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1. (WO2009081724) 窒化物半導体素子およびその製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2009/081724    国際出願番号:    PCT/JP2008/072319
国際公開日: 02.07.2009 国際出願日: 09.12.2008
IPC:
H01L 33/32 (2010.01)
出願人: DOWA Electronics Materials Co., Ltd. [JP/JP]; 4-14-1, Sotokanda, Chiyoda-ku, Tokyo 1010021 (JP) (米国を除く全ての指定国).
OOSHIKA, Yoshikazu [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: OOSHIKA, Yoshikazu; (JP)
代理人: SUGIMURA, Kenji; 36F, Kasumigaseki Common Gate West 3-2-1, Kasumigaseki Chiyoda-ku, Tokyo 1000013 (JP)
優先権情報:
2007-330165 21.12.2007 JP
発明の名称: (EN) NITRIDE SEMICONDUCTOR ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
(FR) ÉLÉMENT SEMI-CONDUCTEUR AU NITRURE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 窒化物半導体素子およびその製造方法
要約: front page image
(EN)Disclosed is a nitride semiconductor element manufacturing method wherein the magnesium activation ratio after annealing is permitted to be a prescribed value or more, irrespective of an Al composition and a residual hydrogen concentration in a p-type nitride semiconductor layer, by forming the p-type nitride semiconductor layer by doping magnesium and carbon so that the concentration ratio of the magnesium and the carbon in the layer is the prescribed value. The nitride semiconductor element has a p-type laminated body wherein a plurality of p-type nitride semiconductor layers expressed as AlXGa1-XN (0≤x≤1) are laminated. The p-type nitride semiconductor layer is formed by doping magnesium and carbon so that the concentration ratio of the magnesium and the carbon in the layer is the prescribed value, and that the magnesium activation ratio after annealing is the prescribed value or more.
(FR)L'invention porte sur un procédé de fabrication d'un élément semi-conducteur au nitrure, dans lequel le rapport d'activation de magnésium après recuit est autorisé à être une valeur prescrite ou plus, indépendamment d'une composition Al et d'une concentration en hydrogène résiduel dans une couche de semi-conducteur au nitrure de type p, par la formation de la couche de semi-conducteur au nitrure de type p par dopage au magnésium et au carbone, de telle sorte que le rapport de concentration du magnésium et du carbone dans la couche est la valeur prescrite. L'élément semi-conducteur au nitrure a un corps laminé de type p, dans lequel une pluralité de couches semi-conductrices de nitrure de type p exprimées comme étant AlXGa1-XN (0 ≤ x ≤1) sont laminées. La couche semi-conductrice au nitrure de type p est formée par dopage au magnésium et au carbone, de telle sorte que le rapport de concentration du magnésium et du carbone dans la couche est la valeur prescrite, et que le rapport d'activation du magnésium après recuit est la valeur prescrite ou plus.
(JA) p型窒化物半導体層を、マグネシウムおよび炭素を、それらマグネシウムと炭素の層中の濃度比が所定の濃度比になるようにドープすることによって形成することにより、p型窒化物半導体層のAl組成や残留する水素濃度にかかわらず、アニール後のマグネシウム活性化率を所定値以上とすることができる窒化物半導体素子の製造方法を提供することを課題とする。AlGa1-xN(0≦x≦1)で表されるp型窒化物半導体層を複数層積層してなるp型積層体を有する窒化物半導体素子の製造方法であって、前記各p型窒化物半導体層は、マグネシウムおよび炭素を、それらマグネシウムと炭素の層中の濃度比が所定の濃度比になるようにドープすることによって形成され、かつ、アニール後のマグネシウム活性化率が、所定値以上であることを特徴とする。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)