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1. (WO2009081497) 固体撮像素子、固体撮像装置及びその製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2009/081497    国際出願番号:    PCT/JP2007/074961
国際公開日: 02.07.2009 国際出願日: 26.12.2007
IPC:
H01L 27/148 (2006.01), H01L 31/10 (2006.01), H04N 5/335 (2011.01), H04N 5/369 (2011.01), H04N 5/372 (2011.01)
出願人: Unisantis Electronics (Japan) Ltd. [JP/JP]; 2F, Fujilight Shinkawa Bldg, 22-11, Shinkawa 1-chome, Chuo-ku, Tokyo 1040033 (JP) (米国を除く全ての指定国).
MASUOKA, Fujio [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
NAKAMURA, Hiroki [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: MASUOKA, Fujio; (JP).
NAKAMURA, Hiroki; (JP)
代理人: KUMAKURA, Yoshio; NAKAMURA & PARTNERS, Shin-Tokyo Bldg., 3-1, Marunouchi 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008355 (JP)
優先権情報:
発明の名称: (EN) SOLID-STATE IMAGING ELEMENT, SOLID-STATE IMAGING DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
(FR) ELÉMENT D'IMAGERIE À L'ÉTAT SOLIDE, DISPOSITIF D'IMAGERIE À L'ÉTAT SOLIDE ET LEUR PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 固体撮像素子、固体撮像装置及びその製造方法
要約: front page image
(EN)There are provided a CCD solid-state imaging device having a read-out channel area reduced, and thus having a large ratio of a photo diode surface area relative to an area of a pixel. The solid-state imaging device includes a first conductivity type semiconductor layer; a first conductivity type columnar semiconductor layer formed on the first conductivity type semiconductor layer; a second conductivity type photoelectric conversion region having an amount of electrical charge varied upon reception of light, formed over the first conductivity type columnar semiconductor layer, and a first conductivity type heavily doped impurity region formed over the surface of the second conductivity type photoelectric conversion region, at a given interval from the upper end of the first conductivity type columnar semiconductor layer, wherein a transfer electrode is formed on a side surface of the first conductivity type columnar semiconductor layer via a gate insulating film, and a second conductivity type CCD channel region is formed below the transfer electrode, and a read-out channel is formed in a region sandwiched between the second conductivity type photoelectric conversion region and the second conductivity type CCD channel region.
(FR)La présente invention concerne un dispositif d'imagerie à l'état solide CCD ayant une région de canal de lecture réduite et ayant donc un rapport élevé entre une aire de photodiode et une aire d'un pixel. Le dispositif d'imagerie à l'état solide comprend une couche à semi-conducteurs d'un premier type de conductivité ; une couche à semi-conducteurs en colonne du premier type de conductivité formée sur la couche à semi-conducteurs du premier type de conductivité ; une région de conversion photoélectrique d'un second type de conductivité ayant une quantité de charge électrique variant lors de la réception de lumière, formée sur la couche à semi-conducteurs en colonne du premier type de conductivité, et une région d'impuretés lourdement dopée du premier type de conductivité formée sur la surface de la région de conversion photoélectrique du second type de conductivité, à un intervalle donné par rapport à l'extrémité supérieure de la couche à semi-conducteurs en colonne du premier type de conductivité, une électrode de transfert étant formée sur une surface latérale de la couche à semi-conducteurs en colonne du premier type de conductivité par l'intermédiaire d'un film d'isolation de grille, et une région de canal CCD du second type de conductivité étant formée en dessous de l'électrode de transfert, et un canal de lecture étant formé dans une région intercalée entre la région de conversion photoélectrique du second type de conductivité et la région de canal CCD du second type de conductivité.
(JA) 読み出しチャネルの面積を低減し、一画素の面積に対する受光部(フォトダイオード)の表面積の割合が大きいCCD固体撮像素子を提供することを目的とする。  第1導電型半導体層と、第1導電型半導体層上に形成された第1導電型柱状半導体層と、第1導電型柱状半導体層の上部に形成された、受光により電荷量が変化する第2導電型光電変換領域と、第1導電型柱状半導体層の上端と所定の間隔を置いて第2導電型光電変換領域の表面に形成された第1導電型の高濃度不純物領域とを備え、第1導電型柱状半導体層の側面にはゲート絶縁膜を介して転送電極が形成され、転送電極の下方に第2導電型CCDチャネル領域が形成され、第2導電型光電変換領域と第2導電型CCDチャネル領域に挟まれた領域に読み出しチャネルが形成されていることを特徴とする固体撮像素子を提供する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)