越えない大きさの島状に形成する。あるいはGe層は、アニールした場合に、アニールの温度において基板であるSiとの熱膨張係数の相違によるストレスが剥離を発生させない大きさの島状に形成する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)