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1. (WO2009084130) 半導体装置の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2009/084130    国際出願番号:    PCT/JP2008/002420
国際公開日: 09.07.2009 国際出願日: 03.09.2008
IPC:
H01L 21/265 (2006.01), H01L 21/22 (2006.01)
出願人: PANASONIC CORPORATION [JP/JP]; 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 5718501 (JP) (米国を除く全ての指定国).
SASAKI, Yuichiro; (米国のみ).
OKASHITA, Katsumi; (米国のみ).
NAKAMOTO, Keiichi; (米国のみ).
MIZUNO, Bunji; (米国のみ)
発明者: SASAKI, Yuichiro; .
OKASHITA, Katsumi; .
NAKAMOTO, Keiichi; .
MIZUNO, Bunji;
代理人: MAEDA, Hiroshi; Osaka-Marubeni Bldg., 5-7 Hommachi 2-chome, Chuo-ku Osaka-shi, Osaka 5410053 (JP)
優先権情報:
2007-339557 28.12.2007 JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置の製造方法
要約: front page image
(EN)An impurity region is formed on a front surface section of a substrate by doping the substrate with impurity by exposing the substrate to plasma composed of a gas containing the impurity. A prescribed plasma doping time within a time range where a deposition rate on the substrate by plasma is higher than 0nm/min but not higher than 5nm/min is used.
(FR)Selon l'invention, une région d'impureté est formée sur une section de surface avant d'un substrat par dopage du substrat avec une impureté en exposant le substrat à un plasma composé d'un gaz contenant l'impureté. On utilise un temps de dopage par plasma prescrit dans un intervalle de temps où une vitesse de dépôt par plasma sur le substrat est supérieure à 0 nm/ min mais non supérieure à 5 nm/ min.
(JA) 不純物を含むガスからなるプラズマに基板をさらすことによって、前記基板の表面部に前記不純物をドーピングして不純物領域を形成する。前記プラズマによる前記基板上における堆積レートが0nm/分よりも大きく且つ5nm/分以下となる時間範囲内に含まれる所定のプラズマドーピング時間を用いる。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)