WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | Français | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

国際・国内特許データベース検索
World Intellectual Property Organization
検索
 
閲覧
 
翻訳
 
オプション
 
最新情報
 
ログイン
 
ヘルプ
 
自動翻訳
1. (WO2009081855) 光電変換装置の製造方法及び光電変換装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2009/081855    国際出願番号:    PCT/JP2008/073176
国際公開日: 02.07.2009 国際出願日: 19.12.2008
IPC:
H01L 31/20 (2006.01), H01L 31/075 (2006.01)
出願人: MITSUBISHI HEAVY INDUSTRIES, LTD. [JP/JP]; 16-5, Konan 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1088215 (JP) (米国を除く全ての指定国).
NAKANO, Youji [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: NAKANO, Youji; (JP)
代理人: FUJITA, Takaharu; 37F The Landmark Tower Yokohama, 2-2-1, Minatomirai, Nishi-ku, Yokohama-shi, Kanagawa 2208137 (JP)
優先権情報:
2007-329956 21.12.2007 JP
発明の名称: (EN) METHOD FOR MANUFACTURING PHOTOELECTRIC CONVERSION DEVICE, AND PHOTOELECTRIC CONVERSION DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF DE CONVERSION PHOTOÉLECTRIQUE ET DISPOSITIF DE CONVERSION PHOTOÉLECTRIQUE
(JA) 光電変換装置の製造方法及び光電変換装置
要約: front page image
(EN)Provided is a method for manufacturing, with improved productivity, a photoelectric conversion device having high conversion efficiency. The method includes an n-layer forming step wherein a substrate arranged in a film-forming chamber under depressurized environment is brought into a state heated by a heating means, a material gas is supplied into the film-forming chamber, and an n-layer composed of crystalline silicon is formed on the substrate by supplying power to a discharge electrode arranged to face the substrate. Furthermore, in the n-layer forming step, the n-layer is formed by setting the pressure in the film-forming chamber at 500Pa or more but not more than 1,000Pa, and a distance between the substrate and the discharge electrode at 6mm or more but not more than 12mm.
(FR)La présente invention concerne un procédé de fabrication à productivité améliorée d'un dispositif de conversion photoélectrique ayant une grande efficacité de conversion. Le procédé comprend une étape de formation d'une couche n, dans laquelle un substrat placé dans une chambre filmogène, dans un environnement sous vide, est amené dans un état chauffé par un moyen de chauffage, un gaz matériel est envoyé dans la chambre filmogène, et une couche n constituée de silicium cristallin est formée sur le substrat par envoi d'énergie à une électrode de décharge disposée en face du substrat. En outre, dans l'étape de formation d'une couche n, la couche n est formée par réglage de la pression dans la chambre filmogène à 500 Pa ou plus, mais pas plus de 1000 Pa, et de la distance entre le substrat et l'électrode de charge à 6 mm ou plus, mais pas plus de 12 mm.
(JA) 高い変換効率を有する光電変換装置を、生産性を向上させて製造する方法を提供する。減圧環境とされる製膜室内に設置された基板を加熱手段によって加熱した状態にし、前記製膜室内に原料ガスを供給し、前記基板に対向して配置された放電電極に対して給電することにより前記基板へ結晶質シリコンからなるn層を製膜するn層形成工程を含む光電変換装置の製造方法であって、前記n層形成工程が、前記製膜室内の圧力を500Pa以上1000Pa以下、かつ、前記基板と前記放電電極との距離を6mm以上12mm以下に設定して前記n層を製膜する工程である光電変換装置の製造方法。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)