WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | Français | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

国際・国内特許データベース検索
World Intellectual Property Organization
検索
 
閲覧
 
翻訳
 
オプション
 
最新情報
 
ログイン
 
ヘルプ
 
自動翻訳
1. (WO2009081885) 酸化物半導体電界効果型トランジスタ及びその製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2009/081885    国際出願番号:    PCT/JP2008/073252
国際公開日: 02.07.2009 国際出願日: 19.12.2008
IPC:
H01L 29/786 (2006.01)
出願人: IDEMITSU KOSAN CO., LTD. [JP/JP]; 1-1, Marunouchi 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008321 (JP) (米国を除く全ての指定国).
YANO, Koki [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
KAWASHIMA, Hirokazu [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
INOUE, Kazuyoshi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
TOMAI, Shigekazu [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
KASAMI, Masashi [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: YANO, Koki; (JP).
KAWASHIMA, Hirokazu; (JP).
INOUE, Kazuyoshi; (JP).
TOMAI, Shigekazu; (JP).
KASAMI, Masashi; (JP)
代理人: WATANABE, Kihei; Shibashin Kanda Bldg. 3rd Floor, 26, Kanda Suda-cho 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1010041 (JP)
優先権情報:
2007-332508 25.12.2007 JP
2007-338918 28.12.2007 JP
発明の名称: (EN) OXIDE SEMICONDUCTOR FIELD EFFECT TRANSISTOR AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
(FR) TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP À OXYDE SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 酸化物半導体電界効果型トランジスタ及びその製造方法
要約: front page image
(EN)Disclosed is a field effect transistor having a semiconductor layer which is composed of a complex oxide containing element In, element Zn, and one or more elements X selected from the group consisting of Zr, Hf, Ge, Si, Ti, Mn, W, Mo, V, Cu, Ni, Co, Fe, Cr, Nb, Al, B, Sc, Y and lanthanoids at the following atomic ratios (1)-(3). In/(In + Zn) = 0.2-0.8 (1) In/(In + X) = 0.29-0.99 (2) Zn/(X + Zn) = 0.29-0.99 (3)
(FR)L'invention porte sur un transistor à effet de champ ayant une couche semi-conductrice qui est composée d'un oxyde complexe contenant l'élément In, l'élément Zn, et un ou plusieurs éléments X sélectionnés dans le groupe comprenant Zr, Hf, Ge, Si, Ti, Mn, W, Mo, V, Cu, Ni, Co, Fe, Cr, Nb, Al, B, Sc, Y et des lanthanoïdes dans les rapports atomiques (1)-(3) suivants. In/(In + Zn) = 0,2-0,8 (1) In/(In + X) = 0,29-0,99 (2) Zn/(X + Zn) = 0,29-0,99 (3).
(JA) In元素及びZn元素と、Zr、Hf、Ge、Si、Ti、Mn、W、Mo、V、Cu、Ni、Co、Fe、Cr、Nb、Al、B、Sc、Y及びランタノイド類からなる群より選択される1以上の元素Xを、下記(1)~(3)の原子比で含む複合酸化物からなる半導体層を有する電界効果型トランジスタ。     In/(In+Zn)=0.2~0.8   (1)     In/(In+X)=0.29~0.99  (2)     Zn/(X+Zn)=0.29~0.99  (3)
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)