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1. (WO2009081647) 弾性表面波装置

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2009/081647    国際出願番号:    PCT/JP2008/068839
国際公開日: 02.07.2009 国際出願日: 17.10.2008
H03H 9/145 (2006.01), H03H 9/25 (2006.01)
出願人: MURATA MANUFACTURING CO., LTD. [JP/JP]; 10-1, Higashikotari 1-chome, Nagaokakyo-shi, Kyoto 6178555 (JP) (米国を除く全ての指定国).
KIMURA, Tetsuya [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
KADOTA, Michio [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
YAOI, Mari [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: KIMURA, Tetsuya; (JP).
KADOTA, Michio; (JP).
YAOI, Mari; (JP)
代理人: MIYAZAKI, Chikara; 6F, Daido Seimei Bldg., 5-4 Tanimachi 1-chome, Chuo-ku Osaka-shi, Osaka 5400012 (JP)
2007-328823 20.12.2007 JP
(JA) 弾性表面波装置
要約: front page image
(EN)A surface acoustic wave apparatus capable of obtaining better resonance characteristic and filter characteristic because the formation of an SiO2 film allows an improvement in a frequency-temperature characteristic, the prevention of an increase in an insertion loss, the acquisition of the reflection coefficient of an electrode with a sufficient size, and further the suppression of undesired spurious is provided. The surface acoustic wave apparatus (11) in which a plurality of grooves (1b) are formed on an upper surface (1a) of an LiNbO3 substrate (1), an IDT electrode (3) based on a Pt is formed in the grooves (1b), the SiO2 layer (4) is formed so as to cover the upper surface (1a) of the LiNbO3 substrate (1) and the IDT electrode (3), and the surface of the SiO2 layer (4) is smoothed and which utilizes a Rayleigh wave response and in which the Euler angle of the LiNbO3 substrate is in the range of (0° ±5°, 208° to 228°, 0° ±5°).
(FR)L'invention concerne un appareil à ondes acoustiques de surface capable d'obtenir une meilleure caractéristique de résonance et une meilleure caractéristique de filtrage parce que la formation d'un film de SiO2 permet une amélioration d'une caractéristique fréquence-température, la prévention d'une augmentation d'une perte d'insertion, l'acquisition du coefficient de réflexion d'une électrode avec une taille suffisante, et en outre la suppression de parasite indésirable. Dans l'appareil à ondes acoustiques de surface (11), une pluralité de rainures (1b) sont formées sur une surface supérieure (1a) d'un substrat en LiNbO3 (1), une électrode IDT (3) à base de Pt est formée dans les rainures (1b), la couche de SiO2 (4) est formée de manière à recouvrir la surface supérieure (1a) du substrat en LiNbO3 (1) et l'électrode IDT (3), et la surface de la couche de SiO2 (4) est lissée. L'appareil à ondes acoustiques de surface (11) utilise une réponse d'onde Rayleigh et l'angle d'Euler du substrat en LiNbO3 est dans la plage de 0° ± 5°, 208° à 228°, 0° ± 5°.
(JA) SiO膜の形成により、周波数温度特性の改善を図ることができ、しかも挿入損失の増大が生じ難く、電極の反射係数が十分な大きさとされ得るだけでなく、所望でない上記スプリアスを抑圧することが可能とされており、それによって、より一層良好な共振特性やフィルタ特性を得ることを可能とする弾性表面波装置を提供する。  LiNbO基板1の上面1aに複数本の溝1bが形成されており、溝1b内にPtを主体とするIDT電極3が形成されており、LiNbO基板1の上面1a及びIDT電極3を覆うようにSiO層4が形成されており、SiO層4の表面が平坦化されており、レイリー波による応答を利用しており、かつLiNbO基板のオイラー角が、(0°±5°,208°~228°,0°±5°°)の範囲内にある、弾性表面波装置11。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)