WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | Français | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

国際・国内特許データベース検索
World Intellectual Property Organization
検索
 
閲覧
 
翻訳
 
オプション
 
最新情報
 
ログイン
 
ヘルプ
 
自動翻訳
1. (WO2009081651) 複合圧電基板の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2009/081651    国際出願番号:    PCT/JP2008/069212
国際公開日: 02.07.2009 国際出願日: 23.10.2008
IPC:
H03H 3/08 (2006.01), H01L 41/09 (2006.01), H01L 41/18 (2006.01), H01L 41/22 (2006.01), H03H 3/02 (2006.01), H03H 9/17 (2006.01)
出願人: Murata Manufacturing Co., Ltd. [JP/JP]; 10-1, Higashikotari 1-chome, Nagaokakyo-shi, Kyoto 6178555 (JP) (米国を除く全ての指定国).
KANDO, Hajime [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
YOSHII, Yoshiharu [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: KANDO, Hajime; (JP).
YOSHII, Yoshiharu; (JP)
代理人: YAMAMOTO, Toshinori; Room 810, Kondo Bldg. 4-12, Nishitenma 4-chome Kita-ku, Osaka-shi Osaka 5300047 (JP)
優先権情報:
2007-333044 25.12.2007 JP
発明の名称: (EN) COMPOSITE PIEZOELECTRIC SUBSTRATE MANUFACTURING METHOD
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE SUBSTRAT PIÉZOÉLECTRIQUE COMPOSITE
(JA) 複合圧電基板の製造方法
要約: front page image
(EN)A composite piezoelectric substrate manufacturing method by which an ultrathin piezoelectric film having a uniform thickness can be formed by efficiently using a piezoelectric material. The method comprises the steps of a) preparing a piezoelectric substrate (2) and a supporting substrate (10), b) implanting ions from a surface (2a) of the piezoelectric substrate (2) to form a defective layer (4) in a region at a predetermined depth from the surface (2a) in the piezoelectric substrate (2), c) regarding at least one of the surface (2a) of the piezoelectric substrate (2) in which the defective layer (4) is formed and a surface (10a) of the supporting substrate (10), removing impurities adhering to the surfaces (2a, 10a) to directly expose and activate atoms constituting the surfaces (2a, 10a), d) joining the supporting substrate (10) to the surface (2a) of the piezoelectric substrate (2) to form a substrate joined body (40), e) separating the substrate joined body (40) by the defective layer (4) formed in the piezoelectric substrate (2) to form a composite piezoelectric substrate (30) formed by a stripping layer (3) between the surface (2a) of the piezoelectric substrate (2) and the defective layer (4) being stripped from the piezoelectric substrate (2) and joined to the supporting substrate (10), and f) smoothing a surface (3a) of the stripping layer (3) of the composite piezoelectric substrate (30).
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication de substrat piézoélectrique composite qui permet la formation d'un film piézoélectrique ultramince présentant une épaisseur uniforme par l'utilisation efficace d'un matériau piézoélectrique. Le procédé comprend les étapes consistant à : a) préparer un substrat piézoélectrique (2) et un substrat de support (10), b) implanter des ions à partir d'une surface (2a) du substrat piézoélectrique (2) pour former une couche défectueuse (4) dans une région à une profondeur prédéterminée de la surface (2a) dans le substrat piézoélectrique (2), c) concernant la surface (2a) du substrat piézoélectrique (2) dans lequel la couche défectueuse (4) est formée et/ou une surface (10a) du substrat de support (10), retirer les impuretés adhérant aux surfaces (2a, 10a) pour exposer directement et activer les atomes constituant les surfaces (2a, 10a), d) joindre le substrat de support (10) à la surface (2a) du substrat piézoélectrique (2) pour former un corps joint de substrats (40), e) séparer le corps joint de substrats (40) par la couche défectueuse (4) formée dans le substrat piézoélectrique (2) pour former un substrat piézoélectrique composite (30) formé par une couche séparatrice (3) entre la surface (2a) du substrat piézoélectrique (2) et la couche défectueuse (4) qui est séparée du substrat piézoélectrique (2) et jointe au substrat de support (10) et f) lisser une surface (3a) de la couche séparatrice (3) du substrat piézoélectrique composite (30).
(JA) 圧電体材料を効率良く利用して、均質な厚みの極薄圧電膜を形成することができる、複合圧電基板の製造方法を提供する。  a)圧電体基板2と支持基板10とを準備し、b)圧電体基板2の表面2aからイオンを注入して、圧電体基板2内において表面2aから所定深さの領域に欠陥層4を形成し、c)欠陥層4が形成された圧電体基板2の表面2aと支持基板10の表面10aとの少なくとも一方について、表面2a,10aに付着した不純物を除去して表面2a,10aを構成する原子を直接露出させ、活性化させ、d)圧電体基板2の表面2aに支持基板10を接合して基板接合体40を形成し、e)基板接合体40を、圧電体基板2内に形成された欠陥層4で分離して、圧電体基板2の表面2aと欠陥層4との間の剥離層3が圧電体基板2から剥離されて支持基板10に接合された複合圧電基板30を形成し、f)複合圧電基板30の剥離層3の表面3aを平滑化する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)