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1. (WO2009081992) 反射電極、表示デバイス、および表示デバイスの製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2009/081992    国際出願番号:    PCT/JP2008/073655
国際公開日: 02.07.2009 国際出願日: 25.12.2008
IPC:
G09F 9/30 (2006.01), G02B 5/08 (2006.01), G02F 1/1335 (2006.01), G02F 1/1343 (2006.01)
出願人: KABUSHIKI KAISHA KOBE SEIKO SHO [JP/JP]; 10-26, Wakinohama-cho 2-chome, Chuo-ku, Kobe-shi, Hyogo 6518585 (JP) (米国を除く全ての指定国).
OCHI, Mototaka; (米国のみ).
GOTO, Hiroshi; (米国のみ)
発明者: OCHI, Mototaka; .
GOTO, Hiroshi;
代理人: OGURI, Shohei; Eikoh Patent Firm, 7-13, Nishi-Shimbashi 1-chome Minato-ku, Tokyo 1050003 (JP)
優先権情報:
2007-335003 26.12.2007 JP
発明の名称: (EN) REFLECTING ELECTRODE, DISPLAY DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING DISPLAY DEVICE
(FR) ÉLECTRODE RÉFLÉCHISSANTE, DISPOSITIF D'AFFICHAGE ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DUDIT DISPOSITIF D'AFFICHAGE
(JA) 反射電極、表示デバイス、および表示デバイスの製造方法
要約: front page image
(EN)A reflecting electrode (2) is provided with an aluminum alloy layer (2a) and an aluminum oxide layer (2b), which are formed on a substrate and are directly connected to a transparent pixel electrode (3) without having a barrier metal layer in between. The aluminum alloy layer contains nickel or cobalt by 0.1-2 atm% and lanthanum by 0.1-2 atm%. When the number of oxygen atoms and the number of aluminum atoms contained in the aluminum oxide layer are expressed as [O] and [Al], respectively, a ratio of [O]/[Al] is 0.30 or less. The thickness of the thinnest portion of the aluminum oxide layer is 10nm or less. The reflecting electrode has a high reflectance and a low contact resistivity, even when heat treatment is performed at a low temperature of 100°C or higher but not more than 300°C. Furthermore, the reflecting electrode has excellent heat resistance and does not generate defects such as a hillock.
(FR)L'invention concerne une électrode réfléchissante (2) constituée d'une couche d'alliage d'aluminium (2a) et d'une couche d'oxyde d'aluminium (2b), ces couches étant formées sur un substrat et directement reliées à une électrode de pixel transparente (3) sans couche barrière métallique entre elles. La couche d'alliage d'aluminium contient 0,1-2 at.% de nickel ou de cobalt et 0,1-2 at.% de lanthane. Lorsque le nombre d'atomes d'oxygène et le nombre d'atomes aluminium contenus dans la couche d'oxyde d'aluminium sont exprimés respectivement sous la forme [O] et [Al], le rapport de [O]/[Al] est égal ou inférieur à 0,30. L'épaisseur de la partie de couche d'oxyde d'aluminium la plus mince est égale ou inférieure à 10nm. L'électrode réfléchissante présente une réflectance élevée et une faible résistivité de contact, même lorsqu'on exécute un traitement thermique à une basse température de100°C ou plus mais inférieure ou égale à 300°C. En outre, l'électrode réfléchissante possède une excellente résistance thermique et ne produit pas de défauts tels qu'une proéminence.
(JA) この発明の反射電極(2)は、基板上に形成されたアルミニウム合金層(2a)とアルミニウム酸化物層(2b)とを備えており、バリアメタル層を介することなく、透明画素電極(3)と直接接続される。前記アルミニウム合金層は、0.1~2原子%のニッケル又はコバルトと、0.1~2原子%のランタンを含有する。前記アルミニウム酸化物層に含まれる酸素原子の数及びアルミニウム原子の数をそれぞれ[O]及び[Al]とすると、その比[O]/[Al]は、0.30以下である。前記アルミニウム酸化物層の最も薄い部分の厚みは、10nm以下である。この発明の反射電極は、100℃以上300℃以下の低い温度で熱処理を施しても、高い反射率及び低い接触抵抗を有する。また、耐熱性に優れ、ヒロックなどの欠陥を生じることがない。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)