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1. WO2009069298 - プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法

公開番号 WO/2009/069298
公開日 04.06.2009
国際出願番号 PCT/JP2008/003489
国際出願日 27.11.2008
IPC
H01L 21/3065 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
306化学的または電気的処理,例.電解エッチング
3065プラズマエッチング;反応性イオンエッチング
H01L 21/205 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
20基板上への半導体材料の析出,例.エピタキシャル成長
205固体を析出させるガス状化合物の還元または分解を用いるもの,すなわち化学的析出を用いるもの
H05H 1/46 2006.01
H電気
05他に分類されない電気技術
Hプラズマ技術;加速された荷電粒子のまたは中性子の発生;中性分子または原子ビームの発生または加速
1プラズマの生成;プラズマの取扱い
24プラズマの発生
46電磁界を用いるもの,例.高周波またはマイクロ波エネルギー
CPC
H01J 2237/0206
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
2237Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
02Details
0203Protection arrangements
0206Extinguishing, preventing or controlling unwanted discharges
H01J 37/32935
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
37Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
32Gas-filled discharge tubes, ; e.g. for surface treatment of objects such as coating, plating, etching, sterilising or bringing about chemical reactions
32917Plasma diagnostics
32935Monitoring and controlling tubes by information coming from the object and/or discharge
出願人
  • パナソニック株式会社 PANASONIC CORPORATION [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • 野々村勝 NONOMURA, Masaru (UsOnly)
  • 水上達弘 MIZUKAMI, Tatsuhiro (UsOnly)
発明者
  • 野々村勝 NONOMURA, Masaru
  • 水上達弘 MIZUKAMI, Tatsuhiro
代理人
  • 岩橋文雄 IWAHASHI, Fumio
優先権情報
2007-30976630.11.2007JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) PLASMA TREATMENT APPARATUS AND PLASMA TREATMENT METHOD
(FR) APPAREIL DE TRAITEMENT AU PLASMA ET PROCÉDÉ DE TRAITEMENT AU PLASMA
(JA) プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
要約
(EN)
In plasma treatment for plasma-treating an object to be treated while accommodating the object to be treated in a treatment chamber, retry treatment, cumulative plasma treatment, and maintenance judging treatment for properly performing a plasma treatment operation are performed by receiving a potential change signal induced in response to a change in plasma discharge by a discharge detecting sensor, temporarily recording the received potential change signal as signal data indicating a potential change in a signal recording unit, with reference to the recorded signal data, extracting index data indicating the state of plasma discharge such as the count value of a discharge start wave, the count value of abnormal discharge, or the count value of micro-arc discharge by a signal analyzing section, and judging the state of plasma discharge by monitoring the index data by an apparatus controlling section.
(FR)
Pour traiter au plasma un objet destiné à être traité tout en logeant l'objet destiné à être traité dans une chambre de traitement, on réalise un traitement d'essai répété, un traitement au plasma cumulatif et un traitement d'évaluation de maintenance afin de réaliser correctement une opération de traitement au plasma. Ce traitement comprend les étapes suivantes : réception d'un signal de changement de potentiel provoqué en réponse à un changement de décharge de plasma par un détecteur de décharge ; enregistrement temporaire du signal de changement de potentiel reçu en tant que données de signal qui indiquent un changement de potentiel dans une unité d'enregistrement de signal ; en référence aux données de signal enregistrées, extraction de données d'index qui indiquent l'état de décharge de plasma telles que la valeur de comptage d'une onde de commencement de décharge, la valeur de comptage de décharge anormale, ou la valeur de comptage d'une décharge à micro-arc par une section d'analyse de signal ; et évaluation de l'état de décharge de plasma grâce à la surveillance des données d'index par une section de commande d'appareil.
(JA)
 処理対象物を処理室内に収容してプラズマ処理を行うプラズマ処理において、放電検出センサにプラズマ放電の変化に応じて誘発される電位変化の信号を受信して電位変化を示す信号データとして一時的に信号記録部に記録し、記録された信号データを参照して、放電開始波のカウント値,異常放電のカウント値、微小アーク放電のカウント値などプラズマ放電の状態を示す指標データを信号解析部によって抽出し、装置制御部によって指標データを監視することによりプラズマ放電の状態を判定してプラズマ処理動作を適正に実行するためのリトライ処理、累積プラズマ処理、メンテナンス判定処理を実行する。
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