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1. WO2009069684 - 放熱構造、該放熱構造の製造方法及び該放熱構造を用いた放熱装置、ダイヤモンドヒートシンク、該ダイヤモンドヒートシンクの製造方法及び該ダイヤモンドヒートシンクを用いた放熱装置、並びに放熱方法

公開番号 WO/2009/069684
公開日 04.06.2009
国際出願番号 PCT/JP2008/071512
国際出願日 27.11.2008
IPC
C01B 31/02 2006.01
C化学;冶金
01無機化学
B非金属元素;その化合物
31炭素;その化合物
02炭素の製造;精製
B82B 1/00 2006.01
B処理操作;運輸
82ナノテクノロジー
B個別の原子,分子,または限られた数の原子または分子の集合を区別された単位として操作しながら形成されたナノ構造;その製造または処理
1個別の原子,分子,または,限られた数の原子または分子の集合を区別された単位として操作しながら形成されたナノ構造
C30B 29/66 2006.01
C化学;冶金
30結晶成長
B単結晶成長;共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出;物質のゾーンメルティングによる精製;特定構造を有する均質多結晶物質の製造;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理;そのための装置
29材料または形状によって特徴づけられた単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質
60形状により特徴づけられたもの
66複雑な幾何学的形状の結晶,例.管,円筒
H01L 23/36 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23半導体または他の固体装置の細部
34冷却,加熱,換気または温度補償用装置
36冷却または加熱を容易にするための材料の選択または成形,例.ヒート・シンク
CPC
B82Y 30/00
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
82NANOTECHNOLOGY
YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
30Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
B82Y 40/00
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
82NANOTECHNOLOGY
YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
40Manufacture or treatment of nanostructures
C01B 2202/08
CCHEMISTRY; METALLURGY
01INORGANIC CHEMISTRY
BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; ; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
2202Structure or properties of carbon nanotubes
08Aligned nanotubes
C01B 2202/34
CCHEMISTRY; METALLURGY
01INORGANIC CHEMISTRY
BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; ; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
2202Structure or properties of carbon nanotubes
20Nanotubes characterized by their properties
34Length
C01B 32/16
CCHEMISTRY; METALLURGY
01INORGANIC CHEMISTRY
BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; ; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
32Carbon; Compounds thereof
15Nano-sized carbon materials
158Carbon nanotubes
16Preparation
C04B 2111/00844
CCHEMISTRY; METALLURGY
04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE
2111Mortars, concrete or artificial stone or mixtures to prepare them, characterised by specific function, property or use
00474Uses not provided for elsewhere in C04B2111/00
00844for electronic applications
出願人
  • 住友電気工業株式会社 SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • 国立大学法人名古屋大学 NATIONAL UNIVERSITY CORPORATION NAGOYA UNIVERSITY [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • 財団法人ファインセラミックスセンター JAPAN FINE CERAMICS CENTER [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • 河合 千尋 KAWAI, Chihiro [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 楠 美智子 KUSUNOKI, Michiko [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 乗松 航 NORIMATSU, Wataru [JP]/[JP] (UsOnly)
発明者
  • 河合 千尋 KAWAI, Chihiro
  • 楠 美智子 KUSUNOKI, Michiko
  • 乗松 航 NORIMATSU, Wataru
代理人
  • 酒井 正己 SAKAI, Masami
優先権情報
2007-30826329.11.2007JP
2008-02009231.01.2008JP
2008-02009331.01.2008JP
2008-07514324.03.2008JP
2008-07532824.03.2008JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) HEAT DISSIPATION STRUCTURE, PROCESS FOR PRODUCING THE HEAT DISSIPATION STRUCTURE, HEAT DISSIPATION DEVICE USING THE HEAT DISSIPATION STRUCTURE, DIAMOND HEAT SINK, PROCESS FOR PRODUCING THE DIAMOND HEAT SINK, HEAT DISSIPATION DEVICE USING THE DIAMOND HEAT SINK, AND HEAT DISSIPATION METHOD
(FR) STRUCTURE DE DISSIPATION DE CHALEUR, PROCÉDÉ DE FABRICATION DE LA STRUCTURE DE DISSIPATION DE CHALEUR, DISPOSITIF DE DISSIPATION DE CHALEUR UTILISANT LA STRUCTURE DE DISSIPATION DE CHALEUR, DISSIPATEUR THERMIQUE EN DIAMANT, PROCÉDÉ DE FABRICATION DU DISSIPATEUR THERMIQUE EN DIAMANT, DISPOSITIF DE DISSIPATION DE CHALEUR UTILISANT LE DISSIPATEUR THERMIQUE EN DIAMANT ET PROCÉDÉ DE DISSIPATION DE CHALEUR
(JA) 放熱構造、該放熱構造の製造方法及び該放熱構造を用いた放熱装置、ダイヤモンドヒートシンク、該ダイヤモンドヒートシンクの製造方法及び該ダイヤモンドヒートシンクを用いた放熱装置、並びに放熱方法
要約
(EN)
Disclosed is a heat dissipation structure, which has high thermal conductivity, has low thermal contact resistance by virtue of excellent contact with the surface of a counter material, and can absorb a thermal stress generated between the heat dissipation structure and the counter material. The heat dissipation structure is produced by heating a substrate, in which a part or the whole of the substrate surface is formed of SiC, in vacuo to sublimate silicon and to form a layer of carbon nanotubes on the substrate surface. In particular, the layer of CNT is preferably a layer of a plurality of CNTs grown substantially perpendicularly to the substrate surface. The heat dissipation structure having CNTs on the outermost surface thereof has low thermal contact resistance with the counter material because fine front ends of CNTs come into contact with even fine concaves and convexes on the surface of the counter material without providing any space.
(FR)
L'invention porte sur une structure de dissipation de la chaleur, qui a une conductivité thermique élevée, qui présente une faible résistance de contact thermique en raison d'un excellent contact avec la surface d'un contre-matériau et qui peut absorber une contrainte thermique générée entre la structure de dissipation de la chaleur et le contre-matériau. La structure de dissipation de la chaleur est obtenue par chauffage d'un substrat, une partie ou la totalité de la surface du substrat étant formée de SiC, sous vide pour sublimer le silicium et pour former une couche de nanotubes de carbone sur la surface du substrat. En particulier, la couche de CNT est de préférence une couche d'une pluralité de nanotubes de carbone (CNT) ayant poussé sensiblement perpendiculairement à la surface du substrat. La structure de dissipation de la chaleur ayant des CNT sur la surface la plus externe de celle-ci a une faible résistance de contact thermique avec le contre-matériau en raison du fait que les fines extrémités avant des CNT viennent en contact avec les parties concaves et convexes même fines sur la surface du contre-matériau sans former un quelconque espace.
(JA)
 本発明は、高い熱伝導率を有し、かつ相手材表面への接触性が優れるために接触熱抵抗が低く、かつ相手材との間に発生する熱応力を吸収可能な放熱構造体を提供する。かかる課題は、基板面の一部又は全部がSiCである基板を真空中で加熱してケイ素を昇華させ、該基板面にカーボンナノチューブ(CNT)からなる層を形成せしめた放熱構造により解決される。特にCNTからなる層が基板面に対してほぼ垂直に成長した複数のCNTからなる層であることが好ましい。CNTを最表面に有する本発明の放熱構造は、CNTが微細な先端が相手材表面の微小な凹凸にも隙間なく接触するため相手材との接触熱抵抗が低い。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報