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1. WO2009075196 - 半導体加工用両面粘着テープ及び半導体加工用テープ

Document

明 細 書

発明の名称 半導体加工用両面粘着テープ及び半導体加工用テープ

技術分野

0001  

背景技術

0002   0003   0004   0005   0006   0007   0008   0009  

発明の開示

発明が解決しようとする課題

0010  

課題を解決するための手段

0011   0012   0013   0014   0015   0016   0017   0018   0019   0020   0021   0022   0023   0024   0025   0026   0027   0028   0029   0030   0031   0032   0033   0034   0035   0036   0037   0038   0039   0040   0041   0042   0043   0044   0045   0046   0047   0048   0049   0050   0051   0052   0053   0054   0055   0056   0057   0058   0059   0060   0061   0062   0063   0064   0065   0066  

発明の効果

0067  

発明を実施するための最良の形態

0068   0069   0070   0071   0072   0073   0074   0075   0076   0077   0078   0079   0080   0081   0082   0083   0084   0085   0086   0087   0088   0089   0090   0091   0092   0093   0094   0095   0096   0097   0098   0099   0100   0101   0102   0103  

産業上の利用可能性

0104  

図面の簡単な説明

0105   0106  

請求の範囲

1   2   3   4  

図面

1   2   3   4  

明 細 書

半導体加工用両面粘着テープ及び半導体加工用テープ

技術分野

[0001]
本発明は、ICチップの製造時に半導体用ウエハと支持板とを接着して半導体用ウエハを補強するために用いられる半導体加工用両面粘着テープであって、刺激を与えることにより容易かつ確実に半導体加工用両面粘着テープと支持板との間で剥離できる半導体加工用両面粘着テープに関する。本発明は、また、減圧加熱工程を有する半導体の加工時において半導体に貼付してこれを保護するための半導体加工用テープに関する。

背景技術

[0002]
ICチップの製造工程において、高純度なシリコン単結晶等から切り出した厚膜半導体ウエハを所定の厚さにまで研削して薄膜半導体ウエハとする場合に、半導体ウエハを支持板に接着して補強することにより、効率よく作業を進める方法が提案されている。このとき半導体ウエハと支持板とを接着するための両面粘着テープは、研削工程中には強固に接着する一方で、研削工程終了後には得られた薄膜ウエハを損傷することなく支持板から剥がせることが求められる。とりわけ、近年ではICチップの表面に複雑な回路が形成されて表面が極めて凹凸な回路ウエハが製造されるようになってきており、このような表面の凹凸への高い追従性と、剥離時の易剥離とを両立させることが強く求められるようになってきている。
[0003]
粘着テープを剥がす方法は、例えば、物理的な力を加えて引き剥がすことが考えられる。しかしながら、この方法では被着体が軟弱な場合には重大な損傷を与えてしまうことがある。また、粘着剤を溶解できる溶剤を用いて粘着テープを剥がす方法も考えられる。しかしながら、この方法も被着体が溶剤によって侵されるものである場合には用いることができない。
このように、いったん接着に用いた粘着テープは、接着力が強固であるほど、被着体を損傷することなく剥がすことが困難であるという問題点があった。
[0004]
これに対して特許文献1には、光硬化型の粘着剤中に光を照射することにより気体を発生する気体発生剤を含有した粘着剤層を有する両面粘着テープを介して半導体ウエハを支持板に固定し、この状態で半導体ウエハの研削等の工程を行うICチップの製造方法が開示されている。このような両面粘着テープに光を照射すると、光照射により粘着剤が硬化して弾性率が上昇する一方、気体発生剤から気体が発生する。弾性率が上昇した粘着剤層中で発生した気体は、高い効率で粘着剤層から放出されて、接着面の少なくとも一部を剥離する。従って、このような両面粘着テープを用いれば、極めて破損しやすい極薄のICチップを製造する場合であっても、両面粘着テープに光を照射することにより、容易にかつ破損させることなくウエハから両面粘着テープを剥離することができる。
[0005]
特許文献1に記載された両面粘着テープにおいては、気体発生剤として特にアゾ化合物が好ましい旨が記載されている。これは、アゾ化合物は取扱いが極めて容易であること、連鎖反応を起こして爆発的に気体を発生することもないため被着体を損傷する危険性がないこと、紫外線の照射を中断すれば気体の発生も中断できることから用途に合わせた接着性の制御が可能であること等の種々の利点があることによる。しかしながら、アゾ化合物は、150℃程度の熱により分解してしまうことから、耐熱性の面では必ずしも充分ではなかった。例えば、上述のICチップの製造方法においては、近年スパッタリングによる金属薄膜形成工程等を行うこともあり、このような工程においてはウエハの表面温度が150℃を超えることも珍しくない。このような高温工程を経る場合には、従来のアゾ化合物を用いた粘着テープでは所期の剥離性を発揮できないこともあった。
[0006]
これに対して、特許文献1には、気体発生剤としてアジド化合物も記載されている。また、特許文献2にも、アジド化合物を含有する剥離性の高い半導体固定用粘着剤が記載されている。アジド化合物は、アゾ化合物に比べて耐熱性に優れることから、アジド化合物を用いれば高温工程を有する用途に使用しても、充分な剥離性能が得られることが期待された。しかしながら、実際には、アジド化合物を用いても充分な剥離性能が得られないという問題があった。
[0007]
半導体の製造においては、加工時に半導体の取扱いを容易にし、破損したりしないようにするために半導体加工用テープを貼付することが行われている。例えば、高純度なシリコン単結晶等から切り出した厚膜ウエハを所定の厚さにまで研削して薄膜ウエハとする場合に、厚膜ウエハを支持板に接着して補強する際に両面粘着テープが用いられる。また、所定の厚さに研削された薄膜ウエハを個々のICチップにダイシングする際にも、ダイシングテープと呼ばれる粘着テープが用いられる。
[0008]
半導体加工用テープには、加工工程中に半導体を強固に固定できるだけの高い粘着性とともに、工程終了後には半導体を損傷することなく剥離できることが求められる。これに対して特許文献3には、紫外線等の光を照射することにより硬化して粘着力が低下する光硬化型粘着剤を用いた粘着テープが開示されている。このような粘着テープは、加工工程中には確実に半導体を固定できるとともに、紫外線等を照射することにより容易に剥離することができる。
[0009]
近年、半導体の実装方法の多様化により、粘着テープを貼付した状態でウエハを高減圧下で加熱する処理が多くなってきている。このような減圧加熱工程を有する処理としては、例えば、化学蒸着、物理蒸着、スパッタリング、ドライエッチング、メッキ等が挙げられる。しかしながら、従来の光硬化型粘着剤を用いた粘着テープを減圧加熱工程を有する半導体の加工時に用いた場合、紫外線等を照射する前であっても剥離してしまうことがあるという問題があった。このような剥離は、とりわけ非着面に回路等の凹凸が形成されている場合に顕著であった。
特許文献1 : 特開2003-231872号公報
特許文献2 : 特開2001-200234号公報
特許文献3 : 特開平5-32946号公報

発明の開示

発明が解決しようとする課題

[0010]
本発明は、ICチップの製造時に半導体用ウエハと支持板とを接着して半導体用ウエハを補強するために用いられる半導体加工用両面粘着テープであって、刺激を与えることにより容易かつ確実に半導体加工用両面粘着テープと支持板との間で剥離できる半導体加工用両面粘着テープを提供することを目的とする。本発明は、また、減圧加熱工程を有する半導体の加工時において半導体に貼付してこれを保護するための半導体加工用テープを提供することを目的とする。

課題を解決するための手段

[0011]
第1の本発明は、ICチップの製造時に半導体用ウエハと支持板とを接着して半導体用ウエハを補強するために用いられる半導体加工用両面粘着テープであって、基材と前記基材の両面に形成された粘着剤層とからなり、支持板と接着する側の粘着剤層が、刺激により気体を発生する気体発生剤を含有するものであり、かつ、該支持板と接着する側の粘着剤層に接する側の前記基材にドット状の離型処理が施されており、離型処理を施したドットの直径をx、1cm あたりのドットの個数をyとしたときに、xとyとが図4の破線A、破線B及び破線Cで囲まれた範囲内である半導体加工用両面粘着テープである。
[0012]
第2の本発明は、本発明は、減圧加熱工程を有する半導体の加工時において半導体に貼付してこれを保護するための半導体加工用テープであって、基材の少なくとも一方の面に、光硬化型粘着剤100重量部に対して7~20重量部のシリカ微粒子を含有する粘着剤層を有するものであり、前記シリカ微粒子は、平均粒子径が1.0μm以下、かつ、最大粒子径が5.0μm以下となるように前記粘着剤層中に分散している半導体加工用テープである。
以下に本発明を詳述する。
[0013]
第1の本発明の半導体加工用両面粘着テープについて詳しく説明する。
本発明者らは、両面粘着テープにより接着されたウエハと支持板とを剥離する際にウエハにかかる応力を検討した。その結果、最もウエハに応力がかかるのは、ウエハと支持板という剛体同士を剥離するときであるとの結論を得た。剥離時に、まず両面粘着テープと支持板との間で剥離できれば、残った柔軟な両面粘着テープは、めくるようにしてウエハから剥離できることから、この剥離時にはほとんどウエハを損傷することがない。
このように先にウエハと支持板とを剥離するためには、例えば、両面粘着テープの支持板と接着する側の粘着剤層のみに気体発生剤を含有させることが考えられる。しかしながら、このような両面粘着テープにより接着したウエハと支持板とに刺激を与えて気体発生剤から気体を発生させても、実際には支持板を剥離できないことが多いということがわかった。これは、気体の発生によりいったん支持板が剥離したとしても、支持板自体の自重によって再び粘着剤層と密着して剥離できなくなる(以下、これを「再密着」ともいう)ためであると考えられた。
[0014]
本発明者らは、更に鋭意検討の結果、支持板と接着する側に気体発生剤を含有させた粘着剤層に接する側の基材にドット状の離型処理を施すことにより、刺激を与えるだけで確実に支持板を剥離できるようになることを見出し、本発明を完成するに至った。
第1の本発明の半導体加工用両面粘着テープ(以下、単に「両面粘着テープ」ともいう)を用いた場合の支持板剥離の機構について図面を用いて詳しく説明する。
[0015]
図1は、従来の支持板と接着する側に気体発生剤を含有させた粘着剤層を有する両面粘着テープを用いて接着した支持板と半導体ウエハに、刺激(光)を与えた場合の模式図である。図1(a)において、半導体ウエハ1と支持板2とは両面粘着テープ3を介して接着されている。ここで両面粘着テープ3は、基材31の両面に粘着剤層32と粘着剤33とが形成されているものであり、支持板と接着する側の粘着剤層32は光照射により気体を発生する気体発生剤を含有している。このような積層体に光を照射すると、粘着剤層32に含有される気体発生剤から気体が発生する。発生した気体は粘着剤層32の外に出ようとするが、通常は基材-粘着剤層間の接着力の方が基材-支持板間の接着力よりも高いことから、ほとんどの気体は基材-支持板間の接着界面に放出される。この放出された気体の圧力により基材-支持板間の接着界面の少なくとも一部が剥がされて、支持板が剥離される(図1(b))。ところが、いったん剥離したとしても、支持板自体の自重によって再び粘着剤層と密着(再密着)してしまい剥離できなくなる(図1(c))。
[0016]
図2は、本発明の両面粘着テープを用いて接着した支持板と半導体ウエハに、刺激(光)を与えた場合の模式図である。図2(a)において、半導体ウエハ1と支持板2とは両面粘着テープ4を介して接着されている。ここで両面粘着テープ4は、基材41の両面に粘着剤層42と粘着剤43とが形成されているものであり、支持板と接着する側の粘着剤層42は光照射により気体を発生する気体発生剤を含有している。そして、粘着剤層42と接する側の基材41にドット状に離型処理が施されている(離型処理部411)。この点において、従来の両面粘着テープと異なっている。
このような積層体に光を照射すると、粘着剤層42に含有される気体発生剤から気体が発生する。発生した気体は粘着剤層42の外に出ようとし、従来の場合と同様に基材-支持板間の接着界面に気体が放出され、放出された気体の圧力により基材-支持板間の接着界面の少なくとも一部が剥がされて支持板が剥離される。一方、基材41-粘着剤層42間には離型処理部411が設けられており、この部分はその周りに比べて接着力が劣る。そのため、粘着剤層42から発生した気体は、剥離処理部411にも放出される。その結果、基材41-粘着剤層間42の界面には離型処理部411に該当する部位に空気溜まり5が形成され、この空気溜まり5の存在によって粘着剤層42が波打った形状に変化する(図2(b))。いったん剥離した支持板が自重によって再び粘着剤層と密着しようとしても、このような波打った形状の粘着剤層に対しては充分に密着することができず、従って再密着することなく容易に剥離することができる(図2(c))。
[0017]
本発明の両面粘着テープは、基材と該基材の両面に形成された粘着剤層とからなる。
上記基材は特に限定されないが、光を透過又は通過するものであることが好ましく、例えば、アクリル、オレフィン、ポリカーボネート、塩化ビニル、ABS、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ナイロン、ウレタン、ポリイミド等の透明な樹脂からなるシート、網目状の構造を有するシート、孔が開けられたシート等が挙げられる。
上記基材は、コロナ処理等の粘着剤層との接着性を向上させるための処理が施されていてもよい。
[0018]
上記基材の支持板と接着する側の粘着剤層に接する側の面にはドット状の離型処理が施されている。
本明細書において離型処理とは、周囲に対して粘着力又は接着力の低い領域を形成する処理をすべて含む。
また、ドット状とは、離型処理部のドット(点)が基材の略全面に規則的に又はランダムに分布していることを意味する。
図3(a)(b)にドット状の離型処理の例を表す模式図を示したが、本発明はこれらの例にのみ限定されるものではない。
ドット(点)の形状は特に限定されず、例えば円形をはじめ、三角形状、四角形状、星型形状等どのような形状であってもよい。
[0019]
ドット(点)の直径の下限は0.5mm、上限は3.0mmである。ドット(点)の直径が0.5mm未満であると、刺激を与えても粘着剤層が波打った形状とはならず、再密着を防止することができない。ドット(点)の直径が3.0mmを超えると、形成される空気溜まりが大きく、粘着剤層が波打った形状が緩やかになって充分に再密着を防止できなかったり、粘着剤層がウエハ側に付着して糊残りが生じたりする。
[0020]
本発明の両面粘着テープにおいて、刺激を与えることにより容易かつ確実に両面粘着テープと支持板とを剥離できるという効果は、上記離型処理を施したドット(点)の直径をx、1cm あたりのドット(点)の個数をyとしたときに、xとyとが一定の範囲内にある場合にのみ発揮される。
[0021]
例えば、ドット(点)の直径が0.5mmの場合、1cm あたりのドット(点)の個数の下限は1個、上限は12個である。1cm あたりのドット(点)の個数が1個未満であると、刺激を与えても粘着剤層が波打った形状とはならず、再密着を防止することができない。1cm あたりのドット(点)の個数が12個を超えると、粘着剤層がウエハ側に付着してしまうことがある。
[0022]
ドット(点)の直径が1.0mmの場合、1cm あたりのドット(点)の個数の下限は1個、上限は6個である。
ドット(点)の直径が1.5mmの場合、1cm あたりのドット(点)の個数の下限は1個、上限は4個である。
ドット(点)の直径が2.0mmの場合、1cm あたりのドット(点)の個数の下限は1個、上限は3個である。
ドット(点)の直径が2.5mmの場合、1cm あたりのドット(点)の個数の下限は1個、上限は2個である。
ドット(点)の直径が3.0mmの場合、1cm あたりのドット(点)の個数の下限は1個、上限は1個である。
[0023]
図4に、離型処理を施したドットの直径xと1cm あたりのドットの個数yとの関係を示した。図4においては、刺激を与えることにより容易かつ確実に両面粘着テープと支持板とを剥離できる点を「○」で、再密着して剥離できなかったり、ウエハ上に糊残りを生じたりする点を「×」でプロットしている。これらより、xとyとが図4の破線A、破線B及び破線Cで囲まれた範囲内であるときにのみ、刺激を与えることにより容易かつ確実に両面粘着テープと支持板とを剥離できることが判る。
上記破線A、破線B及び破線Cで囲まれた範囲内、0.5≦x≦3.0、y≧1であり、かつ、下記式を満たす範囲内である。
 y=18-12x (0.5≦x≦1.0)
 y=10-4x (1.0≦x≦1.5)
 y=7-2x (1.5≦x≦3.0)
[0024]
上記ドット状の離型処理を施す方法は特に限定されないが、離型剤をグラビア印刷等の印刷方法により処理する方法が簡便であり好ましい。
上記離型剤は特に限定されず、例えば、シリコン系、長鎖アルキル系、フッ素系の離型剤等を用いることができる。
上記長鎖アルキル系離型剤は、例えば、一方社油脂工業社製のピーロイル1050、ピーロイル406等が挙げられる。
上記シリコン系離型剤は、例えば、信越化学工業社製のKM722T、KF412SP等が挙げられる。
上記フッ素系離型剤は、例えば、スリーエム社製のEGC-1720、日進化成社製のダイフリー等が挙げられる。
また、離型剤を用いる方法以外にも、PET基材等にコロナ処理等の接着性向上処理を施す際に、ドット状にマスクしたうえでコロナ処理を行う方法等が挙げられる。
[0025]
上記粘着剤層のうち支持板と接着する側の粘着剤層(以下、「支持板側粘着剤層」ともいう)は、刺激により気体を発生する気体発生剤を含有するものである。
上記支持板側粘着剤層を構成する粘着剤は、従来公知のものを用いることができる。
上記気体発生剤は特に限定されず、例えば、アゾ化合物、アジド化合物等が挙げられる。
[0026]
上記支持板側粘着剤層を構成する粘着剤は、特にスパッタリング等の高温工程を含む加工に供するときに支持板を貼り合わせてこれを保護する用途に用いる場合には、特に高い耐熱性が要求される。このような耐熱性に優れた支持板側粘着剤層は、例えば、酸価が25mgKOH/g以下、かつ、水酸基価が25mgKOH/g以下である反応性二重結合を有しない(メタ)アクリル系樹脂と、TG-DTA測定にて150℃で1時間保持した際の重量減少が5%以下のアジド化合物とを含有し、ゲル分率が75~100%であるものが好適である。
以下に、このような耐熱性に優れた支持板側粘着剤層について詳しく説明する。
[0027]
上記支持板側粘着剤層に用いる(メタ)アクリル系樹脂は、酸価が25mgKOH/g以下であることが好ましい。酸価が25mgKOH/gを超えると、加熱によって粘着剤層の粘着力が昂進するため、気体を発生させても充分に接着力を低減させることができないことがある。
なお、本明細書において、酸価とは、JIS K 6751に準拠した方法により測定することができる値であって、上記(メタ)アクリル系樹脂1g中に含有される酸を中和するのに必要なKOHの重量を意味する。
[0028]
上記支持板側粘着剤層に用いる(メタ)アクリル系樹脂は、水酸基価が25mgKOH/g以下であることが好ましい。水酸基価が25mgKOH/gを超えると、加熱によって粘着剤層の粘着力が昂進するため、気体を発生させても充分に接着力を低減させることができないことがある。
なお、本明細書において、水酸基価とは、JIS K 0070に準拠した方法により測定することができる値であって、上記(メタ)アクリル系樹脂1g中に含有される水酸基量に相当するKOHの重量を意味する。
[0029]
上記支持板側粘着剤層に用いる(メタ)アクリル系樹脂は、側鎖に反応性二重結合を有する官能基を有しないことが好ましい。このような(メタ)アクリル系樹脂を用いることによって、アジド化合物の気体発生性能を阻害することなく、所望の時期に気体を発生させることができる。
[0030]
上記支持板側粘着剤層に用いる(メタ)アクリル系樹脂は、二重結合等の重合性反応基を有しないことが好ましい。重合性反応基を有すると、該重合性反応基と、上記アジド化合物とが反応して、上記アジド化合物が消費されてしまうため、所望の時期に気体を発生させることが困難となることがある。
[0031]
上記支持板側粘着剤層に用いる(メタ)アクリル系樹脂は、上記所定の酸価及び水酸基価を有するものであれば特に限定されず、例えば、常温で粘着性を有するポリマーとして、一般の(メタ)アクリル系ポリマーの場合と同様に、主モノマーとしてアルキル基の炭素数が通常2~18の範囲にあるアクリル酸アルキルエステル及び/又はメタクリル酸アルキルエステルと、官能基含有モノマーと、更に必要に応じてこれらと共重合可能な他の改質用モノマーとを、常法により共重合させることにより得られる官能基含有(メタ)アクリル系ポリマー等が挙げられる。なかでも、アルキル基の炭素数が6以上の官能基含有(メタ)アクリル系ポリマーが好ましい。上記官能基含有(メタ)アクリル系ポリマーの重量平均分子量は通常20万~200万程度である。
[0032]
上記アジド化合物は、TG-DTA(熱重量-示差熱分析)測定にて150℃で1時間保持したときの重量減少量が5%以下であることが好ましい。5%を超えると、加熱時にアジド化合物が消費され気体が発生してしまうため、所望の時期に気体を発生させることが困難となることがある。
なお、本明細書において、TG-DTA測定にて150℃で1時間保持したときの重量減少量が5%以下とは、アジド化合物単体を10℃/minの昇温速度で35℃から150℃まで加温し、150℃に達した時点から1時間経過時点までの間の重量減少量が5%以下であることをいう。
[0033]
上記アジド化合物は、上記重量減少量を有するものであれば特に限定されず、例えば、3-アジドメチル-3-メチルオキセタン、テレフタルアジド、p-tert-ブチルベンズアジドや、3-アジドメチル-3-メチルオキセタンを開環重合することにより得られるグリシジルアジドポリマー(GAP)等のアジド基を有するポリマー等が挙げられる。これらのアジド化合物は、主に波長400nm以下の紫外線領域の光を照射することにより窒素ガスを発生する。
[0034]
上記アジド化合物は、上記支持板側粘着剤層中に溶解していることが好ましい。上記アジド化合物が粘着剤層中に溶解していることにより、刺激を与えたときにアジド化合物から発生した気体が効率よく粘着剤層の外に放出される。上記アジド化合物が粘着剤層中に粒子として存在すると、粘着剤層が発泡して気体が粘着剤層の外に放出されなかったり、気体を発生させる刺激として光を照射したときに粒子の界面で光が散乱して気体発生効率が低くなってしまったり、粘着剤層の表面平滑性が悪くなったりすることがある。
なお、上記アジド化合物が粘着剤層中に溶解していることは、電子顕微鏡により粘着剤層を観察したときにアジド化合物の粒子が見あたらないことにより確認することができる。
[0035]
上記アジド化合物を支持板側粘着剤層中に溶解させるためには、上記支持板側粘着剤層を構成する粘着剤に溶解するアジド化合物を選択すればよい。なお、粘着剤に溶解しないアジド化合物を選択する場合には、例えば、分散機を用いたり、分散剤を併用したりすることにより粘着剤層中にアジド化合物をできるかぎり微分散させることが好ましい。粘着剤層中にアジド化合物を微分散させるためには、気体発生剤は、微小な粒子であることが好ましく、更に、これらの微粒子は、例えば、分散機や混練装置等を用いて必要に応じてより細かい微粒子とすることが好ましい。即ち、電子顕微鏡により上記粘着剤層を観察したときに気体発生剤を確認することができない状態まで分散させることがより好ましい。
[0036]
上記アジド化合物の含有量は特に限定されないが、上記(メタ)アクリル系樹脂100重量部に対する好ましい下限が1重量部、好ましい上限は200重量部である。1重量部未満であると、充分な剥離圧力が得られず剥離できないことがあり、200重量部を超えると粘着剤物性に悪影響を及ぼすことがある。より好ましい下限は3重量部、より好ましい上限は100重量部である。
[0037]
上記支持板側粘着剤層には、以上の成分のほか、粘着剤としての凝集力の調節を図る目的で、所望によりイソシアネート化合物、メラミン化合物、エポキシ化合物等の一般の粘着剤に配合される各種の多官能性化合物を適宜配合してもよい。また、帯電防止剤、可塑剤、樹脂、界面活性剤、ワックス、微粒子充填剤等の公知の添加剤を加えることもできる。
また、樹脂の安定性を高めるために熱安定剤、酸化防止剤を配合させてもよい。このような添加剤は、例えばフェノール系酸化防止剤、アミン系酸化防止剤、硫黄系酸化防止剤、リン系酸化防止剤、有機スズ系安定剤、鉛系安定剤等が挙げられる。これらの添加剤は、単独で用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。
[0038]
上記支持板側粘着剤層には、更に、アジド化合物への光による刺激を増幅させる目的により光増感剤を配合してもよい。かかる光増感剤を配合することによってより少ない光の照射により気体を放出させることができる。また、光増感剤を配合することによってより広い波長領域の光により気体を放出させることができるので、被着体がポリアミド等のアジド化合物から気体を発生させる波長の光を透過しないものであっても、被着体越しに光を照射して気体を発生させることができ被着体の選択の幅が広がる。
上記光増感剤は特に限定されないが、例えば、チオキサントン増感剤等が好適である。
[0039]
上記支持板側粘着剤層は、ゲル分率の好ましい下限が75%である。75%未満であると、気体発生時に粘着剤層自身が発泡してしまい、発生した気体を高い効率で接着界面に放出することが困難になることがある。
なお、本明細書において、ゲル分率は、ゲル分の含有量のことを意味し、例えば、(メタ)アクリル系樹脂をテトラヒドロフランに浸漬した後、乾燥させたものの重量と、浸漬前の(メタ)アクリル系樹脂の重量との比を測定することにより求めることができる。
[0040]
上記支持板側粘着剤層は、上記ゲル分率を有するため、粘着テープとして用いるために必要な粘着力とともに、適度な硬さを有する。また、上記支持板側粘着剤層が含有する(メタ)アクリル系樹脂は、上記酸価及び水酸基価を有することによって、加熱による粘着力の昂進を抑制することができる。そのため、上記支持板側粘着剤層は、加熱後にも、必要以上に粘着力が増大することなく、適度な硬さを有するため、気体発生時に粘着剤層が発泡せずに、発生した気体を高い効率で接着界面に放出することが可能となる。
[0041]
本発明の両面粘着テープの粘着剤層のうちウエハと接着させる側の粘着剤層(以下、「ウエハ側粘着剤層」ともいう)は特に限定されず、従来公知のものを用いることができる。なかでも、刺激によって硬化する粘着剤を用いる場合には、刺激を与える前には柔軟でウエハの表面に形成された回路の凹凸への追従性に優れる一方、光等の刺激を与えることにより硬化して粘着力が低減して、支持板が剥離した後には、めくるようにして容易にウエハから剥離することができることから好適である。
[0042]
上記ウエハ側粘着剤層に用いる刺激によって硬化する粘着剤は、例えば、光硬化型接着剤等が挙げられる。
上記光硬化型粘着剤は、従来公知のものを用いることができる。具体的には、例えば、分子内にラジカル重合性の不飽和結合を有する(メタ)アクリル酸アルキルエステル系の重合性ポリマーと、ラジカル重合性の多官能オリゴマー又はモノマーとを主成分とし、必要に応じて光重合開始剤を含んでなる光硬化型粘着剤を用いたもの等が挙げられる。
[0043]
本発明の両面粘着テープは、ICチップの製造時に半導体用ウエハと支持板とを接着して半導体用ウエハを補強するために用いられるものである。剥離時には、刺激を与えることにより支持板側粘着剤層中に含まれる気体発生剤から気体が発生し、該気体の圧力により両面粘着テープと支持板との間で剥離する。このとき両面粘着テープの基材と支持板側粘着剤層との間に空気溜まりが生じて支持板側粘着剤層全体が波打った形状に変形することにより、支持板の再密着を確実に防止することができる。このように、まず両面粘着テープと支持板との間で剥離した後、残った柔軟な両面粘着テープをめくるようにしてウエハから剥離できることから、ほとんどウエハを損傷することがない。
[0044]
第2の本発明の半導体加工用テープについて詳しく説明する。
粘着テープを半導体の表面に貼着する場合、通常は気泡等を噛み込まないように減圧下で貼着工程を行うことが行われる。しかしながら、完全に気泡を噛み込まなくすることは極めて困難である。とりわけ非着面に回路等の凹凸が形成されている場合には、凹凸の近傍に気泡が残存することは不可避である。このような気泡は通常の工程では問題にならないものである。しかし、減圧加熱工程下においては気泡が膨張して、剥離しようとする圧力が上昇する。一方、一般に粘着剤は温度が上昇するに従って弾性率及びtanδが低下する傾向がある。従来の光硬化型粘着剤を用いた粘着テープを減圧加熱工程を有する半導体の加工時に用いた場合に剥離する原因は、減圧加熱により気泡が膨張することにより発生した剥離圧力に対して、高温により弾性率及びtanδが低下した粘着剤層ではその剥離圧力を緩和できないことにあると考えられた。
本発明者らは、鋭意検討の結果、粘着剤層中にシリカ微粒子を一定の条件を満たすように微分散させることにより、高温域における粘着剤層の弾性率及びtanδの低下を抑制し、減圧加熱工程を有する半導体の加工時に用いた場合であっても剥離の発生を効果的に抑制できることを見出し、本発明を完成するに至った。
[0045]
従来の考え方では、シリカを配合した粘着剤層は弾性率(E’又はG’)が上昇する(硬くなる)ことから、むしろ粘着力が低下すると考えられていた。しかしながら、驚くべきことに、一定以下の粒子径(分散径)となるようにシリカ微粒子を配合した粘着剤層は高温時の剥離強度が著しく向上して、気泡が膨張することにより発生した剥離圧力がかかっても容易には剥離しない。この理由については明らかではないが、疑似架橋である海島構造が高温での構成を維持しながら、流動成分が接着力を維持するためと考えられる。
[0046]
本発明の半導体加工用テープは、基材の少なくとも一方の面に粘着剤層を有する。
本発明の半導体加工用テープは、一方の面にのみ粘着剤層が形成された片面粘着テープであってもよく、両面に粘着剤層が形成された両面粘着テープであってもよい。
[0047]
上記基材としては特に限定されないが、光を透過又は通過するものであることが好ましく、例えば、アクリル、オレフィン、ポリカーボネート、塩化ビニル、ABS、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ナイロン、ウレタン、ポリイミド等の透明な樹脂からなるシート、網目状の構造を有するシート、孔が開けられたシート等が挙げられる。
[0048]
上記粘着剤層は、光硬化型粘着剤とシリカ微粒子とを含有する。
上記光硬化型粘着剤としては特に限定されず、従来公知のものを用いることができる。具体的には、例えば、分子内にラジカル重合性の不飽和結合を有する(メタ)アクリル酸アルキルエステル系の重合性ポリマーと、ラジカル重合性の多官能オリゴマー又はモノマーとを主成分とし、必要に応じて光重合開始剤を含んでなる光硬化型粘着剤を用いたもの等が挙げられる。
このような光硬化型粘着剤からなる粘着剤層は、光の照射により粘着剤層の全体が均一にかつ速やかに重合架橋して一体化するため、重合硬化による弾性率の上昇が著しくなり、粘着力が大きく低下する。
[0049]
上記重合性ポリマーは、例えば、分子内に官能基を持った(メタ)アクリル系ポリマー(以下、官能基含有(メタ)アクリル系ポリマーという)をあらかじめ合成し、分子内に上記の官能基と反応する官能基とラジカル重合性の不飽和結合とを有する化合物(以下、官能基含有不飽和化合物という)と反応させることにより得ることができる。
[0050]
上記官能基含有(メタ)アクリル系ポリマーは、常温で粘着性を有するポリマーとして、一般の(メタ)アクリル系ポリマーの場合と同様に、アルキル基の炭素数が通常2~18の範囲にあるアクリル酸アルキルエステル及び/又はメタクリル酸アルキルエステルを主モノマーとし、これと官能基含有モノマーと、更に必要に応じてこれらと共重合可能な他の改質用モノマーとを常法により共重合させることにより得られるものである。上記官能基含有(メタ)アクリル系ポリマーの重量平均分子量は通常20万~200万程度である。
[0051]
上記官能基含有モノマーとしては、例えば、アクリル酸、メタクリル酸等のカルボキシル基含有モノマーや、アクリル酸ヒドロキシエチル、メタクリル酸ヒドロキシエチル等のヒドロキシル基含有モノマーや、アクリル酸グリシジル、メタクリル酸グリシジル等のエポキシ基含有モノマーや、アクリル酸イソシアネートエチル、メタクリル酸イソシアネートエチル等のイソシアネート基含有モノマーや、アクリル酸アミノエチル、メタクリル酸アミノエチル等のアミノ基含有モノマー等が挙げられる。
上記共重合可能な他の改質用モノマーとしては、例えば、酢酸ビニル、アクリロニトリル、スチレン等の一般の(メタ)アクリル系ポリマーに用いられている各種のモノマーが挙げられる。
[0052]
上記官能基含有(メタ)アクリル系ポリマーに反応させる官能基含有不飽和化合物としては、上記官能基含有(メタ)アクリル系ポリマーの官能基に応じて上述した官能基含有モノマーと同様のものを使用できる。例えば、上記官能基含有(メタ)アクリル系ポリマーの官能基がカルボキシル基の場合はエポキシ基含有モノマーやイソシアネート基含有モノマーが用いられ、同官能基がヒドロキシル基の場合はイソシアネート基含有モノマーが用いられ、同官能基がエポキシ基の場合はカルボキシル基含有モノマーやアクリルアミド等のアミド基含有モノマーが用いられ、同官能基がアミノ基の場合はエポキシ基含有モノマーが用いられる。
[0053]
上記多官能オリゴマー又はモノマーとしては、分子量が1万以下であるものが好ましく、より好ましくは加熱又は光の照射による粘着剤層の三次元網状化が効率よくなされるように、その分子量が5,000以下でかつ分子内のラジカル重合性の不飽和結合の数が2~20個のものである。このようなより好ましい多官能オリゴマー又はモノマーとしては、例えば、トリメチロールプロパントリアクリレート、テトラメチロールメタンテトラアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート又は上記同様のメタクリレート類等が挙げられる。その他、1,4-ブチレングリコールジアクリレート、1,6-ヘキサンジオールジアクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレート、市販のオリゴエステルアクリレート、上記同様のメタクリレート類等が挙げられる。これらの多官能オリゴマー又はモノマーは、単独で用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。
[0054]
上記光重合開始剤としては、例えば、250~800nmの波長の光を照射することにより活性化されるものが挙げられ、このような光重合開始剤としては、例えば、メトキシアセトフェノン等のアセトフェノン誘導体化合物や、ベンゾインプロピルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテル等のベンゾインエーテル系化合物や、ベンジルジメチルケタール、アセトフェノンジエチルケタール等のケタール誘導体化合物や、フォスフィンオキシド誘導体化合物や、ビス(η5-シクロペンタジエニル)チタノセン誘導体化合物、ベンゾフェノン、ミヒラーケトン、クロロチオキサントン、ドデシルチオキサントン、ジメチルチオキサントン、ジエチルチオキサントン、α-ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、2-ヒドロキシメチルフェニルプロパン等の光ラジカル重合開始剤が挙げられる。これらの光重合開始剤は、単独で用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。
[0055]
上記シリカ微粒子としては特に限定されず、フュームドシリカ、溶融シリカ、コロイドシリカ等が挙げられる。なかでも、表面の水酸基の量の調整が容易でありながら、水分量の制御が容易であり、かつ、一次粒径が充分に小さいものが得られることからフュームドシリカ微粒子、溶融シリカ微粒子が好適であり、フュームドシリカがより好適である。
[0056]
上記シリカ微粒子は、平均粒子径(以下、「平均分散径」ともいう。)が1.0μm以下、かつ、最大粒子径(以下、「最大分散径」ともいう。)が5.0μm以下となるように上記粘着剤層中に分散している。このような条件で微分散することにより、はじめて本発明の優れた効果を発揮することができる。
上記平均分散径の好ましい下限については特に限定されず、小さければ小さいほどよいが、現在の技術では0.05μm程度が限界である。
上記最大分散径の好ましい上限は2.0μmである。上記最大分散径の好ましい下限は特に限定されないが、現在の技術では0.5μm程度が限界であろう。
なお、本明細書において上記平均分散径及び最大分散径は、動的光散乱法を利用するナノトラック(UPA-UT)により測定される値である。
[0057]
上記シリカ微粒子を上述のように微分散させるためには、少なくとも、下記の4つが重要である。
まず第1には、できる限り一次粒径の小さいシリカ微粒子を原料として用いることである。原料シリカ微粒子の一次粒径の好ましい上限は50nmである。シリカ微粒子の一次粒径が50nmを超えると、上述の微分散状態を達成することは困難である。シリカ微粒子の一次粒径のより好ましい上限は30nmである。シリカ微粒子の一次粒径の下限については、小さければ小さいほど好ましいが、現在の技術では5nm程度が限界である。
[0058]
第2に、シリカ微粒子が分散しやすいように、表面処理を施すことである。上記表面処理としては、例えば、メトキシ基処理、エトキシ基処理、フェニル基処理、グリシジル基処理、等の化学処理や等の物理処理等が挙げられる。
表面処理を施すことによりシリカ微粒子表面の水酸基は消費されるが、全ての水酸基が消費され尽くすことはないので、本発明の効果には影響しない。
[0059]
第3に、分散方法として高分散可能な分散装置を用いることである。高分散可能な分散装置として高速撹拌分散装置、例えば、ホモディスパー、ホモミクサー、ウルトラタラクス、シャーフロー、ホモジナイザー等が挙げられる。分散装置としてホモディスパーを用いる場合には、羽の回転速度を少なくとも2000rpm以上とすることが好ましい。
[0060]
第4に、分散後の粘着剤溶液をろ過することである。500メッシュのフィルターでろ過することにより、5.0μmを超える粒子隗をほぼ除去することができる。
[0061]
上記シリカ微粒子の配合量としては、上記光硬化型粘着剤100重量部に対する下限が7重量部、上限が20重量部である。上記シリカ微粒子の配合量が7重量部未満であると、減圧加熱下での剥離を防止する効果が得られず、20重量部を超えると、室温下での粘着性が不充分となったり、均一にシリカ微粒子を粘着剤中に練り込めなかったりする。上記シリカ微粒子の配合量の好ましい下限は10重量部、好ましい上限は17重量部である。
[0062]
上記粘着剤層は、光を照射することにより気体を発生する気体発生剤を含有してもよい。このような気体発生剤を含有する上記粘着剤層に光を照射すると、光硬化型粘着剤が架橋硬化して粘着剤層全体の弾性率が上昇し、このような硬い粘着剤層中で発生した気体は粘着剤層から接着界面に放出され接着面の少なくとも一部を剥離することから、より容易に粘着テープを剥離することができる。
[0063]
上記気体発生剤としては特に限定されないが、例えば、アジド化合物、アゾ化合物等が挙げられる。なかでも、本願発明の半導体加工用テープが減圧加熱工程を有する半導体の加工時に用いられることを勘案すると、耐熱性に優れるアジド化合物が好適である。
上記アジド化合物としては特に限定されず、例えば、3-アジドメチル-3-メチルオキセタン、テレフタルアジド、p-tert-ブチルベンズアジドや、3-アジドメチル-3-メチルオキセタンを開環重合することにより得られるグリシジルアジドポリマー(GAP)等のアジド基を有するポリマー等が挙げられる。
[0064]
上記粘着剤層は、粘着剤としての凝集力の調節を図る目的でイソシアネート化合物、メラミン化合物、エポキシ化合物等の一般の粘着剤に配合される各種の多官能性化合物を適宜配合してもよい。また、帯電防止剤、可塑剤、樹脂、界面活性剤、ワックス、微粒子充填剤等の公知の添加剤を加えることもできる。更に、粘着剤の安定性を高めるために熱安定剤、酸化防止剤を配合してもよい。
[0065]
本発明の半導体加工用テープを製造する方法としては特に限定されず、例えば、基材上に、上記粘着剤等をドクターナイフやスピンコーター等を用いて塗工する等の従来公知の方法を用いることができる。
[0066]
本発明の半導体加工用テープは、減圧加熱工程を有する半導体の加工時において半導体に貼付してこれを保護するために好適に用いることができる。本発明の半導体加工用テープでは、室温においては半導体に対して高い粘着力を有し、減圧下で加熱した場合であっても紫外線等を照射することなしには剥離してしまうことがない。従って、化学蒸着、物理蒸着、スパッタリング、ドライエッチング、メッキ等の減圧下で加熱する工程を有する半導体の加工時にも好適に用いることができる。

発明の効果

[0067]
本発明によれば、ICチップの製造時に半導体用ウエハと支持板とを接着して半導体用ウエハを補強するために用いられる半導体加工用両面粘着テープであって、刺激を与えることにより容易かつ確実に半導体加工用両面粘着テープと支持板との間で剥離できるものである半導体加工用両面粘着テープを提供することができる。また、本発明によれば、減圧加熱工程を有する半導体の加工時において半導体に貼付してこれを保護するための半導体加工用テープを提供することができる。

発明を実施するための最良の形態

[0068]
以下に実施例を挙げて本発明の態様を更に詳しく説明するが、本発明はこれら実施例にのみ限定されるものではない。
[0069]
(実験例1)
(1)基材の調製
両面にコロナ処理を施した厚さ50μmの透明なポリエチレンテレフタレート(PET)フィルムの一方の面に、全面に易接着処理した後、グラビア方式で図3で黒として示したドットの模様同様、長鎖アルキル系離型剤ピーロイル1050を印刷した。これにより一方の面の全体に、離型剤が処理された直径0.5mmの円形のドットが0.5、1、2、3、4、5、6、7、8及び9個/cm の密度で均一に設けられた基材を得た。
[0070]
(2)支持板側粘着剤層用粘着剤の調製
下記の化合物を酢酸エチルに溶解させ、紫外線を照射して重合を行い、重量平均分子量60万のアクリル共重合体を得た。
・2-エチルへキシルアクリレート  97.5重量部
・2-ヒドロキシエチルアクリレート  1.5重量部
・アクリル酸             1.0重量部
・光重合開始剤            0.2重量部
更に、反応後のアクリル共重合体を含む酢酸エチル溶液の樹脂固形分100重量部に対して、ベンゾフェノン0.5重量部、ポリイソシアネート2重量部、グリシジルアジドポリマー(GAP5003、日本油脂社製)を10重量部、2,4-ジエチルチオキサントン5重量部を混合して、アジド化合物を含有する支持板側粘着剤層用粘着剤の酢酸エチル溶液を調製した。
なお、使用したアクリル系樹脂の酸価は10mgKOH/g、水酸基価は10mgKOH/gであった。また、使用したアジド化合物は、TG-DTA測定にて10℃/minの昇温速度で35℃から150℃まで加熱し、150℃で1時間保持したときの重量減少量は2%であった。更に、得られた支持板側粘着剤層用粘着剤のゲル分率は85%であった。
[0071]
(3)ウエハ側粘着剤層用粘着剤の調製
下記の化合物を酢酸エチルに溶解させ、紫外線を照射して重合を行い、重量平均分子量70万のアクリル共重合体からなる光硬化性粘着剤の酢酸エチル溶液を得た。
・2エチルヘキシルアクリレート   83重量部
・ブチルアクリレート        10重量部
・アクリル酸             2重量部
・2-ヒドロキシエチルアクリレート  5重量部
・光重合開始剤          0.2重量部
(イルガキュア651、50%酢酸エチル溶液)
・ラウリルメルカプタン     0.01重量部
得られた光硬化性粘着剤の酢酸エチル溶液の樹脂固形分100重量部に対して、2-イソシアナトエチルメタクリレート3.5重量部を加えて反応させ、更に、反応後の酢酸エチル溶液の樹脂固形分100重量部に対して、光重合開始剤(イルガキュア651)5重量部、ポリイソシアネート1.0重量部を混合しウエハ側粘着剤層用粘着剤1の酢酸エチル溶液を調製した。
なお、得られたウエハ側粘着剤層用粘着剤の23℃における剪断弾性率は1×10 Pa、tanδは0.41であった。
[0072]
(4)両面粘着テープの作製
支持板側粘着剤層用粘着剤の酢酸エチル溶液を、得られた基材の離型剤処理が施された側の面上に乾燥皮膜の厚さが約30μmとなるようにドクターナイフで塗工し、110℃、5分間加熱して溶剤を揮発させ塗工溶液を乾燥させた。乾燥後の粘着剤層は乾燥状態で粘着性を示した。乾燥後の支持板側粘着剤層の表面に離型処理が施されたPETフィルムをラミネートした。
次に、ウエハ側粘着剤層用粘着剤の酢酸エチル溶液を、表面に離型処理が施されたPETフィルムの上に乾燥皮膜の厚さが約40μmとなるようにドクターナイフで塗工し110℃、5分間加熱して溶剤を揮発させ塗工溶液を乾燥させた。乾燥後のウエハ側粘着剤層は乾燥状態で粘着性を示した。
次いで、支持板側粘着剤層を設けた基材の支持板側粘着剤層のないコロナ処理を施した面と、ウエハ側粘着剤層を設けた離型処理が施されたPETフィルムのウエハ側粘着剤層の面とを貼り合わせた。その後、40℃、3日間静置して養生を行った。これにより両面に粘着剤層が設けられ、その表面が離型処理が施されたPETフィルムで保護された両面粘着テープを得た。
[0073]
(実験例2~8)
基材の一方の面に施す離型剤処理を、表1及び表2に示したドットの直径及び密度とした以外は実施例1と同様の方法により、両面粘着テープを得た。
[0074]
(比較例1)
離型剤処理を施さない基材を用いた以外は実験例1と同様の方法により、両面粘着テープを得た。
[0075]
(比較例2)
基材の一方の面の全面に離型剤処理を施した基材を用いた以外は実験例1と同様の方法により、両面粘着テープを得た。
[0076]
(評価)
実験例1~8及び比較例1、2で得られた両面粘着テープについて、以下の方法により評価を行った。
結果を表1及び表2に示した。
[0077]
(剥離性の評価)
両面粘着テープのウエハ側粘着剤層を保護するPETフィルムを剥がし、直径20cm、厚さ約750μmであって回路が形成されたシリコンウエハに貼り付け、一方、支持板側粘着剤層を保護するPETフィルムを剥がし、直径20.4cmのガラス板を真空プレス機を用いて粘着剤層に貼り付けてサンプルを作製した。
サンプルをシリコンウエハ側が下になるように設置した後、ガラス板側から超高圧水銀灯を用いて、波長365nmの紫外線をガラス板表面への照射強度が40mW/cm となるよう照度を調節して照射した。
紫外線を照射直後(10秒以内)及び紫外線照射60秒後に、支持板をゆっくりと上方に持ち上げたときに支持板のみが剥離して持ち上げられた場合を剥離できたとして、各々10回の実験を行ったときの剥離成功率(%)を求めた。
また、紫外線照射60秒後に支持板を剥離した後のウエハの表面を目視にて観察し、糊残りの有無を評価した。ウエハの表面に糊残りが認められなかった場合を「○」、糊残りが認められた場合を「×」と評価した。
更に、総合評価として、紫外線を照射直後の剥離成功率が80%以上、紫外線照射60秒後の剥離成功率が80%以上、及び、糊残りが「○」のいずれをも満たす場合を「○」、いずれか1つでも満たさない場合を「×」と評価した。
[0078]
[表1]


[0079]
[表2]


[0080]
(実験例9)
基材の調製に用いる離型剤としてシリコン系離型剤KM722Tを用い、表3に示したドットの直径及び密度とした以外は実験例1と同様の方法により、両面粘着テープを得た。
得られた粘着テープについて、上記と同様の方法により離型性の評価を行った。
結果を表3に示した。
[0081]
[表3]


[0082]
(実験例10)
基材の調製に用いる離型剤としてフッ素系離型剤EGC-1720を用い、表4に示したドットの直径及び密度とした以外は実験例1と同様の方法により、両面粘着テープを得た。
得られた粘着テープについて、上記と同様の方法により離型性の評価を行った。
結果を表4に示した。
[0083]
[表4]


[0084]
(実験例11)
厚さ50μmの透明なポリエチレンテレフタレート(PET)フィルムの一方の面に、表5に示したドットの直径及び密度となるように、ドットに対応する部分をマスクした状態でコロナ処理を行った。得られた基材を用いた以外は実験例1と同様の方法により、両面粘着テープを得た。
得られた粘着テープについて、上記と同様の方法により離型性の評価を行った。
結果を表5に示した。
[0085]
[表5]


[0086]
(実施例1)
(1)光硬化型粘着剤の調製
下記の化合物を酢酸エチルに溶解させ、紫外線を照射して重合を行い、重量平均分子量70万のアクリル共重合体からなる光硬化性粘着剤の酢酸エチル溶液を得た。
ブチルアクリレート        79重量部
エチルアクリレート        15重量部
アクリル酸             1重量部
2-ヒドロキシエチルアクリレート  5重量部
光重合開始剤          0.2重量部
(イルガキュア651、50%酢酸エチル溶液)
ラウリルメルカプタン     0.01重量部
[0087]
(2)粘着剤層用組成物溶液の調製
得られた光硬化性粘着剤の酢酸エチル溶液の樹脂固形分100重量部に対して、2-イソシアナトエチルメタクリレート3.5重量部を加えて反応させ、更に、反応後の酢酸エチル溶液の樹脂固形分100重量部に対して、表面にメトキシ基処理が施されたフュームドシリカ(トクヤマ社製、MT-10、一次粒径が15nm)7重量部、光重合開始剤(イルガキュア651)5重量部、ポリイソシアネート0.5重量部を加え、ホモディスパー(PRIMIX社製、T.K.ホモディスパー)を用い回転速度3000rpmで10分間撹拌した。その後、500メッシュのナイロン製フィルターを用いてろ過し、粘着剤層用組成物溶液を得た。
[0088]
(3)半導体加工用テープの製造
得られた粘着剤層用組成物溶液を、片面にコロナ処理を施した厚さ75μmの透明なポリエチレンテレフタレート(PET)フィルムのコロナ処理上に乾燥皮膜の厚さが約15μmとなるようにドクターナイフで塗工し110℃、5分間加熱して塗工溶液を乾燥させた。乾燥後の粘着剤層は乾燥状態で粘着性を示した。次いで、粘着剤層の表面に離型処理が施されたPETフィルムを貼り付けた。その後、40℃、3日間静置養生を行い、半導体加工用テープを得た。
[0089]
(実施例2)
フュームドシリカの配合量を10重量部とした以外は、実施例1と同様にして粘着剤層用組成物溶液を調製し、半導体加工用テープを得た。
[0090]
(実施例3)
フュームドシリカの配合量を20重量部とし、ホモディスパーの回転速度を4000rpmとした以外は、実施例1と同様にして粘着剤層用組成物溶液を調製し、半導体加工用テープを得た。
[0091]
(実施例4)
フュームドシリカとして扶桑化学工業社製のクォートロンPL-7(一次粒径が50nm)を10重量部配合し、ホモディスパーの回転速度を4000rpmとした以外は、実施例1と同様にして粘着剤層用組成物溶液を調製し、半導体加工用テープを得た。
[0092]
(比較例3)
球形シリカ(SO-E1、アドマテクス社製、一次粒径が200nm(大きいもの))を用いた以外は、実施例2と同様にして粘着剤層用組成物溶液を調製し、半導体加工用テープを得た。
[0093]
(比較例4)
表面処理が施されていないフュームドシリカ(トクヤマ社製、QS-10、一次粒径が15nm)を用いた以外は、実施例2と同様にして粘着剤層用組成物溶液を調製しようとした。しかしながら、フュームドシリカが充分に分散できなかったことから、ろ過ができずにサンプルを調製することができなかった。
[0094]
(比較例5)
分散装置としてホモディスパーの代わりに通常の低速回転式撹拌機(BL600、ヘイドン製、rpm1000以下)を用いた以外は、実施例2と同様にして粘着剤層用組成物溶液を調製し、半導体加工用テープを得た。
[0095]
(比較例6)
ろ過を行わなかった以外は、実施例2と同様にして粘着剤層用組成物溶液を調製し、半導体加工用テープを得た。
[0096]
(比較例7)
フュームドシリカの配合量を5重量部とした以外は、実施例1と同様にして粘着剤層用組成物溶液を調製し、半導体加工用テープを得た。
[0097]
(比較例8)
フュームドシリカの配合量を30重量部とした以外は、実施例3と同様にして粘着剤層用組成物溶液を調製しようとした。しかしながら、フュームドシリカが充分に分散できなかったことから、ろ過ができずにサンプルを調製することができなかった。
[0098]
(評価)
実施例1~4及び比較例3~8で得られた半導体加工用テープについて、以下の方法により評価を行った。
結果を表6及び表7に示した。
[0099]
(1)シリカ微粒子の分散状態の評価
動的光散乱法(UPA-UT)により、粘着剤層中におけるフュームドシリカの平均分散径及び最大分散径を求めた。
[0100]
(2)剥離強度の評価
幅2.5cmの粘着テープをシリコンウエハにラミネートした後、一定温度で加熱可能なホットプレートが設置されている引っ張り試験機により、25℃、80℃及び120℃における剥離強度を求めた。
[0101]
(耐減圧加熱性の評価)
得られた半導体加工用テープを裏面研削用テープとして用い、回路が形成された厚さ200μmのシリコンウエハに常温減圧中で貼り付けた。次いで、減圧貼り合わせ機中に静置し、100Pa、130℃の条件下20分間減圧加熱処理した。
試験は、各々の半導体加工用テープについて10個ずつ行い、処理中に剥離の起こらなかった数を求めた。
[0102]
[表6]


[0103]
[表7]


産業上の利用可能性

[0104]
本発明によれば、ICチップの製造時に半導体用ウエハと支持板とを接着して半導体用ウエハを補強するために用いられる半導体加工用両面粘着テープであって、刺激を与えることにより容易かつ確実に半導体加工用両面粘着テープと支持板との間で剥離できるものである半導体加工用両面粘着テープを提供することができる。本発明によれば、減圧加熱工程を有する半導体の加工時において半導体に貼付してこれを保護するための半導体加工用テープを提供することができる。

図面の簡単な説明

[0105]
[図1] 従来の両面粘着テープを用いて接着した支持板と半導体ウエハに刺激を与えた場合の剥離状況を説明する模式図である。
[図2] 本発明の両面粘着テープを用いて接着した支持板と半導体ウエハに刺激を与えた場合の剥離状況を説明する模式図である。
[図3] ドット状の離型処理の例を表す模式図である。
[図4] 離型処理を施したドットの直径xと1cm あたりのドットの個数yとの関係を示す図である。

符号の説明

[0106]
1 半導体ウエハ
2 支持板
3 両面粘着テープ
31 基材
32 支持板と接着する側の粘着剤層
33 ウエハと接着する側の粘着剤層
4 両面粘着テープ
41 基材
411 離型処理部
42 支持板と接着する側の粘着剤層
43 ウエハと接着する側の粘着剤層
5 空気溜まり

請求の範囲

[1]
ICチップの製造時に半導体用ウエハと支持板とを接着して半導体用ウエハを補強するために用いられる半導体加工用両面粘着テープであって、基材と前記基材の両面に形成された粘着剤層とからなり、
支持板と接着する側の粘着剤層が、刺激により気体を発生する気体発生剤を含有するものであり、かつ、該支持板と接着する側の粘着剤層に接する側の前記基材にドット状の離型処理が施されており、
離型処理を施したドットの直径をx、1cm あたりのドットの個数をyとしたときに、xとyとが図4の破線A、破線B及び破線Cで囲まれた範囲内である
ことを特徴とする半導体加工用両面粘着テープ。
[2]
減圧加熱工程を有する半導体の加工時において半導体に貼付してこれを保護するための半導体加工用テープであって、
基材の少なくとも一方の面に、光硬化型粘着剤100重量部に対して7~20重量部のシリカ微粒子を含有する粘着剤層を有するものであり、
前記シリカ微粒子は、平均粒子径が1.0μm以下、かつ、最大粒子径が5.0μm以下となるように前記粘着剤層中に分散している
ことを特徴とする半導体加工用テープ。
[3]
シリカ微粒子は、フュームドシリカ微粒子であることを特徴とする請求項2記載の半導体加工用テープ。
[4]
粘着剤層は、気体発生剤を含有することを特徴とする請求項2又は3記載の半導体加工用テープ。

図面

[ 図 1]

[ 図 2]

[ 図 3]

[ 図 4]