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1. (WO2009084154) エピタキシャル成長用サセプタ
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2009/084154    国際出願番号:    PCT/JP2008/003621
国際公開日: 09.07.2009 国際出願日: 05.12.2008
IPC:
H01L 21/205 (2006.01), C23C 16/458 (2006.01), H01L 21/683 (2006.01)
出願人: Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. [JP/JP]; 6-2, Ohtemachi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000004 (JP) (米国を除く全ての指定国).
OHNISHI, Masato [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: OHNISHI, Masato; (JP)
代理人: YOSHIMIYA, Mikio; 1st Shitaya Bldg. 8F 6-11, Ueno 7-chome Taito-ku, Tokyo 1100005 (JP)
優先権情報:
2007-340749 28.12.2007 JP
発明の名称: (EN) SUSCEPTOR FOR EPITAXIAL GROWTH
(FR) SUSCEPTEUR POUR CROISSANCE ÉPITAXIALE
(JA) エピタキシャル成長用サセプタ
要約: front page image
(EN)This aims to provide an epitaxially growing susceptor used in an epitaxially growing apparatus and having a counterbore for supporting a single-crystal substrate horizontally. The counterbore has an outer-circumference region, on which the single-crystal substrate is supported in abutment, and a central region enclosed by the outer-circumference region and having no contact with the single-crystal substrate. The counterbore has its central region formed to have at least one through hole extending through the epitaxially growing susceptor and its outer-circumference region formed to have such a taper shape as becomes deeper toward the central region at an angle of inclination larger than 0 degrees and smaller than 1 degree and to have a horizontal width of 3.3 % or more of the diameter of the single-crystal substrate supported. As a result, the epitaxial growing susceptor can prevent a locally serious deposition from occurring on the outer-circumference side of the back of the single-crystal substrate.
(FR)La présente invention a pour objet de fournir un suscepteur à croissance épitaxiale utilisé dans un appareil de croissance épitaxiale et doté d'un lamage permettant de supporter horizontalement un substrat monocristallin. Le lamage est pourvu d'une zone de circonférence extérieure sur laquelle le substrat monocristallin est supporté en butée et d'une zone centrale entourée par la zone de circonférence extérieure et n'ayant aucun contact avec le substrat monocristallin. La zone centrale du lamage est formée de manière à avoir au moins un trou traversant s'étendant à travers le suscepteur à croissance épitaxiale et sa zone de circonférence extérieure est formée de façon à se présenter sous une forme conique devenant plus profonde vers la zone centrale à un angle d'inclinaison supérieur à 0 degré et inférieur à 1 degré et de façon à avoir une largeur horizontale de 3,3 % ou plus du diamètre du substrat monocristallin supporté. En conséquence, le suscepteur à croissance épitaxiale peut empêcher qu'un important dépôt local ne se produise du côté de la circonférence extérieure de la partie arrière du substrat monocristallin.
(JA) 本発明は、エピタキシャル成長装置において単結晶基板を水平に支持するためのザグリを有するエピタキシャル成長用サセプタであって、ザグリは、単結晶基板が当接して支持される外周領域と、該外周領域に囲まれており、単結晶基板と接触しない中央領域を有しており、ザグリの中央領域には、エピタキシャル成長用サセプタを貫通する1つ以上の貫通孔が形成されており、ザグリの外周領域は、0°より大きく1°未満の範囲の傾斜角で、中央領域に向かって深さが増すように傾斜しているテーパ形状であり、かつ、支持される単結晶基板の直径の3.3%以上の水平幅を有するものであるエピタキシャル成長用サセプタを提供する。これにより、単結晶基板の裏面の外周側において、局所的に著しいデポが発生するのを防止することができるエピタキシャル成長用サセプタが提供される。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)