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1. WO2009060585 - 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法

公開番号 WO/2009/060585
公開日 14.05.2009
国際出願番号 PCT/JP2008/003160
国際出願日 04.11.2008
IPC
H01L 21/027 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
027その後のフォトリソグラフィック工程のために半導体本体にマスクするもので,グループH01L21/18またはH01L21/34に分類されないもの
G03F 7/20 2006.01
G物理学
03写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
Fフォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
20露光;そのための装置
CPC
G03F 7/70341
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
70Exposure apparatus for microlithography
70216Systems for imaging mask onto workpiece
70341Immersion
G03F 7/70733
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
70Exposure apparatus for microlithography
70691Handling of masks or wafers
70733Handling masks and workpieces, e.g. exchange of workpiece or mask, transport of workpiece or mask
G03F 7/70775
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
70Exposure apparatus for microlithography
70691Handling of masks or wafers
70775Position control
出願人
  • 株式会社ニコン NIKON CORPORATION [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • 柴崎祐一 SHIBAZAKI, Yuichi [JP]/[JP] (UsOnly)
発明者
  • 柴崎祐一 SHIBAZAKI, Yuichi
代理人
  • 立石篤司 TATEISHI, Atsuji
優先権情報
2007-28920307.11.2007JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) EXPOSURE APPARATUS, EXPOSURE METHOD AND DEVICE MANUFACTURING METHOD
(FR) APPAREIL D'EXPOSITION, PROCÉDÉ D'EXPOSITION ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF
(JA) 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法
要約
(EN)
At the time of shifting a state from a state where one wafer stage (WST1) is positioned on a region where a liquid immersion region (14) is formed below a projection optical system (PL), to a state where the other wafer stage (WST2) is positioned on such region, the wafer stages (WST2, WST1) are brought close to or into contact with each other in a Y axis direction in a state where an eave section (23a') and a step section (23b) respectively arranged on the wafer stages are engaged and shifted in an X axis direction, and the wafer stages are driven at the same time in a Y axis direction by maintaining such state. Thus, the liquid immersion region is transferred between the two wafer stages through the eave section and leaking of a liquid forming the liquid immersion region is suppressed.
(FR)
L'invention concerne un procédé dans lequel, au moment d'un changement d'état entre un état où un support de tranche (WST1) est positionné sur une région où une région (14) d'immersion dans un liquide est formée au-dessous d'un système (PL) de projection optique, et un état où l'autre support de tranche (WST2) est positionné sur ladite région, les supports de tranches (WST2, WST1) sont rapprochés ou mis en contact l'un avec l'autre dans la direction d'un axe Y dans un état où une section (23a') en débord et une section (23b) en échelon disposées respectivement sur les supports de tranches sont enclenchées et décalées dans la direction d'un axe X, et les supports de tranches sont entraînés en même temps dans la direction de l'axe Y en maintenant ledit état. Ainsi, la région d'immersion dans le liquide est transférée entre les deux supports de tranches par l'intermédiaire de la section en débord et les fuites d'un liquide formant la région d'immersion dans le liquide sont neutralisées.
(JA)
 液浸領域(14)が形成される投影光学系(PL)の下方の領域に、一方のウエハステージ(WST1)が位置する状態から他方のウエハステージ(WST2)が位置する状態に移行させる際に、両ウエハステージ(WST2,WST1)を、それぞれに設けられた庇部(23a’)と段部(23b)とを係合させて、X軸方向に関してずれた状態で、Y軸方向に近接又は接触させ、その状態を維持してY軸方向に同時に駆動する。これにより、液浸領域が、庇部を介して2つのウエハステージ間で受け渡し、液浸領域を形成する液体の漏れを抑制する。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報