WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | Français | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

国際・国内特許データベース検索
World Intellectual Property Organization
検索
 
閲覧
 
翻訳
 
オプション
 
最新情報
 
ログイン
 
ヘルプ
 
自動翻訳
1. (WO2009081633) アクティブマトリクス基板、これを備えた液晶表示装置、及びアクティブマトリクス基板の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2009/081633    国際出願番号:    PCT/JP2008/066665
国際公開日: 02.07.2009 国際出願日: 16.09.2008
IPC:
G02F 1/1368 (2006.01), G02F 1/1345 (2006.01), G09F 9/30 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 29/786 (2006.01)
出願人: SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 22-22, Nagaike-cho, Abeno-ku, Osaka-shi, Osaka 5458522 (JP) (米国を除く全ての指定国).
NAKATA, Yukinobu; (米国のみ)
発明者: NAKATA, Yukinobu;
代理人: HARAKENZO WORLD PATENT & TRADEMARK; Daiwa Minamimorimachi Building 2-6, Tenjinbashi 2-chome Kita Kita-ku, Osaka-shi Osaka 530-0041 (JP)
優先権情報:
2007-328942 20.12.2007 JP
発明の名称: (EN) ACTIVE MATRIX SUBSTRATE, LIQUID-CRYSTAL DISPLAY DEVICE HAVING THE SUBSTRATE, AND MANUFACTURING METHOD FOR THE ACTIVE MATRIX SUBSTRATE
(FR) SUBSTRAT DE MATRICE ACTIVE, DISPOSITIF D'AFFICHAGE À CRISTAUX LIQUIDES PRÉSENTANT LE SUBSTRAT ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DU SUBSTRAT DE MATRICE ACTIVE
(JA) アクティブマトリクス基板、これを備えた液晶表示装置、及びアクティブマトリクス基板の製造方法
要約: front page image
(EN)Provided is a method for manufacturing an active matrix substrate by using a photolithography. This method comprises a step (a step (2)) of removing, before a source metal film (a second metal film) is formed in a region to have a terminal portion formed in a non-display region (a peripheral region), at least a portion of a gate insulating film (GI) (a first inter-layer insulating layer) laminated on a gate metal film (a first metal film), and a step (a step (4)) of etching, after a passivation film (Pas) (a second inter-layer insulating layer) was formed on a source wiring line (a signal wiring line) in a display region, so that the passivation film (Pas) and a semiconductor layer (an i-th layer) may have the same pattern excepting a portion of a drain electrode (16a) of the TFT.
(FR)L'invention propose un procédé de fabrication d'un substrat de matrice active par recours à la photolithographie. Ce procédé comprend une étape (étape (2)) qui consiste à enlever au moins une partie d'un film d'isolation de grille(GI) (première couche d'isolation intercouche) stratifié sur un film métallique de grille (premier film métallique) avant qu'un film métallique de source (deuxième film métallique) soit formé dans une zone destinée à avoir une partie de borne formée dans une zone de non-affichage (zone périphérique), et une étape (étape (4)) de gravure après qu'un film de passivation (Pas) (deuxième couche d'isolation intercouche) a été formé sur un conducteur de câblage de source (conducteur de câblage de signaux) dans une zone d'affichage, de sorte que le film de passivation (Pas) et qu'une couche semi-conductrice (i-ème couche) puissent présenter le même motif, à l'exception d'une partie d'une électrode de drain (16a) du TFT.
(JA) 本発明の製造方法は、フォトリソグラフィを用いてアクティブマトリクス基板を製造する方法である。この方法では、非表示領域(周辺領域)における端子部が形成される領域において、ソース金属膜(第2の金属膜)を成膜する前に、ゲート金属膜(第1の金属膜)上に積層されているゲート絶縁膜GI(第1の層間絶縁層)の少なくとも一部を除去する工程(工程(2))と、ソース配線(信号配線)上に、パッシベーション膜Pas(第2の層間絶縁層)を成膜した後に、表示領域において、パッシベーション膜Pasと半導体層(i層)とが、TFTのドレイン電極(16a)の一部分を除いて同一パターンとなるようにエッチングを行う工程(工程(4))と、を含んでいる。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)