(EN) Provided is a plasma film forming apparatus which can reduce particles even in the case of forming a film by applying bias power to a substrate. In the plasma film forming apparatus, bias power is applied to a wafer (5) placed on a supporting table (4) in a chamber and a thin film is formed on the wafer (5) by using plasma. The supporting table (4) is provided with a columnar supporting table main body (4b) whose outer diameter (C) of a contact surface (4a) with the wafer (5) is smaller than the outer diameter (W) of the wafer (5). The supporting table (4) is also provided with a flange section (4c) which extends in the outer circumference direction from a side surface (4d) of the supporting table main body (4b). A prescribed gap (G1) is formed between the flange (4c) and the rear surface of the outer circumference of the wafer (5).
(FR) La présente invention concerne un appareil de formation de film de plasma qui peut réduire des particules même dans le cas de la formation d'un film en appliquant une puissance de polarisation sur un substrat. Dans l'appareil de formation de film de plasma, une puissance de polarisation est appliquée sur une tranche (5) placée sur une table de support (4) dans une chambre et un film mince est formé sur la tranche (5) en utilisant le plasma. La table de support (4) est pourvue d'un corps principal de table de support en colonne (4b) dont le diamètre extérieur (C) d'une surface de contact (4a) avec la tranche (5) est inférieur au diamètre extérieur (W) de la tranche (5). La table de support (4) est également pourvue d'une section de bride (4c) qui s'étend dans la direction de circonférence extérieure à partir d'une surface latérale (4d) du corps principal de table de support (4b). Un espace prescrit (G1) est formé entre la bride (4c) et la surface arrière de la circonférence extérieure de la tranche (5).
(JA) 基板にバイアスを印加して成膜する場合においても、パーティクルを低減することができるプラズマ成膜装置を提供する。そのため、チャンバ内の支持台4上に載置したウェハ5にバイアスを印加すると共に、ウェハ5上にプラズマを用いて薄膜を形成するプラズマ成膜装置において、支持台4は、ウェハ5との接触面4aの外径Cがウェハ5の外径Wより小さい円柱状の支持台本体4bと、支持台本体4bの側面4dから外周方向に延設された鍔部4cとを備え、鍔4cとウェハ5の外周の裏面との間に所定の隙間G1を形成している。