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1. WO2009075288 - シリコン基板とその製造方法

公開番号 WO/2009/075288
公開日 18.06.2009
国際出願番号 PCT/JP2008/072400
国際出願日 10.12.2008
IPC
H01L 21/322 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
322半導体本体の内部性質の改変,例.内部不完全性の形成
C30B 29/06 2006.01
C化学;冶金
30結晶成長
B単結晶成長;共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出;物質のゾーンメルティングによる精製;特定構造を有する均質多結晶物質の製造;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理;そのための装置
29材料または形状によって特徴づけられた単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質
02元素
06シリコン
H01L 27/148 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
271つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
14赤外線,可視光,短波長の電磁波または粒子線輻射に感応する半導体構成部品で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御するかのどちらかに特に適用されるもの
144輻射線によって制御される装置
146固体撮像装置構造
148電荷結合型固体撮像装置
CPC
C30B 15/00
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
15Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
C30B 29/06
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
29Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
02Elements
06Silicon
C30B 33/02
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
33After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure
02Heat treatment
H01L 21/3225
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
322to modify their internal properties, e.g. to produce internal imperfections
3221of silicon bodies, e.g. for gettering
3225Thermally inducing defects using oxygen present in the silicon body for intrinsic gettering
H01L 27/14698
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
14including semiconductor components sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
144Devices controlled by radiation
146Imager structures
14683Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
14698Post-treatment for the devices, e.g. annealing, impurity-gettering, shor-circuit elimination, recrystallisation
出願人
  • 株式会社SUMCO SUMCO CORPORATION [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • 栗田 一成 KURITA, Kazunari [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 表 秀一 OMOTE, Shuichi [JP]/[JP] (UsOnly)
発明者
  • 栗田 一成 KURITA, Kazunari
  • 表 秀一 OMOTE, Shuichi
代理人
  • 志賀 正武 SHIGA, Masatake
優先権情報
2007-32012911.12.2007JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) SILICON SUBSTRATE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
(FR) SUBSTRAT EN SILICIUM ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) シリコン基板とその製造方法
要約
(EN)
A method for manufacturing a silicon substrate is provided with a step of pulling, by the CZ method, a silicon single crystal, which has a B concentration equivalent to a resistivity of 8mΩcm to 10mΩcm, a C concentration of 0.5×1016 to 10×1016atoms/cm3 and an oxygen concentration of 1×1018 to 10×1018atoms/cm3, so as to surely perform gettering and improve gettering performance. The method is also provided with a heat treatment step of promoting precipitation by performing heat treatment at 600-800°C for 0.25-3 hours to a silicon substrate sliced from the pulled silicon single crystal.
(FR)
L'invention porte sur un procédé de fabrication d'un substrat en silicium qui comprend une étape de tirage, par le procédé CZ, d'un monocristal de silicium, ayant une concentration B équivalente à une résistivité de 8 mΩ.cm à 10 mΩ.cm, une concentration C de 0,5×1016 à 10×1016 atomes/cm3 et une concentration en oxygène de 1×1018 à 10×1018 atomes/cm3, de façon à effectuer de façon sûre un piégeage ('gettering') et à améliorer sa performance. Le procédé comprend également une étape de traitement thermique consistant à provoquer une précipitation par exécution d'un traitement thermique allant de 600 à 800 °C pendant 0,25 à 3 heures sur un substrat en silicium découpé en tranches à partir du monocristal de silicium tiré.
(JA)
 ゲッタリング能力の確実性とその向上を図るために、CZ法によりB濃度が抵抗率8mΩcm~10mΩcmに相当する濃度、C濃度が0.5×1016~10×1016atoms/cm、酸素濃度が1×1018~10×1018atoms/cmを有するシリコン単結晶を引き上げる工程と、  引き上げたシリコン単結晶からスライスしたシリコン基板に600~800°Cで0.25~3時間の熱処理をおこなう析出を促進する熱処理工程とを有する。
他の公開
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