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1. (WO2009081884) エッチング剤、エッチング方法及びエッチング剤調製液
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2009/081884    国際出願番号:    PCT/JP2008/073246
国際公開日: 02.07.2009 国際出願日: 19.12.2008
IPC:
H01L 21/306 (2006.01), C23F 1/38 (2006.01), C23F 1/44 (2006.01)
出願人: WAKO PURE CHEMICAL INDUSTRIES, LTD. [JP/JP]; 1-2, Doshomachi 3-chome, Chuo-ku, Osaka-shi Osaka 5408605 (JP) (米国を除く全ての指定国).
MATSUDA, Osamu [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
KIKUCHI, Nobuyuki [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
HAYASHIDA, Ichiro [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
SHIRAHATA, Satoshi [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: MATSUDA, Osamu; (JP).
KIKUCHI, Nobuyuki; (JP).
HAYASHIDA, Ichiro; (JP).
SHIRAHATA, Satoshi; (JP)
優先権情報:
2007-329530 21.12.2007 JP
発明の名称: (EN) ETCHING AGENT, ETCHING METHOD AND LIQUID FOR PREPARING ETCHING AGENT
(FR) AGENT D'ATTAQUE CHIMIQUE, PROCÉDÉ D'ATTAQUE CHIMIQUE ET LIQUIDE POUR PRÉPARER UN AGENT D'ATTAQUE CHIMIQUE
(JA) エッチング剤、エッチング方法及びエッチング剤調製液
要約: front page image
(EN)Disclosed is an etching agent for semiconductor substrates, which is capable of etching a titanium-based (Ti-based) metal film or a tungsten-based (W-based) metal film on a semiconductor substrate. The etching agent for semiconductor substrates is composed of a solution containing (A) hydrogen peroxide, (B) a phosphonic acid chelating agent having a hydroxyl group, (C) a basic compound, and (D-1) a copper anticorrosive and/or (D-2) 0.01-3% by weight of two or more anion species other than phosphonic acid chelating agents having a hydroxyl group, which anion species have no oxidizing power.
(FR)L'invention porte sur un agent d'attaque chimique pour substrat semi-conducteur qui est capable de graver un film métallique à base de titane (Ti) ou un film métallique à base de tungstène (W) sur un substrat semi-conducteur. L'agent d'attaque chimique pour substrat semi-conducteur est composé d'une solution contenant (A) du peroxyde d'hydrogène, (B) un agent chélateur à base d'acide phosphonique ayant un groupe hydroxyle, (C) un composé basique, et (D-1) un agent anticorrosion du cuivre et/ou (D-2) 0,01 à 3 % en poids de deux espèces anioniques ou plus autres que des agents chélateurs à base d'acide phosphonique ayant un groupe hydroxyle, lesquelles espèces anioniques n'ont aucun pouvoir oxydant.
(JA) 本発明は、半導体基板上のチタン(Ti)系金属膜又はタングステン(W)系金属膜をエッチングし得る半導体基板用エッチング剤であって、(A)過酸化水素、(B)ヒドロキシル基を有するホスホン酸系キレート剤及び(C)塩基性化合物と、(D−1)銅防食剤又は/及び(D−2)ヒドロキシル基を有するホスホン酸系キレート剤以外の酸化力を有さない2種以上のアニオン種0.01重量%~3重量%を含む溶液からなるものに関する発明である。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)