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1. (WO2009081862) 金属酸化物半導体およびその製造方法、半導体素子、薄膜トランジスタ
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2009/081862    国際出願番号:    PCT/JP2008/073193
国際公開日: 02.07.2009 国際出願日: 19.12.2008
IPC:
H01L 21/336 (2006.01), H01L 29/786 (2006.01)
出願人: Konica Minolta Holdings, Inc. [JP/JP]; 6-1, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000005 (JP) (米国を除く全ての指定国).
HONDA, Makoto [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
HIRAI, Katsura [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: HONDA, Makoto; (JP).
HIRAI, Katsura; (JP)
優先権情報:
2007-333893 26.12.2007 JP
2008-192037 25.07.2008 JP
発明の名称: (EN) METAL OXIDE SEMICONDUCTOR, PROCESS FOR PRODUCING THE METAL OXIDE SEMICONDUCTOR, SEMICONDUCTOR ELEMENT, AND THIN-FILM TRANSISTOR
(FR) SEMI-CONDUCTEUR À OXYDE MÉTALLIQUE, PROCÉDÉ DE PRODUCTION DU SEMI-CONDUCTEUR À OXYDE MÉTALLIQUE, ÉLÉMENT À SEMI-CONDUCTEURS, ET TRANSISTOR À COUCHES MINCES
(JA) 金属酸化物半導体およびその製造方法、半導体素子、薄膜トランジスタ
要約: front page image
(EN)Disclosed is a process for producing a metal oxide semiconductor layer by coating, which is preferred from the viewpoint of a production environment, using a metal salt as a precursor, and by semiconductor conversion treatment which can realize the production of a metal oxide semiconductor layer at a low temperature with high production efficiency. Also disclosed is a TFT element using the semiconductor layer. The production process of a metal oxide semiconductor comprises subjecting a semiconductor precursor layer containing a metal salt to semiconductor conversion treatment to form a metal oxide semiconductor. The production process is characterized in that the metal salt includes one or more metal salts selected from metal nitrates, sulfates, phosphates, carbonates, acetates and oxalates, and the semiconductor precursor layer is formed by coating a solution of the metal salt.
(FR)La présente invention concerne un procédé de production d'une couche de semi-conducteur à oxyde métallique par enduction, qui est préférée du point de vue de l'environnement de production, à l'aide d'un sel métallique en tant que précurseur, et par traitement de conversion de semi-conducteur, qui peut réaliser la production d'une couche de semi-conducteur à oxyde métallique à une basse température, avec un haut rendement de production. La présente invention concerne également un élément TFT utilisant la couche de semi-conducteur. Le procédé de production d'un semi-conducteur à oxyde métallique consiste à soumettre une couche précurseur de semi-conducteur contenant un sel métallique à un traitement de conversion de semi-conducteur pour former un semi-conducteur à oxyde métallique. Le procédé de production est caractérisé en ce que le sel métallique comprend un ou plusieurs sels métalliques sélectionnés parmi les nitrates, sulfates, phosphates, carbonates, acétates et oxalates métalliques, et la couche précurseur de semi-conducteur est formée par enduction d'une solution du sel métallique.
(JA) 本発明は、金属塩を前駆体に用いて、製造環境上好ましい塗布により、また低温での製造が可能な、生産効率の高い、半導体変換処理を行って、金属酸化物半導体層を製造する方法、またこれを用いたTFT素子を提供する。本発明の金属酸化物半導体の製造方法は、金属塩を含有する半導体前駆体層に半導体変換処理を行って金属酸化物半導体を形成する金属酸化物半導体の製造方法において、前記金属塩が、金属の硝酸塩、硫酸塩、燐酸塩、炭酸塩、酢酸塩または蓚酸塩から選ばれる金属塩の1つ以上を含み、かつ、半導体前駆体層が該金属塩の溶液を塗布することにより形成されることを特徴とする。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)