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1. (WO2009081775) 薄膜トランジスタの製造方法及び薄膜トランジスタ
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2009/081775    国際出願番号:    PCT/JP2008/072685
国際公開日: 02.07.2009 国際出願日: 12.12.2008
IPC:
H01L 21/336 (2006.01), H01L 21/20 (2006.01), H01L 29/786 (2006.01)
出願人: ULVAC, INC. [JP/JP]; 2500 Hagisono, Chigasaki-shi, Kanagawa 2538543 (JP) (米国を除く全ての指定国).
MORIMURA, Taro [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
KIKUCHI, Toru [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
HASHIMOTO, Masanori [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
ASARI, Shin [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
SAITO, Kazuya [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
NAKAMURA, Kyuzo [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: MORIMURA, Taro; (JP).
KIKUCHI, Toru; (JP).
HASHIMOTO, Masanori; (JP).
ASARI, Shin; (JP).
SAITO, Kazuya; (JP).
NAKAMURA, Kyuzo; (JP)
代理人: OMORI, Junichi; 2nd Floor U&M Akasaka Bldg. 7-5-47 Akasaka Minato-Ku, Tokyo 1070052 (JP)
優先権情報:
2007-332774 25.12.2007 JP
発明の名称: (EN) THIN-FILM TRANSISTOR MANUFACTURING METHOD AND THIN-FILM TRANSISTOR
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE TRANSISTOR À COUCHES MINCES ET TRANSISTOR À COUCHES MINCES
(JA) 薄膜トランジスタの製造方法及び薄膜トランジスタ
要約: front page image
(EN)Disclosed are a thin-film transistor manufacturing method having excellent productivity capable of preventing variations in transistor characteristic among elements to improve mobility and a thin-form transistor. The thin-film transistor manufacturing method improves mobility by irradiating a channel portion (41) of an amorphous silicon film (4) with a solid-state green laser (GL) with a source electrode film (71) and a drain electrode film (72) as a mask. Since the channel portion of the amorphous silicon film is crystallized by the irradiation with the solid-state green laser, compared to the conventional method using an excimer laser, the laser oscillation characteristic can be stabilized to enable irradiation of a large-sized substrate with a laser having an in-plane uniform output characteristic, and thereby variations in the crystallinity of a channel portion between elements can be prevented. The maintenance cycle of a laser oscillator is lengthened, thereby enabling a reduction in device downtime cost and an increase in productivity.
(FR)La présente invention concerne un procédé de fabrication de transistor à couches minces présentant une excellente productivité, capable d'empêcher les variations des caractéristiques de transistors entre éléments afin d'améliorer la mobilité, ainsi qu'un transistor à couches minces. Le procédé de fabrication d'un transistor à couches minces améliore la mobilité en irradiant une partie canal (41) d'un film de silicium amorphe (4) avec un laser vert à l'état solide (GL), avec un film d'électrode de source (71) et un film d'électrode de drain (72) en tant que masque. Du fait que la partie canal du film de silicium amorphe est cristallisés par l'irradiation avec le laser vert à l'état solide, la caractéristique d'oscillation du laser peut être stabilisée, par comparaison au procédé classique utilisant un laser excimère, ce qui permet l'irradiation d'un substrat de grande taille avec un laser ayant une caractéristique de sortie uniforme à émission latérale, et ainsi d'empêcher les variations de cristallinité d'une partie canal entre éléments. Le cycle d'entretien d'un oscillateur laser est rallongé, ce qui permet une réduction du coût d'indisponibilité du dispositif et une augmentation de la productivité.
(JA)【課題】素子間におけるトランジスタ特性のバラツキを防止して移動度を高めることができる生産性に優れた薄膜トランジスタの製造方法及び薄膜トランジスタを提供する。 【解決手段】本発明に係る薄膜トランジスタの製造方法は、ソース電極膜71及びドレイン電極膜72をマスクとしてアモルファスシリコン膜4のチャネル部41に固体グリーンレーザGLを照射して移動度を向上させる。固体グリーンレーザの照射によってアモルファスシリコン膜のチャネル部を結晶化させるようにしているので、従来のエキシマレーザを用いる方法に比べて、レーザ発振特性を安定化させ、大型基板に対して面内に一様な出力特性でのレーザ照射が可能となり、素子間におけるチャネル部の結晶度のバラツキを防ぐことができる。また、レーザ発振器のメンテナンスサイクルが長くなるため、装置のダウンタイムコストを低減できるとともに、生産性を高めることが可能となる。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)