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1. (WO2009081689) 半導体モジュール
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2009/081689    国際出願番号:    PCT/JP2008/071605
国際公開日: 02.07.2009 国際出願日: 28.11.2008
予備審査請求日:    19.10.2009    
IPC:
H01L 25/07 (2006.01), H01L 25/18 (2006.01)
出願人: TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 1, Toyota-cho, Toyota-shi, Aichi 4718571 (JP) (米国を除く全ての指定国).
OGAWA, Naoki [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: OGAWA, Naoki; (JP)
代理人: COSMOS PATENT OFFICE; Annex 2nd Floor Nagoya Center Building 2-22, Nishiki 2-chome Naka-ku, Nagoya-shi, Aichi 4600003 (JP)
優先権情報:
2007-331353 25.12.2007 JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR MODULE
(FR) MODULE SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体モジュール
要約: front page image
(EN)Provided is a semiconductor module (100) wherein a stress relaxing layer (45) is arranged between a ceramic substrate (20) whereupon a semiconductor elements (10) (IGBT (11), diode (12)) are mounted and a cooling device on the rear side of the ceramic substrate (20), and the ceramic substrate, the cooling device and the stress modifying layer are integrally formed. Furthermore, the stress modifying layer (45) is separated into a plurality of separated sections (45A, 45B, 45C, 45D) by two slits (461, 462). Furthermore, the slits (461, 462) are positioned between the semiconductor elements when viewed from the thickness direction of the stress modifying layer (45) and not in a projection region of the semiconductor element.
(FR)L'invention porte sur un module semi-conducteur (100), dans lequel une couche de relâchement de contrainte (45) est agencée entre un substrat en céramique (20) sur lequel des éléments semi-conducteurs (10) (IGBT (11), diode (12)) sont montés et un dispositif de refroidissement sur le côté arrière du substrat en céramique (20), et le substrat en céramique, le dispositif de refroidissement et la couche de modification de contrainte sont formés d'un seul tenant. De plus, la couche de modification de contrainte (45) est séparée en une pluralité de sections séparées (45A, 45B, 45C, 45D) par deux fentes (461, 462). De plus, les fentes (461, 462) sont positionnées entre les éléments semi-conducteurs lorsqu'ils sont vus depuis la direction d'épaisseur de la couche de modification de contrainte (45) et non dans une région de projection de l'élément semi-conducteur.
(JA) 半導体モジュール100は,半導体素子10(IGBT11,ダイオード12)を実装するセラミック基板20と,セラミック基板20の裏面側に位置する冷却器との間に,応力緩和層45を配し,それらが一体となっている。さらに,応力緩和層45は,2つのスリット461,462によって複数の個片部45A,45B,45C,45Dに分割される。さらに,スリット461,462は,応力緩和層45の厚さ方向から見て半導体素子間に位置し,半導体素子の投影領域内に位置しない。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)