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1. (WO2009081890) 複合検出装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2009/081890    国際出願番号:    PCT/JP2008/073261
国際公開日: 02.07.2009 国際出願日: 19.12.2008
IPC:
G01N 27/00 (2006.01), G01N 27/414 (2006.01)
出願人: National University Corporation TOYOHASHI UNIVERSITY OF TECHNOLOGY [JP/JP]; 1-1, Hibarigaoka, Tempaku-cho, Toyohashi-shi Aichi 4418580 (JP) (米国を除く全ての指定国).
SAWADA, Kazuaki [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
MATSUO, Junichi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
NAKAZAWA, Hirokazu [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: SAWADA, Kazuaki; (JP).
MATSUO, Junichi; (JP).
NAKAZAWA, Hirokazu; (JP)
代理人: KONISHI, Tomimasa; Marunouchi Estate Bldg., 17-12, Marunouchi 2-chome, Naka-ku, Nagoya-shi Aichi 4600002 (JP)
優先権情報:
2007-329379 20.12.2007 JP
発明の名称: (EN) COMBINED DETECTOR
(FR) DÉTECTEUR COMBINÉ
(JA) 複合検出装置
要約: front page image
(EN)A combined detector capable of simultaneously detecting both a value indicating a physical/chemical phenomenon such as a pH value and the intensity of an energy beam such as light. The combined detector comprises a physical/chemical phenomenon detecting system (10) and an energy beam detecting system. The physical/chemical phenomenon detecting system (10) has a sensing section (21) whose potential varies with a physical/chemical phenomenon, a charge supply section (22) for supplying first charge to the sensing section, a charge supply control section (23) provided between the sensing section (21) and the charge supply section (22), a first charge storage section (26) for storing the first charge transferred from the sensing section (21), and a charge transfer control section (27) provided between the sensing section (21) and the first charge storage section (26). The sensing section (21) includes a semiconductor charge generating portion (15) for generating the first charge and second charge when receiving an energy beam such as light. The energy beam detecting system has the semiconductor charge generating portion (15) and a second charge storage section (31) adapted to store the second charge generated by the semiconductor charge generating portion (15) and having an opposite potential to the first charge storage section (26) with respect to the sensing section (21).
(FR)L'invention porte sur un détecteur combiné apte à détecter simultanément une valeur indiquant un phénomène physique/chimique, tel qu'une valeur de pH, et l'intensité d'un faisceau d'énergie, tel qu'une lumière. Le détecteur combiné comprend un système de détection de phénomène physique/chimique (10) et un système de détection de faisceau d'énergie. Le système de détection de phénomène physique/chimique (10) comporte une section de détection (21) dont le potentiel varie avec un phénomène physique/chimique, une section d'alimentation de charge (22) pour alimenter une première charge à la section de détection, une section de commande d'alimentation de charge (23) disposée entre la section de détection (21) et la section d'alimentation de charge (22), une première section de stockage de charge (26) pour stocker la première charge transférée de la section de détection (21), et une section de commande de transfert de charge (27) disposée entre la section de détection (21) et la première section de stockage de charge (26). La section de détection (21) comprend une partie de génération de charge semi-conductrice (15) pour générer la première charge et une seconde charge lors de la réception d'un faisceau d'énergie tel que de la lumière. Le système de détection de faisceau d'énergie comporte la partie de génération de charge semi-conductrice (15) et une seconde section de stockage de charge (31) apte à stocker la seconde charge générée par la partie de génération de charge semi-conductrice (15) et dont le potentiel est opposé à la première section de stockage de charge (26) par rapport à la section de détection (21).
(JA) pH等の物理・化学現象の値と光等のエネルギー線の量の検出とを同時に行うことのできる複合検出装置を提案する。化学・物理現象に対応してポテンシャルが変化するセンシング部21と、記センシング部へ第1の電荷を供給する電荷供給部22と、センシング部21と電荷供給部22との間に形成される電荷供給調節部23と、センシング部21から転送された第1の電荷を蓄積する第1の電荷蓄積部26と、センシング部21と第1の電荷蓄積部26との間に形成される電荷転送調節部27とを備えてなる、化学・物理現象検出系10と、センシング部21は光その他のエネルギー線を受けて第1の電荷と第2の電荷とを生成する半導体電荷生成部15を備え、該半導体電荷生成部15と、該半導体電荷生成部15で生成された第2の電荷を蓄積する第2の電荷蓄積部31であって、センシング部21を基準にして第1の電荷蓄積部26とは反対側の電位を有する第2の電荷蓄積部31と、を備える。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)