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1. WO2009054117 - シリコン製造装置及び方法

公開番号 WO/2009/054117
公開日 30.04.2009
国際出願番号 PCT/JP2008/002967
国際出願日 20.10.2008
IPC
C01B 33/033 2006.01
C化学;冶金
01無機化学
B非金属元素;その化合物
33けい素;その化合物
02けい素
021製造
027シリカまたはシリカ含有材料以外の気体状または気化されたけい素化合物の分解または還元によるもの
033金属または合金のみを還元剤とする,けい素ハロゲン化物またはハロシランの還元によるもの
CPC
B01J 12/005
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
JCHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
12Chemical processes in general for reacting gaseous media with gaseous media; Apparatus specially adapted therefor
005carried out at high temperatures, e.g. by pyrolysis
B01J 19/24
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
JCHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
19Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
24Stationary reactors without moving elements inside
B01J 2219/00132
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
JCHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
2219Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
00049Controlling or regulating processes
00051Controlling the temperature
00132using electric heating or cooling elements
B01J 2219/185
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
JCHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
2219Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
18Details relating to the spatial orientation of the reactor
185vertical
B01J 4/002
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
JCHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
4Feed ; or outlet; devices; Feed or outlet control devices
001Feed or outlet devices as such, e.g. feeding tubes
002Nozzle-type elements
C01B 33/033
CCHEMISTRY; METALLURGY
01INORGANIC CHEMISTRY
BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; ; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
33Silicon; Compounds thereof
02Silicon
021Preparation
027by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds other than silica or silica-containing material
033by reduction of silicon halides or halosilanes with a metal or a metallic alloy as the only reducing agents
出願人
  • 株式会社キノテック・ソーラーエナジー KINOTECH SOLAR ENERGY CORPORATION [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • 武内喜則 TAKEUCHI, Yoshinori [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 榊大介 SAKAKI, Daisuke [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 大橋忠 OHASHI, Tadashi [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 松村尚 MATSUMURA, Hisashi [JP]/[JP] (UsOnly)
発明者
  • 武内喜則 TAKEUCHI, Yoshinori
  • 榊大介 SAKAKI, Daisuke
  • 大橋忠 OHASHI, Tadashi
  • 松村尚 MATSUMURA, Hisashi
代理人
  • 川本学 KAWAMOTO, Manabu
優先権情報
2007-27483123.10.2007JP
2007-28141630.10.2007JP
2007-28286131.10.2007JP
2008-00384511.01.2008JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) APPARATUS AND PROCESS FOR THE PRODUCTION OF SILICON
(FR) APPAREIL ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DU SILICIUM
(JA) シリコン製造装置及び方法
要約
(EN)
An apparatus for the production of silicon which is provided with a tubular reactor (10) for conducting the reaction of zinc with a silicon compound, zinc feed pipes (30, 30') which each bear both a heating section for heating zinc to generate zinc gas and a zinc ejection section for feeding zinc gas by ejection into the reactor, zinc introduction sections (40A, 40B) for introducing zinc into the zinc feed pipes, silicon compound feed pipes (50, 50A, 50B, 50C, 50c, 54, 57, 90) provided with silicon compound ejection sections for feeding a silicon compound gas by ejection into the reactor in such a way that the silicon compound gas flows in the reactor from the bottom to the head, and a heating oven (20) set outside the reactor which forms such a heating zone (α) as to cover part of the reactor, the heating sections, and the zinc ejection sections and which heats them in such a way as to give such an inner temperature distribution of the reactor in which zinc gas and the silicon compound gas flow that the temperature on the center axis (C) side is lower than that on the sidewall side.
(FR)
Cette invention se rapporte à un appareil de production du silicium équipé d'un réacteur tubulaire (10) dans lequel est menée la réaction du zinc avec un composé à base de silicium, de conduits d'alimentation du zinc (30, 30') qui portent chacun une section de chauffage permettant de chauffer le zinc et de générer de la vapeur de zinc et une section d'éjection du zinc qui éjecte la vapeur de zinc dans le réacteur, des sections d'introduction du zinc (40A, 40B) permettant d'introduire le zinc dans les conduits d'alimentation du zinc, des conduits d'alimentation du composé à base de silicium (50, 50A, 50B, 50C, 50c, 54, 57, 90) équipés de sections d'éjection du composé à base de silicium qui éjectent un gaz du composé à base de silicium dans le réacteur de façon à ce que le gaz du composé à base de silicium circule dans le réacteur de bas en haut, et un four de chauffage (20) placé hors du réacteur qui forme une zone thermique (α) laquelle recouvre une partie du réacteur, les sections de chauffage et les sections d'éjection du zinc et qui les chauffe de manière à répartir la température intérieure du réacteur où circulent la vapeur de zinc et le gaz du composé à base de silicium de façon à ce que la température au niveau de l'axe central (C) soit inférieure à celle au niveau des parois.
(JA)
 亜鉛と珪素化合物とを反応させる反応管(10)と、亜鉛を加熱して亜鉛ガスを生成する加熱部及び反応管内に亜鉛ガスを吐出して供給する亜鉛吐出部を有する亜鉛供給管(30、30’)と、亜鉛供給管内に亜鉛を投入する亜鉛投入部(40A、40B)と、珪素化合物ガスが反応管内で下方から上方に流れるように、反応管内に珪素化合物ガスを吐出して供給する珪素化合物吐出部を有する珪素化合物供給管(50、50A、50B、50C、50c、54、57、90)と、反応管の外方に配置されて加熱領域(α)を画成し、亜鉛ガス及び珪素化合物ガスが流れる反応管内の温度分布を反応管の側周面の側よりも中心軸(C)の側の方が低くなるように反応管の一部、加熱部及び亜鉛吐出部を加熱領域内に配置して加熱する加熱炉(20)と、を備えるシリコン製造装置。  
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